技術(shù)總結(jié)
一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)單元。根據(jù)本公開的一方面的CMOS?SRAM單元包括位線和字線。此類CMOS?SRAM存儲器單元進(jìn)一步包括具有至少第一p溝道器件的CMOS存儲器單元，該第一p溝道器件包括不同于該CMOS存儲器單元的基板材料的第一溝道材料，該第一溝道材料具有比該基板材料的固有溝道遷移率大的固有溝道遷移率，該第一p溝道器件將該CMOS存儲器單元耦合到位線和字線。

技術(shù)研發(fā)人員：N·N·莫江德;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普
受保護(hù)的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
文檔號碼：201580041560
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.12
技術(shù)公布日：2017.05.10