技術(shù)總結(jié)
一種功率模塊包括具有內(nèi)部腔室的殼體和安裝在殼體的內(nèi)部腔室內(nèi)的多個(gè)切換模塊。切換模塊互相連接并被配置為促進(jìn)切換到負(fù)載的功率。切換模塊中的每個(gè)包括至少一個(gè)晶體管和至少一個(gè)二極管。至少一個(gè)晶體管和至少一個(gè)二極管可以由寬帶隙材料系統(tǒng)(諸如碳化硅(SiC))形成，從而當(dāng)相比于常規(guī)功率模塊時(shí)，允許該功率模塊在高頻率以及更低切換損耗下工作。

技術(shù)研發(fā)人員：姆里納爾·K·達(dá)斯;亨利·林;馬塞洛·舒普巴赫;約翰·威廉斯·帕爾穆?tīng)?br/>受保護(hù)的技術(shù)使用者：克利公司
文檔號(hào)碼：201580037680
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.14
技術(shù)公布日：2017.03.22