本發(fā)明涉及利用含鎵的P型氧化物半導(dǎo)體的有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
：目前在為制造高效率的有機(jī)發(fā)光二極管而正在進(jìn)行開發(fā)。其中空穴的移動(dòng)是非常重要的部分。典型的空穴注入層為聚(3，4-乙撐二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸鈉(Poly(3，4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate)；PEDOT：PSS)層，但在空穴的注入與移動(dòng)及有機(jī)發(fā)光二極管的效率方面具有局限性。并且，將PEDOT：PSS作為空穴注入層的情況下需要退火(annealing)時(shí)間，因此具有工序時(shí)間加長的問題。另外，在研究用氧化物半導(dǎo)體替代空穴注入層。其原因在于氧化物半導(dǎo)體移動(dòng)度高且透明，因此能夠容易實(shí)現(xiàn)透明顯示器，而且被評(píng)價(jià)為能夠解決現(xiàn)有技術(shù)局限性的技術(shù)。另外，由于在常溫具有非晶質(zhì)(amorphous)或多晶質(zhì)(polycrystalline)結(jié)構(gòu)，因此不需要另外進(jìn)行用于形成晶粒(grain)的熱處理過程，適用有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)具有良好的特性。氧化物半導(dǎo)體因氧空位(oxygen-vacancies)與鋅填隙(zincinterstitials)而主要被視為n型，缺點(diǎn)是難以p型摻雜。如上，由于目前已知的氧化物半導(dǎo)體大部分顯現(xiàn)n型(n-type)特性，因此制得具有p型(p-type)特性的透明氧化物半導(dǎo)體的情況下，在用作有機(jī)發(fā)光二極管的空穴注入層方面具有諸多好處，因此目前需要進(jìn)行研究，通過調(diào)節(jié)摻雜條件或開發(fā)新物質(zhì)等找到p型透明氧化物半導(dǎo)體材料。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：技術(shù)問題為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種利用含鎵的P型氧化物半導(dǎo)體的有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法。本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過下述實(shí)施例導(dǎo)出本發(fā)明的其他目的。技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括陽極、空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層及陰極，其特征在于所述空穴注入層為含Ga的P型氧化物半導(dǎo)體。所述P型氧化物半導(dǎo)體包括向CuS及SnO摻入的所述Ga。所述Ga的范圍可以是整個(gè)組成的10至70百分比(原子百分比)。所述P型氧化物半導(dǎo)體用選自下述化學(xué)式1、化學(xué)式2及化學(xué)式3的一種以上表示，[化學(xué)式1]CuS1-xGax-SnO[化學(xué)式2]CuSGaxSn1-xO[化學(xué)式3]CuSGaxSnO，所述化學(xué)式1、化學(xué)式2或化學(xué)式3中0＜x＜1。所述空穴注入層可以經(jīng)過了在預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行熱處理，或者經(jīng)過了UV處理。所述空穴注入層的熱處理溫度的范圍可以是150至250℃。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括陽極、空穴注入·輸送層、發(fā)光層、電子輸送層及陰極，其特征在于所述空穴注入·輸送層是含Ga的P型氧化物半導(dǎo)體。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，包括：通過真空沉積工序在基板上形成陽極的步驟；通過溶液工序在所述陽極上形成空穴注入層的步驟；通過真空沉積工序在所述空穴注入層上形成空穴輸送層的步驟；通過真空沉積工序在所述空穴輸送層上形成發(fā)光層的步驟；通過真空沉積工序在所述發(fā)光層上形成電子輸送層的步驟；及在所述電子輸送層上形成陰極的步驟，所述空穴注入層由P型氧化物半導(dǎo)體混合到溶劑的溶液成膜形成。技術(shù)效果根據(jù)本發(fā)明，用含鎵的P型氧化物半導(dǎo)體提供空穴注入層，其優(yōu)點(diǎn)是能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的有機(jī)發(fā)光二極管。