技術總結
一種制造半導體結構的方法包括在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III?V材料構成的第一接合層，以及在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III?V材料構成的第二接合層。第一接合層和第二接合層設置在第一元件和第二元件之間，并且第一元件和第二元件在設置于第一接合層和第二接合層之間的接合界面處彼此附接。使用這種方法制造半導體結構。

技術研發(fā)人員：F·紐曼;F·萊因哈特;尚塔爾·艾爾納
受保護的技術使用者：索泰克公司
文檔號碼：201580034477
技術研發(fā)日：2015.06.10
技術公布日：2017.05.31