技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及帶有電荷轉(zhuǎn)移的C?MOS類型的光電單元，包括：嵌入的光電二極管(PPD)，其能夠曝光至光子，并由在襯底中的第一類型的摻雜區(qū)域形成，所述襯底具有相反的類型；以及用于將通過光電二極管曝光至光子所產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)移至浮動(dòng)擴(kuò)散(FD)的構(gòu)件；以及用于在浮動(dòng)擴(kuò)散上讀取表示已轉(zhuǎn)移的電荷的量的電壓的構(gòu)件。該單元的特征在于，光電二極管的結(jié)在零偏置電壓下的耗盡區(qū)實(shí)質(zhì)上延伸穿過第一類型的摻雜區(qū)域的整個(gè)厚度，使得所述光電二極管的結(jié)電容以及電容噪聲被最小化；并且在于，在曝光至光子期間，在通過光轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的電荷與通過發(fā)射所損失的電荷之間平衡的條件下完成讀取。本發(fā)明還提出由這樣的單元形成的陣列傳感器，其具有形成對(duì)于從一個(gè)單元發(fā)射的電子向相鄰單元擴(kuò)散的勢(shì)壘的構(gòu)件。

技術(shù)研發(fā)人員：Y·尼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新成像技術(shù)公司
文檔號(hào)碼：201580039889
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.12
技術(shù)公布日：2017.03.22