1.一種光電轉(zhuǎn)換元件，其包括：
第一電極；
有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層，其布置在所述第一電極的上層中，所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層包括一種或多種有機(jī)半導(dǎo)體材料；
緩沖層，其布置在所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的上層中，所述緩沖層包括非晶無(wú)機(jī)材料并且具有7.7至8.0eV的能級(jí)，且所述緩沖層與所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層之間的HOMO能級(jí)差為2eV以上；以及
第二電極，其布置在所述緩沖層的上層中。
2.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述緩沖層由多種金屬氧化物形成。
3.如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述金屬氧化物中的至少一者是金屬氧化物半導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述緩沖層由從如下群組中選擇的多種金屬氧化物形成，所述群組包括鋅氧化物、硅氧化物、錫氧化物、鈮氧化物、鈦氧化物、鉬氧化物、鋁氧化物、基于In-Ga-Zn的氧化物(IGZO)、鎂氧化物和鉿氧化物。
5.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述緩沖層由各自具有不同能級(jí)的多個(gè)層構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述緩沖層具有3至300nm的厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述緩沖層具有100kΩ/□以上的表面電阻。
8.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第二電極由透明材料形成。
9.如權(quán)利要求8所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述緩沖層由透明材料形成，且所述緩沖層與所述第二電極的相對(duì)折射率為0.3以下。
10.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述緩沖層是通過(guò)濺射法形成的。
11.一種成像裝置，其包括如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件。
12.一種光學(xué)傳感器，其包括如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件。
13.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)傳感器，其是紅外傳感器。
14.一種制造光電轉(zhuǎn)換元件的方法，所述方法包括：
形成第一電極的步驟；
在所述第一電極的上層中形成有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的步驟，所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層包括一種或多種有機(jī)半導(dǎo)體材料；
在所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的上層中形成形成緩沖層的步驟，所述緩沖層包括非晶無(wú)機(jī)材料并且具有7.7至8.0eV的能級(jí)，且所述緩沖層與所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層之間的HOMO能級(jí)差為2eV以上；以及
在所述緩沖層的上層中形成第二電極的步驟。
15.如權(quán)利要求14所述的制造光電轉(zhuǎn)換元件的方法，其包括通過(guò)濺射法形成所述緩沖層。
16.如權(quán)利要求15所述的制造光電轉(zhuǎn)換元件的方法，其包括在引入氧的同時(shí)形成所述緩沖層的膜。