本發(fā)明涉及安裝到電流路徑中的、在流過(guò)超過(guò)額定的電流時(shí)因自身發(fā)熱而熔斷從而阻斷該電流路徑的熔線元件和具有這樣的熔線元件的熔斷器件以及發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件，尤其是，涉及快速熔斷性優(yōu)異、熔斷后的絕緣性優(yōu)異的熔線元件、熔斷器件和發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件。本申請(qǐng)以在2014年9月26日在日本提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)?zhí)卦?014-197630為基礎(chǔ)主張優(yōu)先權(quán)，通過(guò)參照該申請(qǐng)以引用于本申請(qǐng)中。
背景技術(shù)：
：以往，使用在流過(guò)超過(guò)額定的電流時(shí)因自身發(fā)熱而熔斷，從而阻斷該電流路徑的熔線元件。作為熔線元件，例如大多使用將軟釬料封入玻璃管的夾具固定型保險(xiǎn)絲、在陶瓷基板表面印刷Ag電極而成的晶片保險(xiǎn)絲、將銅電極的一部分變細(xì)來(lái)組裝到塑料盒中的螺旋夾型或插入型保險(xiǎn)絲等?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011-82064號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題但是，在上述現(xiàn)有的熔線元件中，被指出有無(wú)法通過(guò)回流來(lái)表面安裝、額定電流低、另外由于大型化而提高額定時(shí)快速熔斷性差這樣的問(wèn)題。此外，在假定用于回流安裝的快速熔斷的熔斷器件時(shí)，一般對(duì)于熔線元件，在熔斷特性上優(yōu)選熔點(diǎn)為300℃以上的加入有Pb的高熔點(diǎn)軟釬料，以使得不會(huì)因回流的熱而熔融。但是，在RoHS指令等中盡可能地限制含Pb軟釬料的使用，今后，據(jù)認(rèn)為無(wú)Pb化的要求會(huì)越來(lái)越強(qiáng)烈。即，作為熔線元件，要求：通過(guò)回流來(lái)表面安裝成為可能且對(duì)熔斷器件的安裝性優(yōu)異、能夠提高額定來(lái)應(yīng)對(duì)大電流、具有在流過(guò)超過(guò)額定的過(guò)電流時(shí)快速地阻斷電流路徑的快速熔斷性。這里，本發(fā)明的目的在于提供一種即使對(duì)于實(shí)現(xiàn)了小型化的熔斷器件，快速熔斷性和熔斷后的絕緣性也優(yōu)異的熔斷器件和熔線元件。用于解決課題的方法為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的熔線元件是構(gòu)成熔斷器件的通電路徑，通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱從而熔斷的熔線元件，與通電方向上的長(zhǎng)度相比，寬度方向上的長(zhǎng)度更大。此外，為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的熔線元件通過(guò)具有凹陷或貫通孔，從而將通電路徑分段。為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的熔斷器件是具有構(gòu)成通電路徑，通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱從而熔斷的熔線元件的熔斷器件，對(duì)于熔線元件，與通電方向上的長(zhǎng)度相比，寬度方向上的長(zhǎng)度更大。此外，為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的熔斷器件通過(guò)在熔線元件中具有凹陷或貫通孔，從而將通電路徑分段。為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件是具有構(gòu)成通電路徑，通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱從而熔斷的熔線元件、和加熱熔線元件并使之熔斷的發(fā)熱體的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件，對(duì)于熔線元件，與通電方向上的長(zhǎng)度相比，寬度方向上的長(zhǎng)度更大。此外，為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件通過(guò)在熔線元件中具有凹陷或貫通孔，從而將通電路徑分段。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，與熔線元件的通電方向上的長(zhǎng)度相比，寬度方向上的長(zhǎng)度更大，因而在寬度方向上變得更容易設(shè)置多個(gè)凹部或貫通孔，此外，通過(guò)設(shè)置凹部或貫通孔而將通電路徑分段，因而因凹部或貫通孔而形成的窄幅部分依次熔斷，從而能夠抑制因自身發(fā)熱而熔融、膨脹所引起的熔線元件爆發(fā)性的飛散等的發(fā)生。由此，使得通過(guò)回流來(lái)表面安裝成為可能，能夠通過(guò)提高額定來(lái)應(yīng)對(duì)大電流，并且，在流過(guò)超過(guò)額定的過(guò)電流時(shí)使得到快速地阻斷電流路徑的快速熔斷性成為可能。附圖說(shuō)明[圖1]圖1是顯示本發(fā)明所應(yīng)用的熔斷器件一例的截面圖。[圖2]圖2是顯示熔線元件一例的立體圖。[圖3]圖3是顯示熔線元件一例的平面圖。[圖4]圖4是顯示本發(fā)明所應(yīng)用的其他熔線元件的在低熔點(diǎn)金屬層的上下交替地層疊多個(gè)高熔點(diǎn)金屬層的例子的截面圖。[圖5]圖5是顯示本發(fā)明所應(yīng)用的其他熔線元件的在低熔點(diǎn)金屬層的上下設(shè)置高熔點(diǎn)金屬層、進(jìn)而在其上下設(shè)置抗氧化膜的例子的截面圖。[圖6]圖6是顯示本發(fā)明所應(yīng)用的其他熔線元件的在低熔點(diǎn)金屬層的上下設(shè)置高熔點(diǎn)金屬層的配置了貫通孔的例子的立體圖。[圖7]圖7是顯示本發(fā)明所應(yīng)用的其他熔線元件的在低熔點(diǎn)金屬層的上下以及保險(xiǎn)絲的寬度方向側(cè)面設(shè)置高熔點(diǎn)金屬層的例子的立體圖。[圖8]圖8是顯示形成了保護(hù)部件的熔線元件的立體圖。[圖9]圖9是顯示將第1實(shí)施方式中的熔線元件的端部彎折而形成端子部的狀態(tài)的立體圖。[圖10]圖10是顯示在將第1實(shí)施方式中的熔線元件的端部彎折而形成端子部狀態(tài)下設(shè)置在絕緣基板上的狀態(tài)的立體圖。[圖11]圖11是顯示將第1實(shí)施方式中的熔線元件的端部彎折而形成端子部的熔斷器件一例的截面圖。[圖12]圖12是顯示第2實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的平面圖。[圖13]圖13是顯示第2實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的立體圖。[圖14]圖14是顯示第3實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的平面圖。[圖15]圖15是顯示第3實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的立體圖。[圖16]圖16是顯示第4實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的平面圖。[圖17]圖17是顯示第4實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的立體圖。[圖18]圖18是顯示第5實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的平面圖。[圖19]圖19是顯示第5實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的立體圖。[圖20]圖20是顯示第6實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的平面圖。[圖21]圖21是顯示第6實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的立體圖。[圖22]圖22是顯示第7實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的截面圖。[圖23]圖23是顯示第7實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的立體圖。[圖24]圖24是顯示第8實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的截面圖。[圖25]圖25是顯示第8實(shí)施方式所涉及的熔線元件一例的立體圖。[圖26]圖26是顯示第8實(shí)施方式所涉及的熔線元件的其他例的立體圖。[圖27]圖27是顯示第9實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件一例的截面圖。[圖28]圖28是顯示第10實(shí)施方式所涉及的熔斷器件一例的分解立體圖。[圖29]圖29是顯示第10實(shí)施方式所涉及的熔斷器件一例的立體圖。[圖30]圖30是顯示第10實(shí)施方式所涉及的熔斷器件一例的截面圖。[圖31]圖31是顯示第11實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的制造工序的立體圖。[圖32]圖32是顯示第11實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的制造工序的立體圖。[圖33]圖33是顯示第11實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的制造工序的立體圖。[圖34]圖34是顯示從表面?zhèn)扔^察第11實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的立體圖。[圖35]圖35是顯示從背面?zhèn)扔^察第11實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的立體圖。[圖36]圖36是顯示改變第11實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的熔線元件的例子的立體圖。[圖37]圖37是顯示改變第11實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的熔線元件的例子的平面圖。[圖38]圖38是顯示第12實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的制造工序的立體圖。[圖39]圖39是顯示第12實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的制造工序的立體圖。[圖40]圖40是顯示從表面?zhèn)扔^察第12實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的立體圖。[圖41]圖41是顯示從背面?zhèn)扔^察第12實(shí)施方式所涉及的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的立體圖。[圖42]圖42是顯示從表面觀察第13實(shí)施方式所涉及的倒裝芯片型的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的立體圖。[圖43]圖43是顯示從背面觀察第13實(shí)施方式所涉及的倒裝芯片型的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的立體圖。[圖44]圖44是顯示第14實(shí)施方式所涉及的倒裝芯片型的熔斷器件的制造工序的立體圖。[圖45]圖45是顯示第14實(shí)施方式所涉及的倒裝芯片型的熔斷器件的制造工序的立體圖。[圖46]圖46是顯示從表面觀察第14實(shí)施方式所涉及的倒裝芯片型的熔斷器件的立體圖。[圖47]圖47是顯示從背面觀察第14實(shí)施方式所涉及的倒裝芯片型的熔斷器件的立體圖。