并且，由于本發(fā)明利用通過溶液工序制成的P型氧化物半導(dǎo)體，因此其優(yōu)點(diǎn)是能夠?qū)崿F(xiàn)低溫及低費(fèi)用制造。附圖說明圖1為顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體與PEDOT：PSS的薄膜的表面的示意圖；圖3為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況及使用PEDOT：PSS的情況下X射線衍射(X-RayDiffraction，XRD)結(jié)果的示意圖；圖4為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的電流-電壓-灰度特性的示意圖；圖5為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的光譜特性的示意圖；圖6為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的外部量子效率特性的示意圖；圖7為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的壽命特性的示意圖；圖8為顯示CuS-GaxSn1-xO薄膜中Ga的濃度為0～50％時(shí)XRD結(jié)果的示意圖；圖9為顯示CuS-GaxSn1-xO薄膜中Ga的濃度為0％、30％、50％時(shí)AFM圖像的示意圖；圖10為CuS-SnO薄膜的(a)TEM圖像與(b)通過能量色散X射線(EnergyDispersiveX-ray，EDX)光譜法得到的原子映射(atomicmapping)圖像；圖11為CuS-Ga0.5Sn0.5O薄膜的(a)TEM圖像與(b)通過能量色散X射線(EnergyDispersiveX-ray，EDX)光譜法得到的原子映射(atomicmapping)圖像；圖12為顯示SnO2與CuS-GaxSn1-xO的紫外光電子能譜(UltravioletPhotoSpectroscopy，UPS)光譜與功函數(shù)(workfunction)、費(fèi)米能級(jí)(Fermilevel)與價(jià)帶(valenceband)的差異及電離電位(ionizationpotential)值的示意圖；圖13為顯示p型前驅(qū)體溶液的拉曼(Raman)光譜結(jié)果的示意圖；具體實(shí)施方式首先對(duì)本發(fā)明說明書上的術(shù)語進(jìn)行定義。溶液工序(solutionprocess)包括旋轉(zhuǎn)涂布、噴涂、浸漬涂布、噴墨印刷、卷對(duì)卷印刷、絲網(wǎng)印刷等用液態(tài)溶劑成膜的所有現(xiàn)有工序。真空沉積工序表示在負(fù)壓狀態(tài)下進(jìn)行沉積的工序，包括化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition；CVD)法、物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition；PVD)法中的一種即濺鍍(sputtering)等所有現(xiàn)有工序。以下參見附圖具體說明本發(fā)明。另外，需要聲明的是附圖內(nèi)容是為便于說明本發(fā)明而示出的，本發(fā)明的范圍不限于附圖所示的范圍。圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管可包括陽極1、陰極2、空穴注入層3、空穴輸送層4、發(fā)光層5及電子輸送層6。陽極1及陰極2可采用目前已知的真空沉積工序(CVD；ChemicalVaporDeposition)或印刷金屬碎箔(flake)乃至顆粒(particle)與粘合劑(binder)等混合的漿料金屬油墨的方式，所述陽極或陰極的形成方法不受特殊限制。形成于基板上的陰極(cathode)是向元件提供電子的電極，可使用離子化的金屬物質(zhì)、在預(yù)定的液體內(nèi)處于膠質(zhì)(colloid)狀態(tài)的金屬油墨物質(zhì)、透明金屬氧化物等?；蹇梢圆捎貌Ａ?glass)基板、具有包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthelate，PEN)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚酰胺(polyamide，PI)、三醋酸纖維素(triacetylcellulose，TAC)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)等的塑料中任意一個(gè)的塑料基板、包括鋁箔(aluminumfoil)、不銹鋼箔(stainlesssteelfoil)中任意一個(gè)的柔性(flexible)基板等。陰極2可以通過真空沉積工序在高真空狀態(tài)下沉積形成，或通過用溶液或漿料工序利用現(xiàn)有陰極形成用金屬物質(zhì)形成。陰極形成物質(zhì)不受特殊限制，可以任意使用現(xiàn)有的陰極形成物質(zhì)，現(xiàn)有的陰極形成物質(zhì)例如可以是容易氧化的金屬物質(zhì)鋁(A1)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋰(Li)、銫(Cs)等。