本發(fā)明涉及組合物及使用該組合物的發(fā)光元件。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光元件(有機(jī)EL元件)等發(fā)光元件由于外部量子效率高、驅(qū)動(dòng)電壓低，因此能夠適合地用于顯示器等用途，近年來受到關(guān)注。

作為用于發(fā)光元件的發(fā)光層的材料，例如提出了一種組合物，其含有包含亞苯基結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物、下述式所示的藍(lán)色磷光發(fā)光性化合物1、下述式所示的綠色磷光發(fā)光性化合物1和下述式所示的紅色磷光發(fā)光性化合物1(專利文獻(xiàn)1)。需要說明的是，該藍(lán)色磷光發(fā)光性化合物1是具有由6元的芳香族雜環(huán)和6元的芳香族烴環(huán)構(gòu)成的配體骨架的磷光發(fā)光性化合物，該綠色磷光發(fā)光性化合物1是不具有樹枝化基元的磷光發(fā)光性化合物。

另外，作為用于發(fā)光元件的發(fā)光層的材料，例如提出了一種組合物，其含有具有雜環(huán)結(jié)構(gòu)的低分子化合物、下述式所示的藍(lán)色磷光發(fā)光性化合物2、下述式所示的綠色磷光發(fā)光性化合物2和下述式所示的紅色磷光發(fā)光性化合物2(專利文獻(xiàn)2)。需要說明的是，該綠色磷光發(fā)光性化合物2及該紅色磷光發(fā)光性化合物2為不具有樹枝化基元的磷光發(fā)光性化合物。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-36381號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：國際公開第2009/116414號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

然而，使用上述組合物制造的發(fā)光元件其外部量子效率并不一定充分。

因此，本發(fā)明的目的在于，提供對(duì)于外部量子效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造有用的組合物。本發(fā)明的目的還在于，提供使用該組合物得到的發(fā)光元件。

用于解決問題的手段

第一，本發(fā)明提供一種組合物，其含有：

發(fā)光譜的最大峰值波長為380nm以上且小于495nm并且不具有樹枝化基元的磷光發(fā)光性化合物(B)、

發(fā)光譜的最大峰值波長為495nm以上且小于750nm并且具有樹枝化基元的2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)和式(H-1)所示的化合物，

磷光發(fā)光性化合物(B)為式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物，

磷光發(fā)光性化合物(DGR)為式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物(以下也稱作“本發(fā)明的第一組合物”)。

[式中，

Ar^H1及Ar^H2各自獨(dú)立地表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

n^H1及n^H2各自獨(dú)立地表示0或1。在n^H1存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。存在的多個(gè)n^H2可以相同也可以不同。

n^H3表示0以上的整數(shù)，

L^H1表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基或-[C(R^H11)₂]n^H11-所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在L^H1存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

n^H11表示1以上且10以下的整數(shù)。R^H11表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)R^H11可以相同也可以不同，彼此可以鍵合而與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。

L^H2表示-N(-L^H21-R^H21)-所示的基團(tuán)。在L^H2存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

L^H21表示單鍵、亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。R^H21表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]

[式中。

M表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。

n¹表示1以上的整數(shù)，n²表示0以上的整數(shù)，n¹+n²為2或3。在M為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n¹+n²為3，在M為鈀原子或鉑原子的情況下，n¹+n²為2。

E¹及E²各自獨(dú)立地表示碳原子或氮原子，其中E¹及E²中的至少之一為碳原子。

環(huán)R¹表示5元的芳香族雜環(huán)，該環(huán)可以具有取代基。在該取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)R¹存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

環(huán)R²表示5元或6元的芳香族烴環(huán)或者5元或6元的芳香族雜環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。在該取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)R²存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，其中環(huán)R²為6元的芳香族雜環(huán)的情況下，E²為碳原子。

環(huán)R¹可以具有的取代基與環(huán)R²可以具有的取代基彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。

A¹-G¹-A²表示陰離子性的二齒配體。A¹及A²各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子，這些原子可以是構(gòu)成環(huán)的原子。G¹表示單鍵或者與A¹及A²一起形成二齒配體的原子團(tuán)。在A¹-G¹-A²存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]

[式中，

M表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。

n³表示1以上的整數(shù)，n⁴表示0以上的整數(shù)，n³+n⁴為2或3。在M為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n³+n⁴為3，在M為鈀原子或鉑原子的情況下，n³+n⁴為2。

E⁴表示碳原子或氮原子。

環(huán)R³表示6元的芳香族雜環(huán)，該環(huán)可以具有取代基。在該取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)R³存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

環(huán)R⁴表示5元或6元的芳香族烴環(huán)或者5元或6元的芳香族雜環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。在該取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)R⁴存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，其中環(huán)R⁴為6元的芳香族雜環(huán)的情況下，E⁴為碳原子。

