1.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括以下步驟：
在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III-V材料構(gòu)成的第一接合層；
在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III-V材料構(gòu)成的第二接合層；
用n-型摻雜劑摻雜所述第一接合層和所述第二接合層中的至少一個(gè)，并且選擇所述n-型摻雜劑以包括硒和碲中的至少一種；
在所述第一元件和所述第二元件之間設(shè)置所述第一接合層和所述第二接合層；以及
在設(shè)置于所述第一接合層和所述第二接合層之間的接合界面處將所述第一元件和所述第二元件彼此附接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括選擇所述第一III-V材料以包括磷化銦材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括選擇所述第二III-V材料以包括砷化鎵材料和磷化銦鎵材料中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括以至少大約1.5×1019cm-3的摻雜濃度摻雜所述第一接合層和所述第二接合層中的至少一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合層和所述第二接合層中的每一個(gè)進(jìn)一步包括外延生長(zhǎng)所述第一接合層和所述第二接合層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，外延生長(zhǎng)所述第一接合層和所述第二接合層進(jìn)一步包括外延生長(zhǎng)具有小于5埃的原生的表面均方根(rms)粗糙度的至少一個(gè)接合表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，用n-型摻雜劑摻雜所述第一接合層和所述第二接合層中的至少一個(gè)將所述第一接合層和所述第二接合層中的所述至少一個(gè)的吸收邊沿的波長(zhǎng)減小至少大約兩百(200)納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括選擇所述第一元件和所述第二元件中的至少一個(gè)以包括串聯(lián)太陽(yáng)能電池。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合層和形成所述第二接合層中的每一個(gè)包括形成具有小于大約1mΩcm2的電阻的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合層和形成所述第二接合層中的每一個(gè)包括形成對(duì)于在大約750nm到大約920nm之間的波長(zhǎng)至少基本上透明的材料。
11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：
第一接合層，所述第一接合層在第一元件的主表面上至少基本上由第一III-V材料構(gòu)成；
第二接合層，所述第二接合層在第二元件的主表面上至少基本上由第二III-V材料構(gòu)成；
其中，所述第一接合層和所述第二接合層設(shè)置在所述第一元件和所述第二元件之間；
其中，所述第一接合層和所述第二接合層中的至少一個(gè)進(jìn)一步包括至少一個(gè)n-型摻雜劑，其中，所述至少一個(gè)n-型摻雜劑包括硒和碲中的至少一種；以及
接合界面，所述接合界面設(shè)置在所述第一接合層和所述第二接合層之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一III-V材料包括磷化銦材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第二III-V材料包括砷化鎵材料和磷化銦鎵材料中的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一接合層和所述第二接合層中的至少一個(gè)包括至少大約1.5×1019cm-3的摻雜劑濃度的至少一種摻雜劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一接合層和所述第二接合層的每一個(gè)包括外延生長(zhǎng)的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述外延生長(zhǎng)的材料進(jìn)一步包括具有小于0.5納米的原生的表面均方根(rms)粗糙度的至少一個(gè)接合表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一接合層和所述第二接合層中的每一個(gè)包括大約兩百(200)納米或更小的吸收邊沿波長(zhǎng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一元件和所述第二元件中的至少一個(gè)包括串聯(lián)太陽(yáng)能電池。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一接合層和所述第二接合層中的每一個(gè)包括具有小于大約1mΩcm2的電阻的材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一接合層和所述第二接合層中的每一個(gè)包括對(duì)于在大約750nm到大約920nm之間的波長(zhǎng)至少基本上透明的材料。