具體實(shí)施方式以下，對(duì)于本發(fā)明所應(yīng)用的熔斷器件、熔線元件和發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件，一邊參照附圖一邊進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明并不僅僅限定于以下的實(shí)施方式，當(dāng)然可以在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變。此外，附圖僅是示意圖，各尺寸的比例等與現(xiàn)實(shí)會(huì)有所不同。具體的尺寸等應(yīng)該參考以下的說(shuō)明來(lái)判斷。此外，當(dāng)然，附圖相互之間也包括相互尺寸關(guān)系、比例不同的部分。[第1實(shí)施方式][熔斷器件]本發(fā)明所涉及的熔斷器件1如圖1所示，具有：絕緣基板2、在絕緣基板2上設(shè)置的第1和第2電極3、4、在第1和第2電極3、4之間安裝的熔線元件5以及覆蓋在設(shè)置有熔線元件5的絕緣基板2的表面2a上的覆蓋部件20，其中，熔線元件5通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱從而熔斷，來(lái)阻斷第1電極3和第2電極4之間的電流路徑。絕緣基板2例如可以由氧化鋁、玻璃陶瓷、莫來(lái)石、氧化鋯等具有絕緣性的部件而形成為方形。此外，絕緣基板2還可以使用玻璃環(huán)氧基板、苯酚基板等用于印刷布線基板的材料。在絕緣基板2的相對(duì)的兩個(gè)端部形成第1、第2電極3、4。第1、第2電極3、4分別由Cu、Ag布線等導(dǎo)電圖案來(lái)形成，在Cu等易于氧化的布線材料時(shí)，在表面適宜地設(shè)置Ni/Au鍍敷、Sn鍍敷等的保護(hù)層6來(lái)作為氧化防止對(duì)策。此外，第1、第2電極3、4從絕緣基板2的表面2a經(jīng)由側(cè)面延伸至背面2b。熔斷器件1經(jīng)由在背面2b形成的第1、第2電極3、4安裝到電路基板的電流路徑中。熔斷器件1是實(shí)現(xiàn)了小型且高額定的熔斷器件，例如，作為絕緣基板2的尺寸為3～4mm×5～6mm程度的小型基板，則可以實(shí)現(xiàn)電阻值為0.5～1mΩ、50～60A額定這樣的高額定化。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明當(dāng)然可以適用于具有任何尺寸、電阻值和額定電流的熔斷器件。需要說(shuō)明的是，熔斷器件1在絕緣基板2的表面2a上安裝有保護(hù)內(nèi)部的同時(shí)防止熔融的熔線元件5飛散的覆蓋部件20。覆蓋部件20具有搭載于絕緣基板2的表面2a上的側(cè)壁20a和構(gòu)成熔斷器件1的上面的頂面20b。該覆蓋部件20可以使用例如熱塑性塑料、陶瓷、玻璃環(huán)氧基板等具有絕緣性的部件來(lái)形成。[熔線元件]在第1和第2電極3、4之間安裝的熔線元件5為，因流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱(焦耳熱)從而熔斷，來(lái)阻斷第1電極3與第2電極4之間的電流路徑。如圖1所示，熔線元件5是由內(nèi)層和外層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)體，具有作為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a和在低熔點(diǎn)金屬層5a上層疊的作為外層的高熔點(diǎn)金屬層5b，形成為大致矩形的板狀。熔線元件5介由軟釬料等接合材料8搭載于第1和第2電極3、4之間后，通過(guò)回流焊接等連接到絕緣基板2上。低熔點(diǎn)金屬層5a優(yōu)選為以Sn為主成分的金屬，即一般被稱為“無(wú)鉛軟釬料”的材料。低熔點(diǎn)金屬層5a的熔點(diǎn)沒(méi)有必要一定比回流爐的溫度高，可以在200℃左右熔融。高熔點(diǎn)金屬層5b是在低熔點(diǎn)金屬層5a的表面層疊的金屬層，例如是Ag或Cu，或是這些中的任一種為主成分的金屬，具有在將熔線元件5經(jīng)回流爐進(jìn)行安裝至絕緣基板2上時(shí)也不熔融的高熔點(diǎn)。熔線元件5通過(guò)在作為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a上層疊作為外層的高熔點(diǎn)金屬層5b，即使在回流溫度超過(guò)低熔點(diǎn)金屬層5a的熔融溫度的情況下，也不至于使熔線元件5熔斷。因此，熔線元件5可以通過(guò)回流而有效地安裝。此外，熔線元件5在低熔點(diǎn)金屬層5a的熔點(diǎn)以上的溫度熔斷，將第1和第2電極3、4之間的電流路徑阻斷。此時(shí)，熔線元件5通過(guò)熔融的低熔點(diǎn)金屬層5a將高熔點(diǎn)金屬層5b侵蝕，由此，高熔點(diǎn)金屬層5b在比高熔點(diǎn)金屬層5s的熔點(diǎn)低的溫度下開(kāi)始熔融。因此，熔線元件5通過(guò)利用低熔點(diǎn)金屬層5a對(duì)高熔點(diǎn)金屬層5b的侵蝕作用而能夠在短時(shí)間內(nèi)熔斷。而且，熔線元件5的熔融金屬通過(guò)第1和第2電極3、4的物理的牽引作用而分離為左右，從而可以快速且確實(shí)地阻斷第1和第2電極3、4之間的電流路徑。此外，如圖2和圖3所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，且構(gòu)成為寬幅結(jié)構(gòu)，即，與通電方向的全長(zhǎng)L相比，與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W(以下也簡(jiǎn)單稱為“寬度W”)更大。需要說(shuō)明的是，圖2和圖3中，用箭頭來(lái)表示通電方向，在以后的附圖中箭頭也同樣表示通電方向。熔線元件5在通電方向的中間部分具有并列的圓形的貫通孔5d、5e。需要說(shuō)明的是，貫通孔5d、5e也可以是非貫通的凹陷，在熔線元件5中設(shè)置凹陷的例子，將由另外的實(shí)施方式來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。此外，貫通孔5d、5e并不限于圓形，也可以是其他形狀，對(duì)于其他形狀的例子，由其他實(shí)施方式來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。此外，熔線元件5的貫通孔、凹陷并不是必須的，也可以通過(guò)將熔線元件的厚度調(diào)整為較薄，而成為平坦的矩形形狀。例如，通過(guò)將熔線元件5的厚度t調(diào)整為熔線元件5的寬度W的1/30以下，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的電流阻斷。進(jìn)而，通過(guò)使熔線元件5的厚度t為熔線元件5的寬度W的1/60以下的比率，適當(dāng)?shù)丶哟笕劬€元件5的寬度W，從而能夠應(yīng)對(duì)50A以上的大電流。這里，通電方向的全長(zhǎng)L是指熔線元件5的熔斷部平面中的通電方向的最大長(zhǎng)度。后文中顯示的彎折端子部，大多附著安裝軟釬料等連接材料，實(shí)質(zhì)上不能作為熔斷部位來(lái)發(fā)揮功能，因此，不作為熔線元件5的通電長(zhǎng)度的對(duì)象。在通電方向的全長(zhǎng)L在熔線元件5上不相同時(shí)，將長(zhǎng)度成為最少的部分作為熔線元件5的通電方向的全長(zhǎng)L。此外，寬度方向的長(zhǎng)度W是指熔線元件5的與通電方向正交的方向上的長(zhǎng)度。寬度方向的長(zhǎng)度W在熔線元件5上為不相同時(shí)，以長(zhǎng)度成為最大的部分作為熔線元件5的寬度方向的長(zhǎng)度W。以下，將使用2個(gè)貫通孔5d、5e在寬度方向上并列的熔線元件5的情況作為示例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。如圖2和圖3所示，構(gòu)成為由2個(gè)貫通孔5d、5e將熔線元件5在寬度方向上分開(kāi)的多個(gè)通電路徑。而且，被2個(gè)貫通孔5d、5e分開(kāi)的多個(gè)窄幅部分5f～5h，如圖3所示，通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱(焦耳熱)從而熔斷。熔線元件5中通過(guò)全部的窄幅部分5f～5h熔斷而將第1、第2電極3、4之間的電流路徑阻斷。熔線元件5通過(guò)具有貫通孔5d、5e而形成并列的多個(gè)窄幅部分5f～5h，因此如果流過(guò)超過(guò)額定的電流，則在電阻值低的窄幅部分流過(guò)較多的電流，會(huì)因自身發(fā)熱而依次熔斷，僅在最后剩余的窄幅部分熔斷時(shí)產(chǎn)生電弧放電。因此，根據(jù)熔線元件5，即使在最后剩余的窄幅部分熔斷時(shí)產(chǎn)生電弧放電，也是相應(yīng)于窄幅部分的體積為小規(guī)模的電弧放電，能夠防止熔融金屬的爆發(fā)性的飛散，也能夠大幅提高熔斷后的絕緣性。此外，由于是熔線元件5中的多個(gè)窄幅部分5f～5h逐一熔斷，各窄幅部分的熔斷所需的熱能少即可，在短時(shí)間內(nèi)即可阻斷。此外，熔線元件5通過(guò)將與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W設(shè)為更大的寬幅結(jié)構(gòu)，因此，能夠確保熔線元件5的體積，同時(shí)使貫通孔5d、5e并列變得容易。此外，熔線元件5在流過(guò)超過(guò)額定的電流、熔斷時(shí)，即使產(chǎn)生電弧放電，也能夠防止熔融的熔線元件大范圍地飛散，因飛散的金屬形成新的電流路徑或飛散的金屬附著在端子、周圍的電子部件等。即，對(duì)于在絕緣基板上的電極端子之間被大范圍地搭載的熔線元件，如果施加超過(guò)額定的電壓而流過(guò)大電流，則整體地發(fā)熱。而且，熔線元件整體熔融并成為凝集狀態(tài)后，會(huì)在產(chǎn)生大規(guī)模電弧放電的同時(shí)熔斷。因此，熔線元件的熔融物會(huì)爆發(fā)性地飛散。因此，會(huì)因飛散的金屬形成新的電流路徑而損害絕緣性，或者，使在絕緣基板上形成的電極端子熔融并飛散，從而有附著到周圍的電子部件等的危險(xiǎn)。而且，這樣的熔線元件在整體凝集后，由于其熔融、阻斷，因此熔斷所需要的熱能也增加，快速熔斷性變差。作為快速阻止電弧放電來(lái)阻斷電路的對(duì)策，還曾提出了在中空殼內(nèi)填充消弧材料、在放熱材料的周圍將熔線元件卷繞成螺旋狀，從而發(fā)生時(shí)延的應(yīng)對(duì)高電壓的電流保險(xiǎn)絲。但是，以往的應(yīng)對(duì)高電壓的電流保險(xiǎn)絲中，消弧材的封入、螺旋保險(xiǎn)絲的制造都需要復(fù)雜的材料、加工工藝，這對(duì)于熔斷器件的小型化、電流的高額定化方面是不利的。需要說(shuō)明的是，為了實(shí)現(xiàn)同樣的效果，也曾考慮將熔線元件在寬度方向上分段，從而將細(xì)長(zhǎng)電阻絲進(jìn)行并列，細(xì)長(zhǎng)電阻絲因劇烈的加熱而熔斷，整體易于飛散，因此，更優(yōu)選具有僅將通電路徑的一部分進(jìn)行分段的2個(gè)貫通孔5d、5e的熔線元件5。即，熔線元件5在將通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的電阻絲體積，因此，能夠首先加熱熔斷2個(gè)貫通孔5d、5e附近，能夠防止熔融金屬的爆發(fā)性的飛散。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d、5e的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在貫通孔5d、5e附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d、5e的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)椋獙⑷劬€元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，如果貫通孔5d、5e的直徑為L(zhǎng)0，則其大小相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則貫通孔5d、5e可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。如上所述的熔線元件5構(gòu)成為在作為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a上層疊高熔點(diǎn)金屬層5b，因此，與以往的由高熔點(diǎn)金屬形成的晶片保險(xiǎn)絲等相比，熔斷溫度可以大幅降低。因此，熔線元件5與相同尺寸的晶片保險(xiǎn)絲等相比，能夠增大截面積、大幅提高額定電流。