環(huán)R³可以具有的取代基與環(huán)R⁴可以具有的取代基彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。

需要說明的是，選自環(huán)R³及環(huán)R⁴中的至少一個(gè)環(huán)具有樹枝化基元。

A¹-G¹-A²表示陰離子性的二齒配體。A¹及A²各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子，這些原子可以是構(gòu)成環(huán)的原子。G¹表示單鍵或者與A¹及A²一起形成二齒配體的原子團(tuán)。在A¹-G¹-A²存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]

在本發(fā)明的第一組合物中，出于使用本發(fā)明的第一組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1’)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[式中，

M、n¹、n²、E¹、E²、環(huán)R²及A¹-G¹-A²表示與上文相同的含義。

環(huán)R¹’表示二唑環(huán)，該二唑環(huán)可以具有取代基。在該取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)R¹’存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

環(huán)R¹’可以具有的取代基與環(huán)R²可以具有的取代基彼此可以鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。]

第二，本發(fā)明提供一種組合物，其含有：

發(fā)光譜的最大峰值波長為380nm以上且小于495nm并且不具有樹枝化基元的磷光發(fā)光性化合物(B)、

發(fā)光譜的最大峰值波長為495nm以上且小于750nm并且具有樹枝化基元的2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)、和

包含式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物，

磷光發(fā)光性化合物(B)為上述式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物，

磷光發(fā)光性化合物(DGR)為上述式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物(以下也稱作“本發(fā)明的第二組合物”)。

[式中，Ar^Y1表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、或者、至少一種亞芳基與至少一種二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。]

第三，本發(fā)明提供使用上述組合物得到的發(fā)光元件。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，可以提供對(duì)于外部量子效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造有用的組合物。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供使用該組合物得到的發(fā)光元件。

本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式涉及的發(fā)光元件(具體來說，具有使用本發(fā)明的組合物得到的發(fā)光層和使用后述的空穴傳輸層的高分子化合物得到的空穴傳輸層的發(fā)光元件)是亮度壽命也優(yōu)異的發(fā)光元件。

具體實(shí)施方式

以下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。

<共通的術(shù)語的說明>

在本說明書中共通使用的術(shù)語只要沒有特別記載就是以下的含義。

Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示異丙基，t-Bu表示叔丁基。

氫原子也可以為氘原子，還可以為氕原子。

表示金屬絡(luò)合物的式中，表示與中心金屬的鍵合的實(shí)線是指共價(jià)鍵或配位鍵。

“高分子化合物”是指具有分子量分布且聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1×10³～1×10⁸的聚合物。

高分子化合物可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一種，也可以為其它的形態(tài)。

若聚合活性基團(tuán)原樣殘留，則在將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時(shí)發(fā)光特性或亮度壽命有可能下降，因而高分子化合物的末端基團(tuán)優(yōu)選為穩(wěn)定的基團(tuán)。該末端基團(tuán)優(yōu)選為與主鏈進(jìn)行共軛鍵合的基團(tuán)，例如可以舉出：經(jīng)由碳-碳鍵與芳基或一價(jià)雜環(huán)基鍵合的基團(tuán)。

“低分子化合物”是指沒有分子量分布且分子量為1×10⁴以下的化合物。

“結(jié)構(gòu)單元”是指在高分子化合物中存在有1個(gè)以上的單位。

“烷基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。直鏈的烷基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為1～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。支鏈的烷基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。

烷基可以具有取代基，烷基例如可以舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3，7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團(tuán)，例如可以舉出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3，5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基。

“環(huán)烷基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。

環(huán)烷基可以具有取代基，環(huán)烷基例如可以舉出環(huán)己基、環(huán)己基甲基、環(huán)己基乙基。

“芳基”是指從芳香族烴除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子直接鍵合的氫原子1個(gè)后余下的原子團(tuán)。芳基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為6～20，更優(yōu)選為6～10。

芳基可以具有取代基，芳基例如可以舉出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團(tuán)。

“烷氧基”可以是直鏈及支鏈中的任一種。直鏈的烷氧基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為1～40，優(yōu)選為4～10。支鏈的烷氧基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～40，優(yōu)選為4～10。

烷氧基可以具有取代基，烷氧基例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團(tuán)。

“環(huán)烷氧基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～40，優(yōu)選為4～10。

環(huán)烷氧基可以具有取代基，環(huán)烷氧基例如可以舉出環(huán)己氧基。

“芳氧基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為7～48。

芳氧基可以具有取代基，芳氧基例如可以舉出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘基氧基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、氟原子等取代后的基團(tuán)。

