1.一種層疊體，所述層疊體具有支承基材和含有熒光體及樹脂的熒光體層，
當(dāng)利用流變儀在頻率1.0Hz、最大應(yīng)變1.0％的條件下測(cè)定時(shí)，所述支承基材的儲(chǔ)能模量G’和損耗模量G”在10℃以上且100℃以下的整個(gè)溫度范圍或一部分溫度范圍內(nèi)，滿足下述關(guān)系式，
G’＜G”(式1)，并且
10Pa＜G’＜105Pa(式2)。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊體，其中，所述支承基材包含熱塑性樹脂。
3.如權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中，所述支承基材的維卡軟化溫度為25℃以上且100℃以下。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述支承基材的熔點(diǎn)為40℃以上且100℃以下。
5.如權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述熱塑性樹脂包含選自由聚-α-烯烴樹脂、聚己內(nèi)酯樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、及它們中的一種以上與乙烯的共聚樹脂組成的組中的一種或兩種以上的樹脂。
6.一種發(fā)光裝置的制造方法，其包括下述工序：針對(duì)LED芯片的發(fā)光面，使用權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的層疊體，用熒光體層被覆LED芯片的發(fā)光面。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，LED芯片的光提取面不是單一平面。
8.如權(quán)利要求6～7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，LED芯片與熒光體層在LED芯片的上表面相接觸的部分中的從LED芯片上表面起至熒光體層外表面的距離A[μm]、和LED芯片與熒光體層在LED芯片的側(cè)面相接觸的部分中的從LED芯片側(cè)面起至熒光體層外表面的距離B[μm]滿足下述關(guān)系，
0.70≤A/B≤1.50。
9.如權(quán)利要求6～8中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置的制造方法，其包括以滿足下述關(guān)系的方式將熒光體層被覆于LED芯片的發(fā)光面的工序：將基板的上表面與LED芯片的側(cè)面的二面角設(shè)為a(°)，將基板的上表面與被覆著LED芯片側(cè)面發(fā)光部的熒光體層的同LED芯片被覆面相反一側(cè)的面的二面角設(shè)為b(°)時(shí)，
a-30≤b≤a。
10.一種發(fā)光裝置，其是通過權(quán)利要求6～9中任一項(xiàng)所述的制造方法得到的。
11.一種閃光燈，其包含權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置。
12.一種便攜式終端，其具備權(quán)利要求11所述的閃光燈。