此外，與具有相同額定電流的以往的晶片保險(xiǎn)絲相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、薄型化，快速熔斷性優(yōu)異。此外，熔線元件5能夠提高組裝有熔斷器件1的電氣系統(tǒng)中瞬間施加異常高的電壓的浪涌的耐性(耐脈沖性)。即，熔線元件5例如在100A的電流流過(guò)數(shù)毫秒時(shí)不會(huì)熔斷。這一點(diǎn)是因?yàn)榕c以往的Pb系熔線元件相比，由Sn和Ag形成的本實(shí)施方式的熔線元件的比電阻降低至約1/4～1/3，以低電阻且在極短時(shí)間內(nèi)流過(guò)的大電流是在導(dǎo)體的表層流動(dòng)(表皮效應(yīng))，而熔線元件5作為外層設(shè)置電阻值低的Ag鍍敷等高熔點(diǎn)金屬層5b，因而易于流過(guò)因施加浪涌導(dǎo)致的電流，防止因自身發(fā)熱而導(dǎo)致的熔斷。因此，熔線元件5與以往的由Pb系軟釬料合金構(gòu)成的保險(xiǎn)絲相比，能夠大幅度提高對(duì)浪涌的耐性。[耐脈沖試驗(yàn)]這里，對(duì)熔斷器件1的耐脈沖試驗(yàn)進(jìn)行說(shuō)明。本試驗(yàn)中，作為熔斷器件，準(zhǔn)備在低熔點(diǎn)金屬箔(Sn96.5/Ag/Cu)的兩面分別實(shí)施厚度4μm的Ag鍍敷的熔線元件(實(shí)施例)以及僅由低熔點(diǎn)金屬箔(Pb90/Sn/Ag)形成的熔線元件(比較例)。實(shí)施例所涉及的熔線元件，其截面積為0.1mm2、全長(zhǎng)L為1.5mm、熔斷器件的電阻為2.4mΩ。比較例所涉及的熔線元件，其截面積為0.15mm2、全長(zhǎng)L為1.5mm、熔斷器件的電阻為2.4mΩ。將這樣的實(shí)施例和比較例所涉及的熔線元件的兩端分別通過(guò)軟釬料連接到在絕緣基板上形成的第1、第2電極之間(參照?qǐng)D1)，以10秒的間隔流過(guò)10毫秒的100A的電流(通電＝10毫秒/關(guān)閉＝10秒)，測(cè)量直至熔斷的脈沖數(shù)。[表1]熔線元件截面積(mm2)長(zhǎng)度(mm)熔斷器件的電阻(mΩ)耐脈沖性(次)實(shí)施例Sn96.5/Ag/Cu+鍍銀0.11.52.43890比較例Pb90/Sn/Ag0.151.52.4412如表1所示，實(shí)施例所涉及的熔線元件耐受了3890次脈沖直至熔斷，而比較例所涉及的熔線元件，截面積與實(shí)施例中的熔線元件相比雖然大，但也只耐受了412次。由此可知，在低熔點(diǎn)金屬層上層疊有高熔點(diǎn)金屬層而成的熔線元件能大幅提高耐脈沖性。需要說(shuō)明的是，熔線元件5優(yōu)選低熔點(diǎn)金屬層5a的體積比高熔點(diǎn)金屬層5b的體積大。熔線元件5通過(guò)增大低熔點(diǎn)金屬層5a的體積，從而能夠有效地進(jìn)行因高熔點(diǎn)金屬層5b的侵蝕而在短時(shí)間內(nèi)發(fā)生的熔斷。具體而言，熔線元件5是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層5a、外層為高熔點(diǎn)金屬層5b的被覆結(jié)構(gòu)，低熔點(diǎn)金屬層5a與高熔點(diǎn)金屬層5b的層厚比，甚至可以為低熔點(diǎn)金屬層:高熔點(diǎn)金屬層＝2.1:1～100:1。由此，可以確實(shí)地使得低熔點(diǎn)金屬層5a的體積比高熔點(diǎn)金屬層5b的體積大，能夠有效地進(jìn)行因高熔點(diǎn)金屬層5b的侵蝕而在短時(shí)間內(nèi)發(fā)生的熔斷。即，熔線元件5由于在構(gòu)成內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a的上下面層疊有高熔點(diǎn)金屬層5b，因而層厚比若為低熔點(diǎn)金屬層:高熔點(diǎn)金屬層＝2.1:1以上，則低熔點(diǎn)金屬層5a越厚則低熔點(diǎn)金屬層5a的體積比高熔點(diǎn)金屬層5b的體積大。此外，熔線元件5，其層厚比如果超過(guò)低熔點(diǎn)金屬層:高熔點(diǎn)金屬層＝100:1，則低熔點(diǎn)金屬層5a變厚、高熔點(diǎn)金屬層5b變薄，高熔點(diǎn)金屬層5b會(huì)有被因回流安裝時(shí)的熱而熔融的低熔點(diǎn)金屬層5a侵蝕的危險(xiǎn)。所涉及的膜厚范圍，是通過(guò)準(zhǔn)備改變膜厚的多個(gè)熔線元件的樣品，介由軟釬料糊搭載在第1和第2電極3、4上之后，放置在與回流相當(dāng)?shù)?60℃的溫度，觀察熔線元件不熔斷的狀態(tài)來(lái)求出的。對(duì)于在100μm厚的低熔點(diǎn)金屬層5a(Sn96.5/Ag/Cu)的上下面，形成厚度1μm的Ag鍍敷層的熔線元件，在260℃的溫度下，Ag鍍敷熔融，不能維持保險(xiǎn)絲的形狀。如果考慮到通過(guò)回流的表面安裝，相對(duì)于100μm厚的低熔點(diǎn)金屬層5a，確認(rèn)了高熔點(diǎn)金屬層5b的厚度如果為3μm以上，則即使通過(guò)回流的表面安裝也能確實(shí)地維持形狀。需要說(shuō)明的是，如果作為高熔點(diǎn)金屬使用Cu時(shí)，厚度如果為0.5μm以上，則即使通過(guò)回流的表面安裝也能確實(shí)地維持形狀。此外，通過(guò)對(duì)高熔點(diǎn)金屬層采用Cu來(lái)減輕侵蝕性，對(duì)低熔點(diǎn)金屬層的材料采用Sn/Bi、In/Sn等熔點(diǎn)低的合金來(lái)降低Sn含有量，由此，甚至使得低熔點(diǎn)金屬層:高熔點(diǎn)金屬層＝100:1成為可能。需要說(shuō)明的是，低熔點(diǎn)金屬層5a的厚度，如果考慮到擴(kuò)散至對(duì)高熔點(diǎn)金屬層5b的侵蝕并快速熔斷，雖然隨著熔線元件的尺寸的不同而不同，但一般優(yōu)選為30μm以上。[制造方法]熔線元件5可以通過(guò)在低熔點(diǎn)金屬層5a的表面采用鍍敷技術(shù)使高熔點(diǎn)金屬層5b成膜來(lái)制造。熔線元件5可以通過(guò)例如在長(zhǎng)條狀的軟釬料箔的表面實(shí)施Ag鍍敷來(lái)效率良好地制造，使用時(shí)根據(jù)尺寸來(lái)切斷，易于使用。此外，熔線元件5還可以通過(guò)將低熔點(diǎn)金屬箔與高熔點(diǎn)金屬箔貼合在一起來(lái)制造。熔線元件5可以通過(guò)例如在軋制的2張Cu箔或Ag箔之間夾入同樣軋制的軟釬料箔來(lái)進(jìn)行沖壓而制造。這種情況下，低熔點(diǎn)金屬箔優(yōu)選選擇比高熔點(diǎn)金屬箔更柔軟的材料。由此，能夠吸收厚度的不均，使得低熔點(diǎn)金屬箔和高熔點(diǎn)金屬箔無(wú)間隙地密合。此外，由于是將低熔點(diǎn)金屬箔經(jīng)過(guò)沖壓來(lái)使膜厚變薄，因此達(dá)到預(yù)定的膜厚即可。低熔點(diǎn)金屬箔由于沖壓從熔線元件端面突出來(lái)時(shí)，優(yōu)選通過(guò)剪切來(lái)整齊形狀。此外，熔線元件5可以采用蒸鍍等薄膜形成技術(shù)、其他公知的層疊技術(shù)，形成在低熔點(diǎn)金屬層5a上層疊有高熔點(diǎn)金屬層5b的熔線元件5。此外，熔線元件5還可以如圖4所示，將低熔點(diǎn)金屬層5a與高熔點(diǎn)金屬層5b交替地形成多個(gè)層。這種情況下，作為最外層可以是低熔點(diǎn)金屬層5a和高熔點(diǎn)金屬層5b中的任一種，但優(yōu)選為低熔點(diǎn)金屬層20a。最外層為低熔點(diǎn)金屬層20a時(shí)，在熔融過(guò)程中，高熔點(diǎn)金屬層21a從兩面受到因低熔點(diǎn)金屬層20a的侵蝕，能夠效率良好地在短時(shí)間內(nèi)熔斷。最外層的低熔點(diǎn)金屬層20a還可以通過(guò)在熔線元件的安裝時(shí)在熔線元件的表面/背面適量涂布軟釬料糊，通過(guò)回流加熱在與電極連接的同時(shí)進(jìn)行涂覆。此外，熔線元件5，如圖5所示，在將高熔點(diǎn)金屬層5b作為最外層時(shí)，可以進(jìn)一步在該最外層的高熔點(diǎn)金屬層5b的表面形成抗氧化膜7。熔線元件5通過(guò)進(jìn)一步由抗氧化膜7被覆最外層的高熔點(diǎn)金屬層5b，即使例如作為高熔點(diǎn)金屬層5b形成Cu鍍敷、Cu箔的情況下，也能夠防止Cu的氧化。因此，熔線元件5能夠防止因Cu的氧化所引起的熔斷時(shí)間變長(zhǎng)的事態(tài)的發(fā)生，能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行熔斷。此外，作為高熔點(diǎn)金屬層5b可以使用Cu等廉價(jià)但易于氧化的金屬，而不使用Ag等高價(jià)的材料來(lái)形成熔線元件5。高熔點(diǎn)金屬的抗氧化膜7可以采用與內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a相同的材料，例如可以使用以Sn為主成分的無(wú)Pb軟釬料。此外，抗氧化膜7可以通過(guò)在高熔點(diǎn)金屬層5b的表面實(shí)施鍍錫來(lái)形成。此外，抗氧化膜7還可以通過(guò)鍍Au、有機(jī)防氧化保焊劑來(lái)形成。此外，熔線元件5還可以如圖6所示，在低熔點(diǎn)金屬層5a的上面和背面層疊高熔點(diǎn)金屬層5b，或者，如圖7所示，也可以除了低熔點(diǎn)金屬層5a相對(duì)的2個(gè)端面之外，外周部由高熔點(diǎn)金屬層5b被覆。即，可以是通電方向的側(cè)面被高熔點(diǎn)金屬層5b覆蓋。圖6中所示的熔線元件5，低熔點(diǎn)金屬層5a從側(cè)面露出，因此會(huì)有低熔點(diǎn)金屬熔融而流出到外部的危險(xiǎn)，存在損害熔斷器件1的功能的可能性。但是，通過(guò)如圖7所示的熔線元件5這樣的結(jié)構(gòu)，能夠減小低熔點(diǎn)金屬熔融而流出到外部的危險(xiǎn)，使得保持熔斷器件1的功能成為可能。此外，熔線元件5如圖8所示，還可以在外周的至少一部分設(shè)置保護(hù)部件10。保護(hù)部件10防止熔線元件5的回流安裝時(shí)連接用軟釬料的流入、內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a的流出，并維持形狀，同時(shí)，即使流過(guò)超過(guò)額定的電流時(shí)，也防止熔融軟釬料的流入，防止因額定上升而導(dǎo)致的快速熔斷性的下降。即，熔線元件5通過(guò)在外周設(shè)置保護(hù)部件10，能夠防止在回流溫度下熔融的低熔點(diǎn)金屬層5a的流出，維持保險(xiǎn)絲的形狀。尤其是，對(duì)于在低熔點(diǎn)金屬層5a的上面和下面層疊有高熔點(diǎn)金屬層5b、從側(cè)面露出低熔點(diǎn)金屬層5a的熔線元件5而言，通過(guò)在外周部設(shè)置保護(hù)部件10，能夠防止低熔點(diǎn)金屬?gòu)脑搨?cè)面的流出，維持形狀。此外，通過(guò)在外周設(shè)置保護(hù)部件10，熔線元件5在流過(guò)超過(guò)額定的電流時(shí)，能夠防止熔融軟釬料的流入。熔線元件5在由軟釬料連接到第1、第2電極3、4上時(shí)，會(huì)有因流過(guò)超過(guò)額定的電流時(shí)的發(fā)熱從而使與第1、第2電極連接用的軟釬料、構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層5a的金屬熔融，流入到應(yīng)該熔斷的熔線元件5的中央部的危險(xiǎn)。熔線元件5如果流入軟釬料等熔融金屬，則會(huì)有電阻值下降，阻礙發(fā)熱，在規(guī)定電流值下不熔斷或熔斷時(shí)間延長(zhǎng)，或者熔斷后損害第1、第2電極3、4之間的絕緣可靠性的危險(xiǎn)。這里，熔線元件5通過(guò)在外周設(shè)置保護(hù)部件10，能夠防止熔融金屬的流入，使電阻值固定，在規(guī)定電流值下快速熔斷，且能夠確保第1、第2電極3、4之間的絕緣可靠性。因此，作為保護(hù)部件10，優(yōu)選具有絕緣性、回流溫度時(shí)的耐熱性，且對(duì)于熔融軟釬料等具有抗蝕性的材料。例如，保護(hù)部件10可以使用聚酰亞胺膜，如圖8所示，通過(guò)用粘接劑11貼附到帶狀的熔線元件5的中央部來(lái)形成。此外，保護(hù)部件10可以通過(guò)將具有絕緣性、耐熱性、抗蝕性的油墨涂布到熔線元件5的外周來(lái)形成?；蛘?，保護(hù)部件10可以通過(guò)使用阻焊劑涂布到熔線元件5的外周來(lái)形成。上述的由膜、油墨、阻焊劑等形成的保護(hù)部件10可以通過(guò)在長(zhǎng)條狀的熔線元件5的外周貼附或涂布來(lái)形成，另外，使用時(shí)只要將設(shè)置有保護(hù)部件10的熔線元件5切斷即可，操作性優(yōu)異。