“p價(jià)雜環(huán)基”(p表示1以上的整數(shù))是指，從雜環(huán)式化合物除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個(gè)氫原子后余下的原子團(tuán)。p價(jià)雜環(huán)基之中，優(yōu)選為從芳香族雜環(huán)式化合物除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個(gè)氫原子后余下的原子團(tuán)即“p價(jià)芳香族雜環(huán)基”。

“芳香族雜環(huán)式化合物”是指，噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷雜環(huán)戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、噠嗪、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并噻咯、二苯并磷雜環(huán)戊二烯等雜環(huán)自身表現(xiàn)芳香性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼雜環(huán)戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等雜環(huán)自身雖然不表現(xiàn)芳香性但是在雜環(huán)上稠合有芳環(huán)的化合物。

一價(jià)雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～60，優(yōu)選為4～20。

一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基，一價(jià)雜環(huán)基例如可以舉出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基等取代后的基團(tuán)。

“鹵原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

“氨基”可以具有取代基，氨基優(yōu)選為取代氨基。氨基所具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基。

取代氨基例如可以舉出：二烷基氨基、二環(huán)烷基氨基及二芳基氨基。

氨基例如可以舉出二甲氨基、二乙氨基、二苯基氨基、雙(4-甲基苯基)氨基、雙(4-叔丁基苯基)氨基、雙(3，5-二叔丁基苯基)氨基。

“烯基”可以是直鏈及支鏈中的任一種。直鏈的烯基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～30，優(yōu)選為3～20。支鏈的烯基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～30，優(yōu)選為4～20。

“環(huán)烯基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～30，優(yōu)選為4～20。

烯基及環(huán)烯基可以具有取代基，例如可以舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、以及這些基團(tuán)具有取代基的基團(tuán)。

“炔基”可以是直鏈及支鏈中的任一種。炔基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內(nèi)，通常為2～20，優(yōu)選為3～20。支鏈的炔基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內(nèi)，通常為4～30，優(yōu)選為4～20。

“環(huán)炔基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內(nèi)，通常為4～30，優(yōu)選為4～20。

炔基及環(huán)炔基可以具有取代基，例如可以舉出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、以及這些基團(tuán)具有取代基的基團(tuán)。

“亞芳基”是指從芳香族烴除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子直接鍵合的氫原子2個(gè)后余下的原子團(tuán)。亞芳基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為6～30，更優(yōu)選為6～18。

亞芳基可以具有取代基，亞芳基例如可以舉出亞苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、二基、以及這些基團(tuán)具有取代基的基團(tuán)，優(yōu)選為式(A-1)～式(A-20)所示的基團(tuán)。亞芳基包括多個(gè)這些基團(tuán)鍵合成的基團(tuán)。

[式中，R及R^a各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基。存在的多個(gè)R及R^a各自可以相同也可以不同，R^a彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。]

二價(jià)雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～60，優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為4～15。

二價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基，二價(jià)雜環(huán)基例如可以舉出從吡啶、二氮雜苯、三嗪、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中2個(gè)氫原子后的二價(jià)基團(tuán)，優(yōu)選為式(AA-1)～式(AA-34)所示的基團(tuán)。二價(jià)雜環(huán)基包括多個(gè)這些基團(tuán)鍵合成的基團(tuán)。

[式中，R及R^a表示與上文相同的含義。]

“交聯(lián)基”是指通過供于加熱處理、紫外線照射處理、自由基反應(yīng)等可生成新的鍵的基團(tuán)，優(yōu)選為式(B-1)-(B-17)中任一者所示的基團(tuán)。這些基團(tuán)可以具有取代基。

“取代基”表示鹵原子、氰基、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基或環(huán)炔基。取代基可以是交聯(lián)基。

<磷光發(fā)光性化合物>

“磷光發(fā)光性化合物”是指表現(xiàn)磷光發(fā)光性的化合物，優(yōu)選為表現(xiàn)來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物。該表現(xiàn)來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物具有中心金屬原子及配體。

中心金屬原子可例示：為原子序數(shù)40以上的原子且在絡(luò)合物中有自旋-軌道相互作用、可發(fā)生單重態(tài)狀態(tài)與三重態(tài)狀態(tài)間的系間竄越的金屬原子。該金屬原子可例示：釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子及鉑原子。

配體可例示：在中心金屬原子之間形成選自配位鍵及共價(jià)鍵中的至少一種鍵的中性或陰離子性的單齒配體或者中性或陰離子性的多齒配體。中心金屬原子與配體之間的鍵可例示：金屬-氮鍵、金屬-碳鍵、金屬-氧鍵、金屬-磷鍵、金屬-硫鍵及金屬-鹵素鍵。多齒配體通常是指2齒以上且6齒以下的配體。

