技術(shù)總結(jié)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN類HFET)包括：柵極電極(13)；柵極電極焊盤(16)；連接?xùn)艠O電極(13)的一端部與柵極電極焊盤(16)的第一配線(22)；連接?xùn)艠O電極(13)的另一端部與柵極電極焊盤(16)的第二配線(23)；和與第一配線(22)連接，能夠調(diào)節(jié)第一配線(22)的阻抗的電阻元件(17)。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木貴光;磯部雅哉;久保勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：夏普株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201580025928
技術(shù)研發(fā)日：2015.02.20
技術(shù)公布日：2017.02.22