此外，如圖6和圖7所示，作為熔線元件5中設(shè)置貫通孔5d、5e的方法，可以由穿孔機(jī)進(jìn)行穿孔來(lái)進(jìn)行開(kāi)孔加工，也可以利用具有銳利的前端部分的打孔器等來(lái)進(jìn)行開(kāi)孔加工。此外，也可以利用沖壓加工來(lái)進(jìn)行開(kāi)孔加工，也可以采用由切斷機(jī)等進(jìn)行切斷的方法。即，可以適宜地采用對(duì)于熔線元件5進(jìn)行開(kāi)孔的各種公知的加工方法。[安裝狀態(tài)]接著，對(duì)熔線元件5的安裝狀態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，熔斷器件1要使得熔線元件5從絕緣基板2的表面2a分隔開(kāi)來(lái)安裝。由此，熔斷器件1在流過(guò)超過(guò)額定的電流時(shí)，在第1、第2電極3、4之間的熔線元件5的熔融金屬不會(huì)附著到絕緣基板2的表面2a上，能夠確實(shí)地阻斷電流路徑。而另一方面，對(duì)于將熔線元件通過(guò)印刷形成在絕緣基板的表面等熔線元件與絕緣基板的表面接觸的熔斷器件，在第1、第2電極間的熔線元件的熔融金屬附著在絕緣基板上，產(chǎn)生泄漏。例如，在通過(guò)將Ag糊印刷到陶瓷基板上來(lái)形成熔線元件的熔斷器件中，陶瓷與Ag燒結(jié)而陷入，殘留在第1、第2電極之間。因此，因該殘留物導(dǎo)致在第1、第2電極之間流過(guò)泄漏電流，不能完全阻斷電流路徑。就這點(diǎn)而言，熔斷器件1中，在與絕緣基板2不同的單體上形成熔線元件5，且從絕緣基板2的表面2a分隔開(kāi)來(lái)安裝。因此，熔斷器件1即使在熔線元件5熔融時(shí)，熔融金屬也不會(huì)陷入到絕緣基板2而被拉向第1、第2電極上，能夠確實(shí)地使第1、第2電極間絕緣。[助焊劑涂覆]此外，熔線元件5為了防止外層的高熔點(diǎn)金屬層5b或低熔點(diǎn)金屬層5a的氧化，并去除熔斷時(shí)的氧化物和提高軟釬料的流動(dòng)性，如圖1所示，還可以在熔線元件5上的外層的幾乎整個(gè)面上涂布助焊劑17。通過(guò)涂布助焊劑17，能夠提高低熔點(diǎn)金屬(例如軟釬料)的潤(rùn)濕性，同時(shí)能除去低熔點(diǎn)金屬熔融時(shí)的氧化物，能夠通過(guò)對(duì)高熔點(diǎn)金屬(例如Ag)的侵蝕作用來(lái)提高快速熔斷性。此外，通過(guò)涂布助焊劑17，即使在最外層的高熔點(diǎn)金屬層5b的表面形成以Sn為主成分的無(wú)Pb軟釬料等的抗氧化膜7的情況下，也能除去該抗氧化膜7的氧化物，有效地防止高熔點(diǎn)金屬層5b的氧化，能夠維持、提高快速熔斷性。此外，助焊劑17還抑制因電流阻斷時(shí)的電弧放電所引起的熔融飛散物對(duì)絕緣基板表面、保護(hù)部件表面的附著，抑制絕緣電阻的下降。這樣的熔線元件5可以如上所述那樣通過(guò)施加回流軟釬料來(lái)連接到第1、第2電極3、4上，除此之外，還可以通過(guò)超聲波焊接將熔線元件5連接到第1、第2電極3、4上。[熔斷順序的控制]熔斷器件1能夠使得熔線元件5的各貫通孔5d之間依次熔斷。例如，熔線元件5通過(guò)使多個(gè)通電路徑中的中央附近的一部分的截面積小于其他窄幅部分的截面積，來(lái)進(jìn)行相對(duì)的高電阻化，由此，如果流過(guò)超過(guò)額定的電流，首先從比較低電阻的部分流過(guò)更多的電流并熔斷。該熔斷是因自身發(fā)熱所致，而沒(méi)有伴隨電弧放電，因此不會(huì)產(chǎn)生熔融金屬的爆發(fā)性的飛散。之后，電流集中于剩余的該被高電阻化的部分，最后伴隨著電弧放電而熔斷。由此，熔線元件5可以使由各貫通孔5d、5e分開(kāi)的窄幅部分5f～5h依次熔斷。熔線元件5中，截面積小的部分的熔斷時(shí)盡管發(fā)生電弧放電，但對(duì)應(yīng)于該部分的體積是小規(guī)模的，因而能夠防止熔融金屬的爆發(fā)性的飛散。此時(shí)，熔斷器件1在最初熔斷的比較低電阻的部分和與該部分相鄰的窄幅部分之間還可以設(shè)置絕緣部。這種情況可以通過(guò)絕緣部來(lái)防止因熔線元件5自身發(fā)熱引起的膨脹而導(dǎo)致的相鄰的窄幅部分彼此接觸、凝集。由此，熔斷器件1在使窄幅部分以規(guī)定熔斷順序熔斷的同時(shí)，還能防止因相鄰的窄幅部分彼此一體化而導(dǎo)致的熔斷時(shí)間的增加、因電弧放電的大規(guī)模化而導(dǎo)致的絕緣性的下降。具體而言，在圖3所示的搭載了由3個(gè)窄幅部分5f～5h形成的熔線元件5的熔斷器件1中，通過(guò)相對(duì)地減小中間的窄幅部分5g的截面積而高電阻化，在從外側(cè)的窄幅部分5f、5hC優(yōu)先地流過(guò)較多的電流而熔斷后，最后使中間的窄幅部分5g熔斷。此時(shí)，熔斷器件1通過(guò)在與窄幅部分5f、5h之間和窄幅部分5g、5h之間的貫通孔5e，5d中分別設(shè)置絕緣部，由此，即使窄幅部分5f、7h因自身發(fā)熱而熔融時(shí)，也不會(huì)與相鄰的窄幅部分5g接觸，而在短時(shí)間內(nèi)熔斷，同時(shí)，窄幅部分5g最后熔斷。此外，截面積小的窄幅部分5g不與相鄰的窄幅部分5f、5h接觸，熔斷時(shí)的電弧放電也限制在小規(guī)模。需要說(shuō)明的是，熔線元件5在設(shè)置2個(gè)以上的貫通孔5d、5e時(shí)，優(yōu)選外側(cè)的窄幅部分最初熔斷，內(nèi)側(cè)的窄幅部分最后熔斷。例如，如圖3所示，熔線元件5優(yōu)選設(shè)置3個(gè)窄幅部分5f、5g、5h，同時(shí)使中間的窄幅部分5g最后熔斷。如上所述，如果熔線元件5中流過(guò)超過(guò)額定的電流，則首先在外側(cè)設(shè)置的2個(gè)窄幅部分5f、5h中流過(guò)較多的電流，會(huì)因自身發(fā)熱而熔斷。這樣的窄幅部分5f、5h的熔斷是因自身發(fā)熱所導(dǎo)致的，不會(huì)伴隨著電弧放電，因此，熔融金屬也不會(huì)爆發(fā)性地飛散。接著，電流集中于設(shè)置在內(nèi)側(cè)的窄幅部分5g，伴隨著電弧放電的同時(shí)發(fā)生熔斷。這時(shí)，熔線元件5通過(guò)在內(nèi)側(cè)設(shè)置的窄幅部分5g最后熔斷，即使發(fā)生電弧放電，也能抑制窄幅部分5g的熔融金屬的飛散，防止因熔融金屬所導(dǎo)致的短路等。此時(shí)，也可以使熔線元件5的3個(gè)窄幅部分5f～5h中的位于內(nèi)側(cè)的中間的窄幅部分5g的截面積小于位于外側(cè)的其他窄幅部分5f、5h的截面積，從而相對(duì)的高電阻化，由此使得中間的窄幅部分5g最后熔斷。這種情況下，由于通過(guò)使截面積相對(duì)減小而最后熔斷，因此電弧放電也是對(duì)應(yīng)于窄幅部分5g的體積而成為小規(guī)模，能夠更加抑制熔融金屬的爆發(fā)性的飛散。[端子部]這里，熔線元件5如圖9所示，將通電方向的兩端向著電路基板側(cè)彎折90度，就可將該端面作為端子部30。在將搭載了熔線元件5的熔斷器件1安裝于電路基板時(shí)，端子部30就與在該電路基板上形成的連接端子直接連接，如圖9所示，形成在通電方向的兩端。而且，如圖10和圖11所示，通過(guò)將熔斷器件1安裝到電路基板上，端子部30介由軟釬料等與在電路基板上形成的連接端子相連接。熔斷器件1通過(guò)介由在熔線元件5中形成的端子部30與電路基板導(dǎo)通連接，使得器件整體的電阻值下降，可以實(shí)現(xiàn)小型化且高額定化。即，熔斷器件1在絕緣基板2的背面2b設(shè)置與電路基板連接用的電極，同時(shí)介由填充有導(dǎo)電糊的通孔等與第1、第2電極3、4進(jìn)行連接的情況下，即使通過(guò)對(duì)通孔、城齒孔(Castellation)的孔徑、孔數(shù)的限制或?qū)?dǎo)電糊的電阻率、膜厚的限制，也難以實(shí)現(xiàn)熔線元件的電阻值以下的電阻值，高額定化變得困難。這里，熔斷器件1在熔線元件5形成端子部30。而且，熔斷器件1如圖圖10和圖11所示，通過(guò)安裝在電路基板上，端子部30與電路基板的連接端子直接連接。由此，熔斷器件1可以防止因介入導(dǎo)電通孔而導(dǎo)致的高電阻化，可以由熔線元件5來(lái)決定器件的額定，在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高額定化。此外，熔斷器件1通過(guò)在熔線元件5中形成端子部30，就不再需要在絕緣基板2的背面2b形成用于與電路基板連接的電極，僅在表面2a形成第1、第2電極3、4即可，能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序數(shù)量的減少。此外，作為在熔線元件5中形成端子部30的方法，可以通過(guò)利用沖壓機(jī)等的擠壓來(lái)將兩側(cè)邊緣部彎折來(lái)制造。此外，設(shè)置了端子部30的熔線元件5，通過(guò)利用用于形成貫通孔5e、5f的沖壓加工中，從而可以與開(kāi)孔加工同時(shí)進(jìn)行彎折加工。需要說(shuō)明的是，熔斷器件1在采用設(shè)置端子部30并具有多個(gè)貫通孔5d、5e的熔線元件5時(shí)，在絕緣基板2上也可以不設(shè)置第1、第2電極3、4。這種情況下，絕緣基板2由于要用于將熔線元件5的熱散熱，適宜地使用熱傳導(dǎo)性良好的陶瓷基板。此外，作為將熔線元件5連接到絕緣基板2的粘接劑，可以不具有導(dǎo)電性，優(yōu)選熱傳導(dǎo)性優(yōu)異。[熔斷器件的制造工序]使用熔線元件5的熔斷器件1通過(guò)以下的工序來(lái)制造。搭載有熔線元件5的絕緣基板2，在其表面2a形成第1、第2電極3、4。第1、第2電極3、4與熔線元件5通過(guò)焊接等來(lái)連接。由此，通過(guò)將熔斷器件1安裝到電路基板中，從而使熔線元件5串聯(lián)地組裝到在電路基板上形成的電路中。熔線元件5介由軟釬料等接合材料搭載于第1、第2電極3、4之間，通過(guò)回流安裝來(lái)進(jìn)行連接。在將以往的Pb系軟釬料(熔點(diǎn)300℃左右)作為熔線元件時(shí)，如果用Sn系軟釬料(熔點(diǎn)220℃左右)來(lái)安裝，則在250℃左右的回流溫度下，Sn和Pb會(huì)合金化而熔線元件熔斷，因此，必須使用Sn比率較少且熔點(diǎn)高的Pb系軟釬料。但是，通過(guò)采用低熔點(diǎn)金屬層與高熔點(diǎn)金屬層的層疊保險(xiǎn)絲，即使用Sn系軟釬料(熔點(diǎn)220℃左右)進(jìn)行安裝，熔線元件也不會(huì)熔斷，能夠?qū)崿F(xiàn)安裝工藝的低溫化，并實(shí)現(xiàn)無(wú)Pb化。此外，如圖1所示，在熔線元件5上設(shè)置助焊劑17。通過(guò)設(shè)置助焊劑17，能夠防止熔線元件5的氧化，實(shí)現(xiàn)潤(rùn)濕性的提高，能夠快速地使其熔斷。此外，通過(guò)設(shè)置助焊劑5，能夠抑制因電弧放電所導(dǎo)致的熔融金屬對(duì)絕緣基板2的附著，提高熔斷后的絕緣性。[第2實(shí)施方式][熔線元件]需要說(shuō)明的是，以下對(duì)于熔線元件5的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，因而未特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。如圖12和圖13所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部向著電路基板側(cè)彎折的端子部30。熔線元件5具有在熔線元件的寬度方向的側(cè)面并列的貫通孔5d、5e，開(kāi)口形狀為大致半圓形。即，貫通孔5d、5e成為在熔線元件5的寬度方向的側(cè)面露出的狀態(tài)。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d、5e的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。貫通孔5d、5e附近由于與其他實(shí)施方式同樣地最早被熔斷，為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，為了切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的大致略中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d、5e的位置優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體的大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，對(duì)于貫通孔5d、5e的大小，如果熔線元件5的通電方向上的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)0，則相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)椋绻c此相比變得更大，則貫通孔5d、5e可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。