另外，能夠形成陰極的透明金屬氧化物的物質(zhì)例如可以是銦錫氧化物(IndiumTinOxide，ITO)、摻氟氧化錫(Fluorine-dopedTinOxide，F(xiàn)TO)、摻銻二氧化錫(AntimonyTinOxide，ATO)、摻鋁氧化鋅(AluminumdopedZincOxide，AZO)等，但不限于此。并且，透明金屬氧化物電極則可以適用溶膠-凝膠(sol-gel)、噴霧熱解(spraypyrolysis)、濺射(sputtering)、原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)、電子束沉積(e-beamevaporation)等工序形成。電子輸送層6是為了將陰極2發(fā)生的電子移動(dòng)到發(fā)光層5以實(shí)現(xiàn)元件高效率而增加的層，形成于陰極2與發(fā)光層5之間。電子輸送層6可以通過真空沉積工序利用有機(jī)物質(zhì)在高真空狀態(tài)形成。發(fā)光層5包括有機(jī)物質(zhì)，通過有機(jī)物質(zhì)的光電子放出效果發(fā)光?？昭ㄝ斔蛯?是幫助從空穴注入層3注入的空穴向發(fā)光層5移動(dòng)的層，形成于發(fā)光層5與空穴注入層3之間?？昭ㄝ斔蛯?可通過真空沉積工序利用有機(jī)物質(zhì)在高真空狀態(tài)形成?？昭ㄗ⑷雽?是幫助陽極1注入的空穴移動(dòng)到空穴輸送層4的層，形成于空穴輸送層4與陽極1之間。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的一個(gè)實(shí)施例，用P型氧化物半導(dǎo)體替代一般PEDOT：PSS形成空穴注入層3。圖1顯示空穴注入層3與空穴輸送層4處于彼此分離形態(tài)，說明由本實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體形成空穴注入層3，但不局限于此，將空穴的注入及移動(dòng)形成為一個(gè)層的情況及空穴注入·輸送層由P型氧化物半導(dǎo)體形成的情況也均可以包含于本發(fā)明的范疇。優(yōu)選地，p型氧化物半導(dǎo)體可含鎵(Ga)，p型氧化物半導(dǎo)體內(nèi)鎵含量可以是10至70原子(atomic)百分比范圍。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，p型氧化物半導(dǎo)體可通過溶液工序形成，此處，可以向乙二醇(ethyleneglycol)混合5至50體積百分比的氰化甲烷(acetonitrile)得到溶劑。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，除氰化甲烷之外還可以用去離子水(DIwater)、乙醇(alcohol)、環(huán)己烷(cyclohexane)、甲苯(toluene)及有機(jī)溶劑中至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的一個(gè)實(shí)施例的p型氧化物半導(dǎo)體可以由CuS及選自SnO、ITO、IZTO、IGZO及IZO的一種以上物質(zhì)結(jié)合且進(jìn)一步與Ga結(jié)合形成。所述CuS為硫化銅(Coppermonosulfide)，SnO為氧化錫(Tin(II)oxide)，ITO為銦錫氧化物(IndiumTinOxide)，IZTO為銦鋅錫氧化物(IndiumZincTinOxide)，IGZO為銦鎵鋅氧化物(IndiumZincGalliumOxide)，IZO為銦鋅氧化物(IndiumZincTinOxide)，這是本領(lǐng)域一般技術(shù)人員(以下稱為‘本領(lǐng)域技術(shù)人員’)的公知常識(shí)。本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的p型氧化物半導(dǎo)體可以用化學(xué)式1、化學(xué)式2及化學(xué)式3中的一種以上表示。[化學(xué)式1]CuS1-xGax-SnO[化學(xué)式2]CuSGaxSn1-xO[化學(xué)式3]CuSGaxSnO所述化學(xué)式1、化學(xué)式2或化學(xué)式3中0＜x＜1。本發(fā)明的P型氧化物半導(dǎo)體可通過依次執(zhí)行以下步驟形成：制備含Cu、S、M及Ga的前驅(qū)體溶液的步驟(此處，M為選自SnO、ITO、IZTO、IGZO及IZO的一種以上化合物)；將所述前驅(qū)體溶液涂布到基板上的步驟；以及熱處理所述涂層的步驟。優(yōu)選的是所述前驅(qū)體溶液含[CuTu3]Cl。優(yōu)選的是所述前驅(qū)體溶液含硫脲(Thiourea)。所述基板上的涂布步驟可以采用真空工序、旋轉(zhuǎn)涂布、槽隙印刷(slotprinting)或噴墨印刷工序，但從工序簡單性及費(fèi)用角度來講，優(yōu)選采用旋轉(zhuǎn)涂布或噴墨印刷工序。陽極1是向元件提供空穴的電極，可用金屬漿料或在預(yù)定的液體內(nèi)處于膠質(zhì)狀態(tài)的金屬油墨物質(zhì)通過絲網(wǎng)印刷等溶液工序形成。