1.一種發(fā)光器件，包括：
發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、被布置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下面的有源層以及被布置在所述有源層下面的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；
保護(hù)層，所述保護(hù)層被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上并且包括多個(gè)通孔；
第一電極，所述第一電極被設(shè)置在所述多個(gè)通孔中，并且包括被電連接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個(gè)金屬點(diǎn)；
電極焊盤，所述電極焊盤被電連接配置所述第一電極的多個(gè)金屬點(diǎn)，并且具有被布置在所述第一電極上的第一區(qū)域和被布置在所述保護(hù)層上的第二區(qū)域；以及
第二電極，所述第二電極被電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極包括彼此分開的第一區(qū)域和第二區(qū)域，并且所述電極焊盤被電連接到所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層包括被設(shè)置在其上表面上的光提取結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極的金屬點(diǎn)的寬度是4至5微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層的折射率小于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的折射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極包括主電極和從所述主電極延伸的外圍電極，并且所述主電極和所述外圍電極被布置在所述保護(hù)層的穿透區(qū)域中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，被布置在所述電極焊盤的第二區(qū)域下面的第一保護(hù)層的折射率小于在其中沒有布置所述電極焊盤的區(qū)域中設(shè)置的第二保護(hù)層的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述第一保護(hù)層包括氧化物，以及所述第二保護(hù)層包括氮化物。
9.一種發(fā)光器件，包括：
發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、被布置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下面的有源層以及被布置在所述有源層下面的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；
能量緩沖層，所述能量緩沖層被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下面，并且包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的能帶隙根據(jù)離所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的距離是恒定的，所述第二區(qū)域的能帶隙根據(jù)離所述第一區(qū)域的距離而逐漸減??；
拉伸應(yīng)變阻擋層，所述拉伸應(yīng)變阻擋層被布置在所述能量緩沖層下面并且具有的能帶隙小于或者等于所述第二區(qū)域的能帶隙；以及
窗口層，所述窗口層被布置在所述拉伸應(yīng)變阻擋層下面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，根據(jù)Al的組分比的變化來(lái)改變所述能量緩沖層的能帶隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述窗口層包括GaP組分，所述拉伸應(yīng)變阻擋層包括GaInP組分，以及所述能量緩沖層包括AlGaInP組分。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述第一區(qū)域包括(AlxGa(1-x))0.5In0.5P(x＝0.85)組分，以及所述第二區(qū)域包括(AlxGa(1-x))0.5In0.5P(0.85≤x≤0.3)組分。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述能量緩沖層的最低能帶隙大于形成所述有源層的阱層的能帶隙并且小于所述窗口層的能帶隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述拉伸應(yīng)變阻擋層的能帶隙大于形成所述有源層的阱層的能帶隙并且小于所述窗口層的能帶隙。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括：
第一電極，所述第一電極被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上并且被電連接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；
電極焊盤，所述電極焊盤被電連接到所述第一電極；以及
第二電極，所述第二電極被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下面并且被電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述能量緩沖層的厚度是180至250納米。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述能量緩沖層的厚度大于所述拉伸應(yīng)變阻擋層的厚度。
18.一種發(fā)光器件，包括：
發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、被布置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下面的有源層以及被布置在所述有源層下面的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；
第一窗口層，所述第一窗口層被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下面并且包括與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層相同的雜質(zhì)；
第二窗口層，所述第二窗口層被布置在所述第一窗口層下面，包括與在所述第一窗口層中包括的雜質(zhì)不同的雜質(zhì)并且具有比所述第一窗口層高的雜質(zhì)濃度；
第一電極，所述第一電極被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上并且被電連接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及
第二電極，所述第二電極被布置在所述第二窗口層下面并且被電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括：雜質(zhì)陷阱層，所述雜質(zhì)陷阱層被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述第一窗口層之間，并且被配置成防止所述第一窗口層中包括的雜質(zhì)被擴(kuò)散到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)中。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，
其中，所述第一窗口層包括作為雜質(zhì)的III或者V族元素，以及其中，所述第二窗口層包括作為雜質(zhì)的IV組元素。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中，所述第一窗口層包括作為雜質(zhì)的Mg元素，以及所述第二窗口層包括作為雜質(zhì)的C元素。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中，所述第一窗口層的摻雜濃度是5×1016/cm3至1×1018/cm3，以及所述第二窗口層的摻雜濃度是5×1018/cm3至1×1020/cm3。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中，所述第一窗口層具有2000至5000納米的厚度，以及所述第二窗口層具有200至500納米的厚度。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括：能量緩沖層，所述能量緩沖層被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述第一窗口層之間，并且具有其能帶隙根據(jù)離所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的距離而改變的區(qū)域。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件，其中，所述能量緩沖層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的能帶隙根據(jù)離所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的距離是恒定的，所述第二區(qū)域的能帶隙根據(jù)離所述第一區(qū)域的距離而逐漸減小。