熔線元件5在貫通孔5d、5e之間具有窄幅部分5g，在因通電電流而熔斷時(shí)，從窄幅部分5g發(fā)生熔斷。[第3實(shí)施方式][熔線元件]接著，對(duì)熔線元件5的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，因而未特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。此外，如圖14和圖15所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部向著電路基板側(cè)彎折的端子部30。熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向并列的圓形的貫通孔5d1、5e1以及貫通孔5d2、5e2。貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2分別在熔線元件5的通電方向上以規(guī)定間隔設(shè)置。貫通孔5d1、5d2在通電方向上并列，貫通孔5e1、5e2在通電方向上并列。即、對(duì)于熔線元件5而言，可以說(shuō)貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2并列成陣列狀。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d1、5e1以及貫通孔5d2、5e2的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。在貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2附近，如上所述，最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，對(duì)于貫通孔5d1、5d2的大小，如果滿足各自直徑與貫通孔5d1、5d2之間間隔的大小，即熔線元件5的通電方向的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)0，則相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)椋绻c此相比變得更大，則通孔5d1、5d2可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。此外，貫通孔5e1、5e2的大小因能夠與貫通孔5d1、5d2的大小同樣地定義，因此省略其說(shuō)明。熔線元件5在貫通孔5d1、5e1之間和貫通孔5d2、5e2之間分別具有窄幅部分5g，在貫通孔5d1、5d2的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在貫通孔5e1、5e2的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5在熔線元件5的通電方向具有多個(gè)窄幅部分，與僅由1列并列的第1實(shí)施方式相比，能夠在多個(gè)部位更精確地控制熔線元件5的熔斷位置。[第4實(shí)施方式][熔線元件]接著，對(duì)熔線元件5的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，因而未特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。如圖16和圖17所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部向著電路基板側(cè)彎折的端子部30。熔線元件5在通電方向的中間部分具有在熔線元件5的寬度方向并列的圓形的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2。貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2分別在熔線元件5的通電方向上以規(guī)定的間隔設(shè)置。貫通孔5d1、5d2并列為相對(duì)于通電方向中心位置偏移，貫通孔5e1、5e2并列為相對(duì)于通電方向中心位置偏移。更具體而言，熔線元件5中貫通孔5d1、5d2和貫通孔5e1、5e2分別并列但在通電方向上不重疊。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，對(duì)于貫通孔5d1、5d2的大小，如果將包括貫通孔5d1、5d2的通電方向上的最大長(zhǎng)度設(shè)定為L(zhǎng)0，則相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則貫通孔5d1、5d2可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。此外，貫通孔5e1、5e2的大小因能夠與貫通孔5d1、5d2的大小同樣地定義，因此省略其說(shuō)明。熔線元件5在貫通孔5d2、5e1之間具有窄幅部分5g，在貫通孔5d1的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在貫通孔5e2的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5在熔線元件5的通電方向具有多個(gè)窄幅部分，與僅由1列并列的第1實(shí)施方式相比，能夠在多個(gè)部位更精確地控制熔線元件5的熔斷位置。[第5實(shí)施方式][熔線元件]以下，對(duì)熔線元件5的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，因而未特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。如圖18和圖19所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部向著電路基板側(cè)彎折的端子部30。熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向上并列的矩形的貫通孔5d、5e。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d、5e的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在貫通孔5d、5e附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d、5e的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，對(duì)于貫通孔5d、5e的大小，如果矩形的通電方向的一邊的長(zhǎng)度、即通電方向的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)0，相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則貫通孔5d、5e可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。熔線元件5在貫通孔5d、5e之間具有窄幅部分5g，在貫通孔5d的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在貫通孔5e的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。[第6實(shí)施方式][熔線元件]以下，對(duì)熔線元件5的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，因而未特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。如圖20和圖21所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部向著電路基板側(cè)彎折的端子部30。熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向上并列的菱形貫通孔5d、5e。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d、5e的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，貫通孔5d、5e附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的長(zhǎng)度L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d、5e的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，對(duì)于貫通孔5d、5e的大小，如果通電方向的菱形的對(duì)角線的長(zhǎng)度、即通電方向的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)0，相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則貫通孔5d、5e可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。熔線元件5在貫通孔5d、5e之間，即寬度方向的菱形的頂點(diǎn)間具有窄幅部分5g，在貫通孔5d的熔線元件5的寬度方向的菱形的頂點(diǎn)的外側(cè)具有窄幅部分5f，在貫通孔5e的熔線元件5的寬度方向的菱形的頂點(diǎn)的外側(cè)具有窄幅部分5h。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5可以得到與第1實(shí)施方式同等的效果。[第7實(shí)施方式][熔線元件]以下，對(duì)熔線元件5的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，因而未特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。如圖22和圖23所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部向著電路基板側(cè)彎折的端子部30。熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向并列的圓形凹陷部5d3、5e3。凹陷部5d3、5e3是使熔線元件5不貫通的結(jié)構(gòu)。具體而言，是將低熔點(diǎn)金屬層5a擠出而僅由高熔點(diǎn)金屬層5b形成的擂缽狀的結(jié)構(gòu)。凹陷部5d3、5e3可以簡(jiǎn)單地通過(guò)利用前端不銳利的打孔器等對(duì)熔線元件5進(jìn)行擠壓來(lái)形成。此外，凹陷部5d3、5e3與貫通孔的形成相比，可以確實(shí)地以簡(jiǎn)單的工序來(lái)形成。[凹陷部]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的凹陷部5d3，5e3的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在凹陷部5d3，5e3附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置凹陷部5d3、5e3的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)椋獙⑷劬€元件5的主通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。需要說(shuō)明的是，凹陷部5d3、5e3構(gòu)成通電路徑、即為僅由高熔點(diǎn)金屬層5b形成的區(qū)域。只是，考慮到該熔線元件5的特性，即，低熔點(diǎn)金屬層5a由于通電而首先開(kāi)始熔融，在第7實(shí)施方式中，將具有低熔點(diǎn)金屬層5a的層疊結(jié)構(gòu)部分定義為主通電路徑，與凹陷部5d3、5e3的通電路徑相區(qū)別。此外，關(guān)于凹陷部5d3、5e3的大小，凹陷部5d3、5e3的直徑、即通電方向的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)0，相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則開(kāi)孔加工(凹陷加工)變得困難的同時(shí)，貫通孔5d、5e可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。