技術編號：11161530
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。具有p溝道金屬氧化物半導體傳輸門晶體管的鰭式場效應晶體管靜態(tài)隨機存取存儲器器件背景領域本公開的各方面涉及半導體器件，尤其涉及鰭式場效應晶體管(FinFET)靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)器件中的p溝道金屬氧化物半導體(PMOS)傳輸門晶體管。背景技術將半導體材料用于電子設備是廣泛普及的。許多不同材料(諸如硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、和其他復合半導體材料)可被用于創(chuàng)建各種類型的器件(諸如發(fā)光二極管、晶體管、和太陽能電池)并且還可被用于創(chuàng)建包括許多獨立器件的集成電路。在半導體器件中，通常使用存儲...
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