此處，金屬漿料可以是銀漿(Agpaste)、鋁漿(Alpaste)、金漿(Aupaste)、銅漿(Cupaste)等物質(zhì)中任意一個(gè)或合金形態(tài)。另外，金屬油墨物質(zhì)可以是銀(Ag)油墨、鋁(Al)油墨、金(Au)油墨、鈣(Ca)油墨、鎂(Mg)油墨、鋰(Li)油墨、銫(Cs)油墨中至少任意一個(gè)。包含于金屬油墨物質(zhì)的金屬物質(zhì)在溶液內(nèi)部處于離子化狀態(tài)。以上具體說明了本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的另一實(shí)施例，用P型氧化物半導(dǎo)體形成空穴注入層的情況下，這種空穴注入層不僅可以適用于包括發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光二極管，還可以適用于其他有機(jī)電子元件。本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管制造方法包括：通過真空沉積工序在基板上形成陽極的步驟；通過溶液工序在所述陽極上形成空穴輸送層的步驟；通過真空沉積工序在所述空穴注入層上形成空穴輸送層的步驟；通過真空沉積工序在所述空穴輸送層上形成發(fā)光層的步驟；通過真空沉積工序在所述發(fā)光層上形成電子輸送層的步驟；以及在所述電子輸送層上形成陰極的步驟，所述空穴注入層由P型氧化物半導(dǎo)體混合到溶劑的溶液成膜形成。以下通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。以下實(shí)施例只是為了具體說明本發(fā)明，目的并非限定本發(fā)明的技術(shù)方案。實(shí)施例如下所述，用p型氧化物半導(dǎo)體提替代PEDOT：PSS形成空穴注入層。此處，優(yōu)選的是p型氧化物半導(dǎo)體內(nèi)鎵含量為10至70原子(atomic)百分比。另外，溶劑是在一般大氣狀態(tài)下劇烈混合乙二醇與氰化甲烷形成的，此處按0.2M/16的濃度混合p型氧化物半導(dǎo)體生成混合溶液。在氮環(huán)境內(nèi)向陽極上印刷所述溶液。圖2顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體與PEDOT：PSS的薄膜的表面。圖2的(a)、(b)、(c)與(d)是對(duì)使用P型氧化物半導(dǎo)體的薄膜分別進(jìn)行100℃、200℃、300℃及UV熱處理的薄膜，(e)為PEDOT：PSS薄膜。圖3為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況及使用PEDOT：PSS的情況下X射線衍射(X-RayDiffraction，XRD)結(jié)果的示意圖。圖4及表1顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的電流-電壓-灰度特性。圖4中(a)與(b)顯示電流-電壓特性，(c)顯示灰度-電壓特性，(d)顯示電流效率(Currentefficiency)特性，(e)顯示功率效率(Powerefficiency)特性。表1[表1]參見圖4及表1，空穴輸送層僅用PEDOT：PSS的情況下電流效率為51.30cd/A，功率效率為50.32lm/W。與此相比，使用P型氧化物半導(dǎo)體的情況下最高為69.20cd/A與68.20lm/W，由此可知電流效率與功率效率上升。并且，可知執(zhí)行熱處理的情況下電流效率與功率效率上升?？芍獰崽幚頊囟壬仙那闆r下驅(qū)動(dòng)電壓VD隨之上升，灰度(Luminance)減小，當(dāng)考慮這些點(diǎn)的情況下，熱處理溫度為150℃至250℃時(shí)可制造用于有機(jī)發(fā)光二極管的最佳空穴注入層，更為優(yōu)選地，200℃時(shí)可提供最佳的空穴注入層。另外，可知除P型氧化物半導(dǎo)體的高溫?zé)崽幚硗猓诔卣丈渥贤饩€(UV)的情況下也有性能改進(jìn)。圖5為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的光譜特性的示意圖。圖6及表2為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的外部量子效率特性的示意圖。表2[表2]EQE(％)PEDOT：PSS18.83CuS-GaSnO-100℃20.79CuS-GaSnO-200℃24.17CuS-GaSnO-300℃26.77CuS-GaSnO-UV固化26.39參見圖6及表2可知外部量子效率EQE在印刷P型氧化物半導(dǎo)體形成空穴注入層時(shí)比使用PEDOT：PSS時(shí)上升。圖7及表3為顯示使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的情況與使用PEDOT：PSS的情況下有機(jī)發(fā)光二極管的壽命特性的示意圖。