熔線元件5在凹陷部5d3、5e3之間具有窄幅部分5g，在凹陷部5d3的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在凹陷部5e3的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5，在凹陷部5d3、5e3中如果進(jìn)行通電，則低熔點(diǎn)金屬層5a會(huì)由于高熔點(diǎn)金屬層5b而分離，因此，作為熔線元件5整體不會(huì)爆發(fā)性地熔融，而在主通電路徑一同熔斷，能夠?qū)崿F(xiàn)與第1實(shí)施方式同等的效果。[第8實(shí)施方式][熔線元件]接下來(lái)，對(duì)熔線元件5的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，因而未特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。如圖24和圖25所示，熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部向著電路基板側(cè)彎折的端子部30。熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向上并列的矩形的切割貫通孔5d4、5e4。切割貫通孔5d4、5e4具有矩形的開(kāi)口，可以通過(guò)在熔線元件5的中央部切割出三個(gè)邊，并使熔線元件5的一部分翹起來(lái)形成。切割貫通孔5d4、5e4可以與形成端子部30的沖壓加工同時(shí)切割出三個(gè)邊，并將該區(qū)域翹起來(lái)形成，因而可以容易地進(jìn)行加工。對(duì)于切割貫通孔5d4、5e4確定翹起的方向，以使得在熔線元件5的寬度方向上露出切口。[切割貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的切割貫通孔5d4、5e4的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在切割貫通孔5d4、5e4附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置切割貫通孔5d4、5e4的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)椋獙⑷劬€元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，關(guān)于切割貫通孔5d4、5e4的大小，矩形在通電方向上的一邊的長(zhǎng)度、即通電方向的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)0，相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)椋绻c此相比變得更大，則切割貫通孔5d4、5e4可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。熔線元件5在切割貫通孔5d4、5e4之間具有窄幅部分5g，在切割貫通孔5d4的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在切割貫通孔5e4的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5，可以由更簡(jiǎn)單的加工方法來(lái)制造，能夠?qū)崿F(xiàn)與第1實(shí)施方式同等的效果。此外，切割貫通孔5d4、5e4還可以如圖26所示，確定翹起的方向使得切口在熔線元件5的通電方向上露出。即，可以將圖25中說(shuō)明的切割貫通孔5d4、5e4的切割位置和翹起方向旋轉(zhuǎn)90度。[第9實(shí)施方式][發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所涉及的熔斷器件1對(duì)于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件也可適用。具體而言，圖27所示，發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100具有：絕緣基板2，在絕緣基板2上層疊的被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14，在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14相重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16，在兩端具有端子部30、通過(guò)軟釬料糊等接合材料8將端子部30連接到電路基板上的電路圖案且中央部連接至發(fā)熱體引出電極16的熔線元件5，設(shè)置在熔線元件5之上、在除去在熔線元件5上產(chǎn)生的氧化膜的同時(shí)提高熔線元件5的潤(rùn)濕性的多個(gè)助焊劑17，以及成為覆蓋熔線元件5的外裝體的覆蓋部件20。對(duì)于熔線元件5的結(jié)構(gòu)，由于是與第1實(shí)施方式中說(shuō)明的、具有端子部30的情況大致相同，省略其詳細(xì)說(shuō)明，但設(shè)置貫通孔5d的位置優(yōu)選為從發(fā)熱體引出電極16的端部向著橋接部、即端子部30側(cè)跨過(guò)。此外，通過(guò)調(diào)整熔線元件5的厚度t，也可以不具有貫通孔。如圖27所示，熔線元件5是由內(nèi)層和外層形成的層疊結(jié)構(gòu)體，具有作為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a和在低熔點(diǎn)金屬層5a上層疊的作為外層的高熔點(diǎn)金屬層5b，形成為大致矩形板狀。熔線元件5介由軟釬料等接合材料8連接到電路基板上的電路圖案中。此外，雖未圖示，但還可以介由軟釬料等接合材料8與設(shè)置在絕緣基板的通電方向的兩端的電極相連接。這種情況下，經(jīng)由絕緣基板使端子部的熱散熱，由此能夠降低額定通電時(shí)的素子表面溫度，能夠較高地設(shè)定額定電流。發(fā)熱體14是電阻值比較高且如果通電就會(huì)發(fā)熱的具有導(dǎo)電性的部件，例如由W、Mo、Ru等形成。將這些合金或組合物、化合物的粉狀體與樹(shù)脂粘合劑等混合成為糊狀，并使用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將該糊狀物在絕緣基板2上形成圖案，經(jīng)燒成等形成。配置覆蓋發(fā)熱體14的絕緣部件15，隔著該絕緣部件15配置發(fā)熱體引出電極16以與發(fā)熱體14相對(duì)。為了將發(fā)熱體14的熱效率良好地傳輸至熔線元件5，還可以在發(fā)熱體14與絕緣基板11之間層疊絕緣部件15。作為絕緣部件15，可以使用例如玻璃。發(fā)熱體引出電極16與發(fā)熱體14的一端連接，同時(shí)，一端與未圖示的發(fā)熱體電極連接，另一端隔著發(fā)熱體14與另一未圖示的發(fā)熱體電極連接。發(fā)熱體14由未圖示的電極供給電流從而發(fā)熱，能夠?qū)θ劬€元件5進(jìn)行加熱。因此，對(duì)于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100，即使在熔線元件5中沒(méi)有流過(guò)超過(guò)額定電流的異常電流時(shí)，由于在發(fā)熱體14中流過(guò)電流，將熔線元件5加熱，能夠在所希望的條件下使熔線元件5熔斷。[第10實(shí)施方式][熔斷器件]需要說(shuō)明的是，以下對(duì)熔斷器件1的其他例進(jìn)行說(shuō)明。作為熔斷器件1的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30的結(jié)構(gòu)大致相同，對(duì)于除此之外的結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別圖示。此外，作為與第1實(shí)施方式中的熔斷器件1的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。具體而言，如圖28～圖30所示，熔斷器件1具有絕緣基板2、熔線元件5和覆蓋部件20。絕緣基板2具有在長(zhǎng)度方向的兩端設(shè)置的側(cè)壁2c、在寬度方向的兩端設(shè)置的側(cè)壁2d以及由側(cè)壁2c、2d包圍的凹部2e。側(cè)壁2c間的距離大于熔線元件5的與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W，在寬度方向的長(zhǎng)度W基礎(chǔ)上再隔開(kāi)規(guī)定空隙，從而分離開(kāi)。覆蓋部件20在寬度方向的兩端具有側(cè)壁20a。側(cè)壁20a間的距離大于熔線元件5的通電方向的全長(zhǎng)L，在通電方向的全長(zhǎng)L的基礎(chǔ)上再具有規(guī)定空隙，以這樣的距離分離開(kāi)。熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5具有通電方向的端部多處彎折的端子部30。通電方向的全長(zhǎng)L為從中央部觀察時(shí)在通電方向的兩端最初彎折部分之間的長(zhǎng)度。特別是，熔線元件5在通電方向的兩個(gè)端部經(jīng)過(guò)3段的彎折來(lái)形成端子部30。更具體而言，熔線元件5是如下的結(jié)構(gòu)體：通電方向的兩端向著未圖示的電路基板側(cè)以90度的角度彎折，進(jìn)而在其前端彎折90度以與電路基板并行，進(jìn)而在其前端彎折90度使得在與電路基板垂直方向上朝向上方。即，熔線元件5的通電方向的端面相對(duì)于電路基板形成為向著上方的形態(tài)的點(diǎn)，這與第1實(shí)施方式中的將熔線元件的兩端彎折來(lái)設(shè)置端子部30不同。熔線元件5的彎折加工如圖28所示，在具有與端子部30對(duì)應(yīng)的形狀的未圖示的夾具上，放置作為下側(cè)的基體部件的絕緣基板2，在絕緣基板2的側(cè)壁2c之間放置矩形平板狀的熔線元件5，在熔線元件5的上部放置覆蓋部件20，通過(guò)按壓覆蓋部件20就可以進(jìn)行彎折加工。熔線元件5的彎折位置應(yīng)該說(shuō)由覆蓋部件20的側(cè)壁20a和絕緣基板2的側(cè)壁2d來(lái)確定。在將覆蓋部件20和絕緣基板2組合時(shí)，覆蓋部件20的側(cè)壁20a與絕緣基板2的側(cè)壁2d之間，與熔線元件5的膜厚相比，要保持充分的分離開(kāi)的距離。即，熔斷器件1中要在覆蓋部件20的側(cè)壁20a與絕緣基板2的側(cè)壁2d之間的空間保持熔線元件5。而且，如圖10和圖11所示，通過(guò)將熔斷器件1安裝到電路基板上，端子部30介由軟釬料等與在電路基板上形成的連接端子連接。熔斷器件1介由在熔線元件5上形成的端子部30與電路基板導(dǎo)通連接，由此能夠降低器件整體的電阻值，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化且高額定化。即，可以防止因存在導(dǎo)電通孔而導(dǎo)致的高電阻化，由熔線元件5來(lái)決定器件的額定，在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)高額定化。此外，熔斷器件1中，通過(guò)在熔線元件5上形成端子部30，不再需要在絕緣基板2上形成用于與電路基板連接的電極，可以實(shí)現(xiàn)制造工時(shí)的削減。此外，熔斷器件1通過(guò)將熔線元件5的端子部30多次彎折使得與電路基板相對(duì)的位置成為平面，能夠提高與電路基板的連接穩(wěn)定性。此外，熔斷器件1是熔線元件5的端子部30多次彎折的結(jié)構(gòu)，如上述所說(shuō)明的那樣，通過(guò)使用夾具的沖壓加工，可以對(duì)平板上的熔線元件容易地進(jìn)行彎折加工，因而能夠提高生產(chǎn)性。需要說(shuō)明的是，如圖30所示，通過(guò)在絕緣基板2的凹部2e配設(shè)發(fā)熱體，可以容易地構(gòu)成發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件。