技術(shù)特征：

1.一種具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法，

包括將半導(dǎo)體基板在氣體的流量以線速度計(jì)為3mm/秒～60mm/秒的條件下進(jìn)行熱處理的工序，所述半導(dǎo)體基板在至少一部分被賦予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介質(zhì)的n型擴(kuò)散層形成組合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，

在所述進(jìn)行熱處理的工序后，還包括將形成于所述半導(dǎo)體基板上的玻璃層利用蝕刻除去的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，

所述施主元素為選自磷P及銻Sb中的至少1種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，

所述包含施主元素的玻璃粒子含有：

選自P₂O₃、P₂O₅及Sb₂O₃中的至少1種的含施主元素物質(zhì)、和

選自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V₂O₅、SnO、ZrO₂及MoO₃中的至少1種玻璃成分物質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，

還包括對(duì)所述具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板進(jìn)行氧化處理的工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，

所述氧化處理為選自干式氧化及濕式氧化中的至少1種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，

所述半導(dǎo)體基板為硅基板。

8.一種太陽(yáng)能電池元件的制造方法，其包括在利用權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板的制造方法制造的具有n型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體基板上形成電極的工序。