表3[表3]L70壽命(h)PEDOT：PSS48.14CuS-GaSnO-100℃30.14CuS-GaSnO-200℃51.95CuS-GaSnO-300℃152.77CuS-GaSnO-UV固化30.84參見圖7及表3可知有機(jī)發(fā)光二極管的壽命在印刷P型氧化物半導(dǎo)體形成空穴注入層的情況下比使用PEDOT：PSS時(shí)上升。以下具體說明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的P型氧化物半導(dǎo)體的制造過程。制備前驅(qū)體溶液在氮環(huán)境下將CuCl2、NH2CSNH2(硫脲(Thiourea))、Ga(NO3)3·xH2O(硝酸鎵水合物(Galliumnitratehydrate))、SnCl2溶解在乙腈(acetonitrile)及乙二醇(ethyleneglycol)溶劑制備前驅(qū)體溶液。形成活性層旋轉(zhuǎn)涂布制備的所述前驅(qū)體溶液后，在240℃的熱板(hotplate)上熱處理約1分鐘，或?qū)?0℃的基板上進(jìn)行噴墨印刷形成活性層。熱處理步驟通過所述旋轉(zhuǎn)涂布或噴墨印刷形成的活性層在氮環(huán)境、300℃溫度進(jìn)行退火(anealing)約1小時(shí)。分析半導(dǎo)體氧化物圖8顯示CuS-GaxSn1-xO薄膜中Ga的濃度為0～50％時(shí)XRD結(jié)果。CuS-GaxSn1-xO為多晶結(jié)構(gòu)(2θ＝28°，32°)，Ga的濃度為30％以上的情況下從結(jié)晶狀態(tài)變成非晶質(zhì)狀態(tài)。圖9顯示CuS-GaxSn1-xO薄膜中Ga的濃度為0％、30％、50％時(shí)AFM圖像。Ga的濃度為0％時(shí)形成針狀的薄膜，均方根粗糙度(root-mean-square(RMS)roughness)的值為23～90nm，該情況下薄膜品質(zhì)不佳。而隨著Ga的濃度上升，均方根粗糙度的值減小，薄膜品質(zhì)上升。30％時(shí)是0.46～2.5nm，50％時(shí)是0.67～3.4nm。圖10為CuS-SnO薄膜的(a)TEM圖像與(b)通過能量色散X射線(EnergyDispersiveX-ray，EDX)光譜法得到的原子映射(atomicmapping)圖像。CuS-SnO薄膜分別有Cu、S、Sn及O，是非均勻薄膜狀態(tài)的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。這與圖8的XRD結(jié)果中Ga為0％時(shí)存在結(jié)晶峰值相一致。圖11為CuS-Ga0.5Sn0.5O薄膜的(a)TEM圖像與(b)通過能量色散X射線(EnergyDispersiveX-ray，EDX)光譜法得到的原子映射(atomicmapping)圖像。CuS-Ga0.5Sn0.5O薄膜分別具有Cu、S、Sn及O，是均勻的非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)。圖12及表4為整理SnO2與CuS-GaxSn1-xO的紫外光電子能譜(UltravioletPhotoSpectroscopy，UPS)光譜與功函數(shù)(workfunction)、費(fèi)米能級(jí)(Fermilevel)與價(jià)帶(valenceband)的差異及電離電位(ionizationpotential)值的表。表4[表4]材料功函數(shù)(eV)EF-EVBM(eV)Ip(eV)SnO23.963.567.52CuS-SnO4.640.735.37CuS-Ga0.1Sn0.9O4.630.945.57CuS-Ga0.2Sn0.8O4.610.935.54CuS-Ga0.3Sn0.7O4.660.935.59CuS-Ga0.4Sn0.6O4.70.995.69CuS-Ga0.5Sn0.5O4.71.025.72CuS-GaxSn1-xO薄膜中結(jié)晶化的薄膜(Ga＜0.3)的情況下，功函數(shù)(workfunction)值為4.63、4.61eV，非晶質(zhì)薄膜(Ga≥0.3)的情況下值高達(dá)≥4.66eV。圖13顯示p型前驅(qū)體溶液的拉曼(Raman)光譜結(jié)果。(a)表示600-800cm-1區(qū)域的p型半導(dǎo)體溶液的Raman拉曼結(jié)果，在710cm-1形成了[Cu(Tu)3]n聚合物，添加Ga或Sn的情況下波數(shù)(Wavenumber)移動(dòng)到720cm-1，表示溶液內(nèi)存在Ga或Sn。(b)是250-450cm-1區(qū)域的拉曼光譜結(jié)果。290cm-1時(shí)表示具有Sn，340cm-1表示具有Sn與Cu。向溶液添加Tu或Ca時(shí)波數(shù)(Wavenumber)移動(dòng)到349cm-1，這表示溶液內(nèi)存在Tu。以上說明的本發(fā)明不限于上述實(shí)施例及附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明確理解在不脫離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以進(jìn)行多種置換、附加及變更。當(dāng)前第1頁1 2 3