[第11實(shí)施方式][發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件]接著，對(duì)發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的其他構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明，作為與第1實(shí)施方式中的熔斷器件的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。具體而言，如圖31～圖35所示，發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100具有：絕緣基板2，在絕緣基板2上層疊的被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14，在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14相重疊的方式而層疊的發(fā)熱體引出電極16，在絕緣基板2上設(shè)置的第1和第2電極3、4，在第1和第2電極3、4之間安裝的熔線元件5，設(shè)置在熔線元件5之上、在除去在熔線元件5上產(chǎn)生的氧化膜的同時(shí)提高熔線元件5的潤(rùn)濕性的多個(gè)助焊劑17，以及作為覆蓋熔線元件5的外裝體的覆蓋部件20。其中，熔線元件5的中央部連接至發(fā)熱體引出電極16，通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而因自身發(fā)熱或由發(fā)熱體14的加熱而熔斷，阻斷第1電極3和第2電極4之間的電流路徑。這里，圖31顯示了在絕緣基板2上放置熔線元件5之前的狀態(tài)，圖32顯示在絕緣基板2上放置有熔線元件5的狀態(tài)，圖33顯示在熔線元件5上涂布有助焊劑17的狀態(tài)，圖34顯示在涂布了助焊劑17之后安裝有覆蓋部件20的狀態(tài)。即，是按照?qǐng)D31～圖34的順序說(shuō)明發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100的制造工序的圖。需要說(shuō)明的是，圖35是對(duì)發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100的背面進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。發(fā)熱體14通過(guò)供給電流從而發(fā)熱，能夠?qū)θ劬€元件5進(jìn)行加熱。因此，對(duì)于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100，即使在熔線元件5中未流過(guò)超過(guò)額定電流的異常電流時(shí)，由于在發(fā)熱體14中流過(guò)電流，將熔線元件5加熱，能夠在所希望的條件下使熔線元件5熔斷。需要說(shuō)明的是，對(duì)于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100，連接絕緣基板2的表面2a和背面2b的第1電極3和第2電極4通過(guò)通孔來(lái)確保絕緣基板2表面和背面的導(dǎo)通，構(gòu)成熔線元件5的通電路徑。需要說(shuō)明的是，熔線元件5還可以如圖36和圖37所示，設(shè)置貫通孔5d1、5e1、貫通孔5d2、5e2。具體而言，熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向上并列的圓形的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e3。貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2分別在熔線元件5的通電方向上以規(guī)定的間隔設(shè)置。貫通孔5d1、5d2并列為其中心位置相對(duì)于通電方向偏移，貫通孔5e1、5e2并列為其中心位置相對(duì)于通電方向偏移。更具體而言，熔線元件5中貫通孔5d1、5d2和貫通孔5e1、5e2分別并列以使得在通電方向上不重疊。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選在通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，如果要切斷第1、第2電極3、4間的電路，優(yōu)選在第1、第2電極3、4之間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，設(shè)置貫通孔5d1、5e1，5d2、5e2的位置，優(yōu)選設(shè)置為從發(fā)熱體引出電極16的端部向著橋接部、即端子部30側(cè)跨過(guò)。此外，對(duì)于貫通孔5d1、5d2的大小，如果將包括貫通孔5d1、5d2的通電方向上的最大長(zhǎng)度設(shè)定為L(zhǎng)0，則相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則貫通孔5d1、5d2可能會(huì)延伸到第1、第2電極3、4中的部分。此外，貫通孔5e1、5e2的大小因能夠與貫通孔5d1、5d2的大小同樣地定義，省略其說(shuō)明。熔線元件5在貫通孔5d2、5e1之間具有窄幅部分5g，在貫通孔5d1的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在貫通孔5e2的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5在熔線元件5的通電方向具有多個(gè)窄幅部分，與僅由1列并列的第1實(shí)施方式相比，能夠在多個(gè)部位更精確地控制熔線元件5的熔斷位置。[第12實(shí)施方式][發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件]接著，對(duì)發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的其他構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明，作為與第1實(shí)施方式中的熔線元件5的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。具體而言，如圖38～圖41所示，發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100具有：絕緣基板2，在絕緣基板2上層疊的被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14，在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14相重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16，中央部連接至發(fā)熱體引出電極16并在通電方向的兩端具有端子部30、由端子部30之間通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱或由發(fā)熱體14加熱而熔斷從而阻斷電流路徑的熔線元件5，設(shè)置在熔線元件5之上、在除去在熔線元件5上產(chǎn)生的氧化膜的同時(shí)提高熔線元件5的潤(rùn)濕性的多個(gè)助焊劑17，以及成為覆蓋熔線元件5的外裝體的覆蓋部件20。這里，圖38顯示在絕緣基板2上放置熔線元件5的狀態(tài)，圖39顯示在熔線元件5上涂布有助焊劑17的狀態(tài)，圖40顯示涂布了助焊劑17之后安裝有覆蓋部件20的狀態(tài)。即，是按照?qǐng)D38～圖41的順序說(shuō)明發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100的制造工序的圖。需要說(shuō)明的是，圖41是對(duì)發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100的背面進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。需要說(shuō)明的是，在絕緣基板2上放置熔線元件5之前的狀態(tài)與圖31基本相同，因而省略其圖示。熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，對(duì)于全長(zhǎng)L、寬度W，由于與圖37基本相同，因而省略其圖示和說(shuō)明。此外，熔線元件5中，將通電方向的兩端向著電路基板側(cè)90度彎折，將該端面作為端子部30。在搭載有熔線元件5的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100安裝于電路基板時(shí)，端子部30要與在該電路基板上形成的連接端子直接連接，因而在通電方向的兩端形成。而且，端子部30如圖40和圖41所示，通過(guò)熔斷器件1安裝到電路基板上，介由軟釬料等與電路基板上形成的連接端子連接。對(duì)于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100，介由在熔線元件5上形成的端子部30與電路基板導(dǎo)通連接，由此能夠降低器件整體的電阻值，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化和高額定化。由此，發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100可以防止因存在導(dǎo)電通孔而導(dǎo)致的高電阻化，由熔線元件5來(lái)決定器件的額定，在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)高額定化。此外，如圖38所示，熔線元件5中也可以設(shè)置貫通孔5d1、5e1、貫通孔5d2、5e2。需要說(shuō)明的是，對(duì)于設(shè)置貫通孔5d1、5e1、貫通孔5d2、5e2的位置，由于與圖37基本相同，因而省略其圖示和說(shuō)明。具體而言，熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向上并列的圓形的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2。貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2分別在熔線元件5的通電方向上以規(guī)定的間隔設(shè)置。貫通孔5d1、5d2并列為其中心位置相對(duì)于通電方向偏移，貫通孔5e1、5e2并列為其中心位置相對(duì)于通電方向偏移。更具體而言，對(duì)于熔線元件5，貫通孔5d1、5d2和貫通孔5e1、5e2分別并列以使得在通電方向上不重疊。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，為了切斷端子部30間的電路，優(yōu)選在端子部30之間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，設(shè)置貫通孔5d1、5e1、5d2、5e2的位置優(yōu)選設(shè)置為從發(fā)熱體引出電極16的端部向著橋接部、即端子部30側(cè)跨過(guò)。此外，對(duì)于貫通孔5d1、5d2的大小，如果將包括貫通孔5d1、5d2的通電方向上的最大長(zhǎng)度設(shè)定為L(zhǎng)0，則相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則貫通孔5d1、5d2可能會(huì)延伸到彎折部分。此外，貫通孔5e1、5e2的大小因能夠與貫通孔5d1、5d2的大小同樣地定義，省略其說(shuō)明。熔線元件5在貫通孔5d2、5e1之間具有窄幅部分5g，在貫通孔5d1的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在貫通孔5e2的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。需要說(shuō)明的是，對(duì)于窄幅部分5g～5f，由于與圖37基本相同，因而省略其圖示和說(shuō)明。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5在熔線元件5的通電方向具有多個(gè)窄幅部分，與僅由1列并列的第1實(shí)施方式相比，能夠在多個(gè)部位更精確地控制熔線元件5的熔斷位置。發(fā)熱體14由未圖示的電極供給電流而發(fā)熱，能夠?qū)θ劬€元件5進(jìn)行加熱。因此，對(duì)于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100，即使在熔線元件5中未流過(guò)超過(guò)額定電流的異常電流時(shí)，由于在發(fā)熱體14中流過(guò)電流，將熔線元件5加熱，能夠在所希望的條件下將熔線元件5熔斷。