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堆疊半導(dǎo)體芯片RGBZ傳感器的制作方法

文檔序號(hào):12167696閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種裝置,包括:

第一半導(dǎo)體芯片,其具有第一像素陣列,所述第一像素陣列具有可見光敏感像素;以及

第二半導(dǎo)體芯片,其具有第二像素陣列,所述第一半導(dǎo)體芯片堆疊在所述第二半導(dǎo)體芯片上,使得所述第二像素陣列位于所述第一像素陣列下方,所述第二像素陣列具有用于基于飛行時(shí)間的深度檢測(cè)的IR光敏感像素。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一半導(dǎo)體芯片比所述第二半導(dǎo)體芯片薄。

3.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第二半導(dǎo)體芯片堆疊在第三半導(dǎo)體芯片上。

4.如權(quán)利要求3所述的裝置,其中,所述第三半導(dǎo)體芯片包括以下中的任意項(xiàng):

聯(lián)接到所述第一像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的定時(shí)和控制電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的定時(shí)和控制電路。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一半導(dǎo)體芯片包括以下中的任意項(xiàng):

聯(lián)接到所述第一像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的定時(shí)和控制電路。

6.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第二半導(dǎo)體芯片包括以下中的任意項(xiàng):

聯(lián)接到所述第二像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的定時(shí)和控制電路。

7.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在封裝基體上。

8.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一半導(dǎo)體芯片包括貫穿基體過孔。

9.如權(quán)利要求1所述的裝置,還包括形成在所述第一半導(dǎo)體芯片上的微透鏡陣列。

10.如權(quán)利要求9所述的裝置,其中,所述第二半導(dǎo)體芯片不具有形成在其上的微透鏡陣列。

11.一種方法,包括:

在第一像素陣列的表面處接收可見光和IR光;

利用所述第一像素陣列感測(cè)所述可見光但不感測(cè)所述IR光,所述IR光穿過所述第一像素陣列;

利用位于所述第一像素陣列下方的第二像素陣列感測(cè)所述IR光。

12.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述感測(cè)IR光還包括感測(cè)飛行時(shí)間深度信息。

13.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述方法還包括通過所述第二像素陣列的半導(dǎo)體基體向/從所述第一像素陣列運(yùn)轉(zhuǎn)信號(hào)。

14.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述感測(cè)所述可見光和所述感測(cè)所述IR光同時(shí)進(jìn)行。

15.如權(quán)利要求11所述的方法,還包括利用所述第二像素的半導(dǎo)體芯片堆疊在其上的半導(dǎo)體芯片執(zhí)行用于所述第一像素陣列和所述第二像素陣列中的任一個(gè)或兩個(gè)的模數(shù)轉(zhuǎn)換和/或定時(shí)和控制功能。

16.一種裝置,包括:

應(yīng)用處理器,其具有多個(gè)處理核和聯(lián)接到所述多個(gè)處理核的內(nèi)存控制器;

相機(jī)系統(tǒng),其聯(lián)接到所述應(yīng)用處理器,所述相機(jī)系統(tǒng)包括:

第一半導(dǎo)體芯片,其具有第一像素陣列,所述第一像素陣列具有可見光敏感像素;以及

第二半導(dǎo)體芯片,其具有第二像素陣列,所述第一半導(dǎo)體芯片堆疊在所述第二半導(dǎo)體芯片上,使得所述第二像素陣列位于所述第一像素陣列下方,所述第二像素陣列具有用于基于飛行時(shí)間的深度檢測(cè)的IR光敏感像素。

17.如權(quán)利要求16所述的裝置,其中,所述第一半導(dǎo)體芯片比所述第二半導(dǎo)體芯片薄。

18.如權(quán)利要求16所述的裝置,其中,所述第二半導(dǎo)體芯片堆疊在第三半導(dǎo)體芯片上。

19.如權(quán)利要求18所述的裝置,其中,所述第三半導(dǎo)體芯片包括以下中的任意項(xiàng):

聯(lián)接到所述第一像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的定時(shí)和控制電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的定時(shí)和控制電路。

20.如權(quán)利要求18所述的裝置,其中,所述第一半導(dǎo)體芯片包括以下中的任意項(xiàng):

聯(lián)接到所述第一像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第一像素陣列的定時(shí)和控制電路。

21.如權(quán)利要求18所述的裝置,其中,所述第二半導(dǎo)體芯片包括以下中的任意項(xiàng):

聯(lián)接到所述第二像素陣列的像素陣列電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的ADC電路;

聯(lián)接到所述第二像素陣列的定時(shí)和控制電路。

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