技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種具有n型擴散層的半導體基板的制造方法，其包括將半導體基板在氣體的流量以線速度計為3mm/秒～60mm/秒的條件下進行熱處理的工序，所述半導體基板在至少一部分被賦予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介質(zhì)的n型擴散層形成組合物。

技術(shù)研發(fā)人員：巖室光則;野尻剛;倉田靖;蘆澤寅之助;織田明博;清水麻理;佐藤鐵也;佐藤英一
受保護的技術(shù)使用者：日立化成株式會社
文檔號碼：201580038703
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.15
技術(shù)公布日：2017.03.22