[第13實(shí)施方式][發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件]接著，對(duì)發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的其他構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明，作為與第1實(shí)施方式中的熔斷器件的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。本實(shí)施方式中的熔斷器件是倒裝芯片型的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件的一個(gè)例子。具體而言，如圖42和圖43所示，發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100具有：絕緣基板2，在絕緣基板2上層疊的被絕緣部件覆蓋的發(fā)熱體，在絕緣部件上以與發(fā)熱體相重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16，中央部連接至發(fā)熱體引出電極16并在通電方向的兩端具有端子部30、由端子部30之間通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱或由發(fā)熱體加熱而熔斷從而阻斷電流路徑的熔線元件5，設(shè)置在熔線元件5之上、在除去在熔線元件5上產(chǎn)生的氧化膜的同時(shí)提高熔線元件5的潤(rùn)濕性的助焊劑，以及作為覆蓋熔線元件5的外裝體的覆蓋部件20。這里，圖42是對(duì)發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100的表面進(jìn)行說(shuō)明的圖，圖43是對(duì)發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100的背面進(jìn)行說(shuō)明的圖。需要說(shuō)明的是，對(duì)于內(nèi)部的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，由于與第12實(shí)施方式大致相同，因而省略其圖示和說(shuō)明。熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。此外，熔線元件5中，將通電方向的兩端向著電路基板側(cè)90度彎折，將該端面作為端子部30。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施方式中的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100是倒裝芯片型的，因此，在電路基板上的安裝方向與其他實(shí)施方式不同，是上下顛倒的(面朝下)。因此，熔線元件5的端面的彎折方向相對(duì)于絕緣基板2為垂直方向朝向上的方向。此外，發(fā)熱體引出電極16也同樣地在相對(duì)于絕緣基板2在垂直方向搭載有用于確保連接路徑的端子部40。如果將搭載有熔線元件5的發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100安裝到電路基板，端子部30會(huì)與在該電路基板上形成的連接端子直接連接，形成于通電方向的兩端。而且，如圖43所示，由于熔斷器件1是面朝下安裝于電路基板的，端子部30介由軟釬料等與在電路基板上形成的連接端子相連接。此外，端子部40也同樣地面朝下安裝于電路基板。對(duì)于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100，介由在熔線元件5上形成的端子部30與電路基板導(dǎo)通連接，由此能夠降低器件整體的電阻值，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化和高額定化。由此，發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件100可以防止因存在導(dǎo)電通孔而導(dǎo)致的高電阻化，由熔線元件5來(lái)決定器件的額定，在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)高額定化。[第14實(shí)施方式][熔斷器件]接著，對(duì)倒裝芯片型的熔斷器件的其他構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明，作為與第1實(shí)施方式中的熔斷器件的結(jié)構(gòu)的相同功能的部分，賦予相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。具體而言，如圖44～圖47所示，熔斷器件1具有：絕緣基板2，在絕緣基板2上層疊的并在通電方向的兩端具有端子部30、端子部30之間通過(guò)流過(guò)超過(guò)額定的電流而自身發(fā)熱而熔斷從而阻斷電流路徑的熔線元件5，設(shè)置在熔線元件5之上、在除去在熔線元件5上產(chǎn)生的氧化膜的同時(shí)提高熔線元件5的潤(rùn)濕性的多個(gè)助焊劑17，以及成為覆蓋熔線元件5的外裝體的覆蓋部件20。這里，圖44顯示在絕緣基板2上放置有熔線元件5的狀態(tài)，圖45顯示在熔線元件5上涂布有助焊劑17的狀態(tài)，圖46顯示在涂布了助焊劑17之后安裝有覆蓋部件20的狀態(tài)。即，是按照?qǐng)D44～圖46的順序說(shuō)明熔斷器件1的制造工序的說(shuō)明圖。需要說(shuō)明的是，圖47是對(duì)熔斷器件1的背面進(jìn)行說(shuō)明的圖。熔線元件5的層疊結(jié)構(gòu)體為大致矩形板狀，是與通電方向的全長(zhǎng)L相比與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W更大的寬幅結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，對(duì)于全長(zhǎng)L、寬度W，由于與圖37基本相同，因而省略其圖示和說(shuō)明。此外，對(duì)于熔線元件5，將通電方向的兩端向著電路基板側(cè)90度彎折，將該端面作為端子部30。在搭載有熔線元件5的熔斷器件1安裝于電路基板時(shí)，端子部30要與在該電路基板上形成的連接端子直接連接，形成在通電方向的兩端。而且，端子部30如圖47所示，通過(guò)熔斷器件1面朝下安裝到電路基板上，介由軟釬料等與電路基板上形成的連接端子連接。對(duì)于熔斷器件1，介由在熔線元件5上形成的端子部30與電路基板導(dǎo)通連接，由此能夠降低器件整體的電阻值，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化和高額定化。由此，熔斷器件1可以防止因存在導(dǎo)電通孔而導(dǎo)致的高電阻化，由熔線元件5來(lái)決定器件的額定，在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)高額定化。此外，如圖43所示，熔線元件5中也可以設(shè)置貫通孔5d1、5e1、貫通孔5d2、5e2。此外，也可以不是貫通孔形狀而是凹陷形狀。需要說(shuō)明的是，對(duì)于設(shè)置貫通孔5d1、5e1、貫通孔5d2、5e2的位置，由于與圖37基本相同，因而省略其圖示和說(shuō)明。具體而言，熔線元件5在通電方向的中間部分，具有在熔線元件5的寬度方向上并列的圓形的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2。貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2分別在熔線元件5的通電方向上以規(guī)定的間隔設(shè)置。貫通孔5d1、5d2并列為其中心位置相對(duì)于通電方向偏移，貫通孔5e1、5e2并列為其中心位置相對(duì)于通電方向偏移。更具體而言，熔線元件5中貫通孔5d1、5d2和貫通孔5e1、5e2分別并列以使得在通電方向上不重疊。[貫通孔]接著，對(duì)設(shè)置熔線元件5的貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置及其大小進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，在貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2附近最早被熔斷，因此為了調(diào)整熔斷位置，特別優(yōu)選為通電方向上的全長(zhǎng)L的中央附近。換而言之，為了切斷端子部30間的電路，優(yōu)選在端子部30間的中央附近。具體而言，設(shè)置貫通孔5d1、5e1和貫通孔5d2、5e2的位置，優(yōu)選為從熔線元件5的通電方向的兩端各自僅離開(kāi)L1、L2的位置。這里，L1、L2的具體大小為(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。這是因?yàn)?，要將熔線元件5的通電路徑分段成多個(gè)的同時(shí)，在第1、第2電極3、4附近確保具有規(guī)定熱容量的保險(xiǎn)絲體積。此外，對(duì)于貫通孔5d1、5d2的大小，如果將包括貫通孔5d1、5d2的通電方向上的最大長(zhǎng)度設(shè)定為L(zhǎng)0，則相對(duì)于熔線元件5的通電路徑的全長(zhǎng)L，優(yōu)選設(shè)定為(L/2)＞L0。這是因?yàn)?，如果與此相比變得更大，則貫通孔5d1、5d2可能會(huì)延伸到彎折部分。此外，貫通孔5e1、5e2的大小因能夠與貫通孔5d1、5d2的大小同樣地定義，因此省略其說(shuō)明。熔線元件5在貫通孔5d2、5e1之間具有窄幅部分5g，在貫通孔5d1的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5f，在貫通孔5e2的熔線元件5的寬度方向的外側(cè)具有窄幅部分5h。需要說(shuō)明的是，對(duì)于窄幅部分5g～5f，由于與圖37基本相同，因而省略其圖示和說(shuō)明。如上述那樣構(gòu)成的熔線元件5在熔線元件5的通電方向具有多個(gè)窄幅部分，與僅由1列并列的第1實(shí)施方式相比，能夠在多個(gè)部位更精確地控制熔線元件5的熔斷位置。[小結(jié)]如上所述，適用本發(fā)明的各實(shí)施方式中的熔線元件構(gòu)成為寬幅結(jié)構(gòu)，即與通電方向的全長(zhǎng)L相比，與通電方向正交的寬度方向的長(zhǎng)度W更大，特別是通過(guò)成為低熔點(diǎn)貴族層與高熔點(diǎn)金屬層的層疊結(jié)構(gòu)體，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)提供小型且能應(yīng)對(duì)大電流的熔斷器件或發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件。此外，提供一種通過(guò)在熔線元件中設(shè)置貫通孔或凹陷部，能夠抑制熔線元件的爆發(fā)性的熔融，即使熔線元件熔斷后，也能夠確保絕緣性的高安全性的熔斷器件和發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件。需要說(shuō)明的是，在熔線元件中設(shè)置的貫通孔或凹陷部的數(shù)量、種類可以適當(dāng)?shù)剡x擇，可以將包括端子部的有無(wú)這樣的各實(shí)施方式中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)進(jìn)行適當(dāng)組合來(lái)使用。此外，適用本發(fā)明的各實(shí)施方式的熔線元件，全部都能適用于發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件，能夠容易地得到能應(yīng)對(duì)大電流化的小型的表面安裝型的熔斷器件。符號(hào)說(shuō)明1熔斷器件，2絕緣基板，2a表面，2b背面，3第1電極，4第2電極，5熔線元件，5a低熔點(diǎn)金屬層，5b高熔點(diǎn)金屬層，5e～5d貫通孔(凹陷部)，5f～5h窄幅部分，6保護(hù)層，7抗氧化膜，8接合材料，10保護(hù)部件，11粘接劑，14發(fā)熱體，15絕緣部件，16發(fā)熱體引出電極，20覆蓋部件，20a側(cè)壁，20b頂面，30端子部，40端子部，100發(fā)熱體內(nèi)置式熔斷器件。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3