1.一種用于制造半導(dǎo)體布置結(jié)構(gòu)(1)的方法，所述半導(dǎo)體布置結(jié)構(gòu)至少具有基礎(chǔ)元件(2)和半導(dǎo)體(3)，其中半導(dǎo)體(3)借助于燒結(jié)層(4)固定在基礎(chǔ)元件(2)上，其特征在于，至少部分地對(duì)基礎(chǔ)元件(2)的直接抵靠燒結(jié)層(4)的區(qū)域(9)進(jìn)行打孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在半導(dǎo)體(3)固定在基礎(chǔ)元件(2)上之前進(jìn)行打孔。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，打孔包括在基礎(chǔ)元件(2)的區(qū)域(9)中制造至少一個(gè)缺口(15)，尤其是多個(gè)缺口(15)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述至少一個(gè)缺口(15)設(shè)計(jì)為邊緣閉合的通孔。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，基礎(chǔ)元件(2)具有平坦的面(10)，所述平坦的面被所述至少一個(gè)缺口(15)穿過且燒結(jié)層(4)在固定半導(dǎo)體(3)之后抵靠在所述平坦的面上。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，如此設(shè)計(jì)基礎(chǔ)元件(2)，使得所述平坦的面(10)鄰接于基礎(chǔ)元件(2)的、相對(duì)于該面(10)成角度的區(qū)域(11)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在固定之前，在半導(dǎo)體(3)上安置接觸層(5)。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，DCB層或IMS層用作接觸層(5)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，IGBT、二極管或MOSFET被用作半導(dǎo)體(3)。
10.一種半導(dǎo)體布置結(jié)構(gòu)(1)，所述半導(dǎo)體布置結(jié)構(gòu)尤其根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的方法制造，所述半導(dǎo)體布置結(jié)構(gòu)至少具有基礎(chǔ)元件(2)和半導(dǎo)體(3)，其中半導(dǎo)體(3)借助于燒結(jié)層(4)固定在基礎(chǔ)元件(2)上，其特征在于，至少部分地對(duì)基礎(chǔ)元件(2)的、直接抵靠燒結(jié)層(4)的區(qū)域(9)進(jìn)行打孔。