技術特征：

1.一種有機半導體元件，在形成有下述(A)或(B)的薄膜的樹脂基材上設置有有機半導體層，

(A)含有以下a)和b)的有機無機復合薄膜：

a)式(I)表示的有機硅化合物的至少1種以上的縮合物，

R_nSiX_4-n···(I)

式中，R表示碳原子與式中的Si直接鍵合的有機基團，X表示羥基或水解性基團，n表示1或2，n為2時，各R可以相同也可以不同，(4-n)為2以上時，各X可以相同也可以不同；

b)熱固化性化合物的固化物和/或電磁射線固化性化合物的固化物

(B)含有以下d)、e)和f)的有機硅烷薄膜：

d)含環(huán)氧基的三烷氧基硅烷的水解縮合物；

e)聚胺類或咪唑類；

f)f-1)正戊醇、或者f-2)25℃時的pKa為2.0～6.0的范圍的有機酸、或者具有全氟烷基或全氟亞烷基的碳原子數(shù)2～5的醇類。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機半導體元件，其中，式(I)表示的有機硅化合物是利用Fedors的推算法求得的R的溶解參數(shù)SP1比利用Fedors的推算法求得的熱固化性化合物或電磁射線固化性化合物的溶解參數(shù)SP2小1.6以上的有機硅化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機半導體元件，其中，式(I)表示的有機硅化合物的縮合物為滿足下述數(shù)學式(1)的量的式(I-1)表示的有機硅化合物的至少1種以上與式(I-2)表示的有機硅化合物的至少1種以上的縮合物，

R¹_nSiX_4-n···(I-1)

式中，n表示1或2，n為2時，R¹彼此可以相同也可以不同，R¹為碳原子與式中的Si直接鍵合的有機基團，R¹中的1個以上表示含乙烯基的烴基，X表示羥基或水解性基團，彼此可以相同也可以不同；

R²_nSiX_4-n···(I-2)

式中，n表示1或2，n為2時，R²可以相同也可以不同，R²表示碳原子與式中的Si直接鍵合的除含乙烯基的烴基以外的有機基團，X表示羥基或水解性基團，彼此可以相同也可以不同，

30摩爾％≤{〔式(I-1)的化合物〕}/{〔式(I-1)的化合物〕+〔式(I-2)的化合物〕}×100＜100摩爾％···(1)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機半導體元件，其中，式(I)表示的有機硅化合物的縮合物為式(I-1)表示的有機硅化合物的至少1種以上與式(I-2)表示的有機硅化合物的至少1種以上的縮合物，且是滿足數(shù)學式(2)的有機硅化合物的縮合物，

R¹_nSiX_4-n···(I-1)

式中，n表示1或2，n為2時，R¹彼此可以相同也可以不同，R¹是碳原子與式中的Si直接鍵合的有機基團，R¹中的1個以上表示含乙烯基的烴基，X表示羥基或水解性基團，彼此可以相同也可以不同；

R²_nSiX_4-n···(I-2)

式中，n表示1或2，n為2時，R²可以相同也可以不同，R²表示碳原子與式中的Si直接鍵合的、除含乙烯基的烴基以外的有機基團，X表示羥基或水解性基團，彼此可以相同也可以不同，

30摩爾％≤{〔縮合物中的來自式(I-1)的化合物的單元〕}/{〔縮合物中的來自式(I-1)的化合物的單元〕+〔縮合物中的來自式(I-2)的化合物的單元〕}×100＜100摩爾％···(2)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的有機半導體元件，其中，在所述樹脂基材上進一步設置有有機單分子膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的有機半導體元件，其中，有機半導體元件為有機薄膜晶體管。