磷光發(fā)光性化合物可以從Aldrich、Luminescence Technology Corp.、American Dye Source等獲得。

另外，作為上述以外的獲得方法，也能夠通過“Journal of the American Chemical Society，Vol.107，1431-1432(1985)”、“Journal of the American Chemical Society，Vol.106，6647-6653(1984)”、國際公開第2011/024761號(hào)、國際公開第2002/44189號(hào)、日本特開2006-188673號(hào)公報(bào)等文獻(xiàn)中記載的公知的方法進(jìn)行制造。

磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰值波長可以如下進(jìn)行評(píng)價(jià)：使磷光發(fā)光性化合物溶于二甲苯、甲苯、氯仿、四氫呋喃等有機(jī)溶劑，制備稀薄溶液(1×10^-6～1×10^-3重量％左右)，在室溫對(duì)該稀薄溶液的PL譜進(jìn)行測(cè)定，由此進(jìn)行評(píng)價(jià)。作為溶解磷光發(fā)光性化合物的有機(jī)溶劑，優(yōu)選二甲苯。

<樹枝化基元>

“樹枝化基元”是指，具有以原子或環(huán)為分支點(diǎn)的規(guī)則的樹枝狀支鏈結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。需要說明的是，具有樹枝化基元作為局部結(jié)構(gòu)的磷光發(fā)光性化合物(有時(shí)稱作具有樹枝化基元的磷光發(fā)光性化合物)例如可以舉出國際公開第02/067343號(hào)、日本特開2003-231692號(hào)公報(bào)、國際公開第2003/079736號(hào)、國際公開第2006/097717號(hào)等文獻(xiàn)中記載的結(jié)構(gòu)。

樹枝化基元優(yōu)選為式(D-A)或(D-B)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(D-A)所示的基團(tuán)。

[式中，

m^DA1、m^DA2及m^DA3各自獨(dú)立地表示0以上的整數(shù)。

G^DA表示氮原子、芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。

T^DA表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)T^DA可以相同也可以不同。]

[式中，m^DA1、m^DA2、m^DA3、m^DA4、m^DA5、m^DA6及m^DA7各自獨(dú)立地表示0以上的整數(shù)。

G^DA表示氮原子、芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)G^DA可以相同也可以不同。

Ar^DA1、Ar^DA2、Ar^DA3、Ar^DA4、Ar^DA5、Ar^DA6及Ar^DA7各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在Ar^DA1、Ar^DA2、Ar^DA3、Ar^DA4、Ar^DA5、Ar^DA6及Ar^DA7存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。

T^DA表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)T^DA可以相同也可以不同。]

m^DA1、m^DA2、m^DA3、m^DA4、m^DA5、m^DA6及m^DA7通常為10以下的整數(shù)，優(yōu)選為5以下的整數(shù)，更優(yōu)選為0或1，進(jìn)一步優(yōu)選為0。

m^DA2及m^DA3優(yōu)選為相同的整數(shù)。

m^DA4、m^DA5、m^DA6及m^DA7優(yōu)選為相同的整數(shù)。

m^DA2、m^DA3、m^DA4、m^DA5、m^DA6及m^DA7更優(yōu)選為相同的整數(shù)，m^DA1、m^DA2、m^DA3、m^DA4、m^DA5、m^DA6及m^DA7進(jìn)一步優(yōu)選為相同的整數(shù)。

G^DA優(yōu)選為從苯環(huán)、吡啶環(huán)、嘧啶環(huán)、三嗪環(huán)或咔唑環(huán)除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子或氮原子直接鍵合的氫原子3個(gè)而成的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

G^DA可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基。

G^DA優(yōu)選為式(GDA-11)～(GDA-15)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

[式中，

*表示與式(D-A)中的Ar^DA1、式(D-B)中的Ar^DA1、式(D-B)中的Ar^DA2或式(D-B)中的Ar^DA3的鍵合。

**表示與式(D-A)中的Ar^DA2、式(D-B)中的Ar^DA2、式(D-B)中的Ar^DA4或式(D-B)中的Ar^DA6的鍵合。

***表示與式(D-A)中的Ar^DA3、式(D-B)中的Ar^DA3、式(D-B)中的Ar^DA5或式(D-B)中的Ar^DA7的鍵合。

R^DA表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。在R^DA存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]

R^DA優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^DA1、Ar^DA2、Ar^DA3、Ar^DA4、Ar^DA5、Ar^DA6及Ar^DA7優(yōu)選為式(ArDA-1)～(ArDA-3)所示的基團(tuán)。

[式中，

R^DA表示與上文相同的含義。

R^DB表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在R^DB存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]

R^DB優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為芳基。

T^DA優(yōu)選為式(TDA-1)～(TDA-3)所示的基團(tuán)。

[式中，R^DA及R^DB表示與上文相同的含義。]

式(D-A)所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(D-A1)～(D-A3)所示的基團(tuán)。

[式中，

R^p1、R^p2及R^p3各自獨(dú)立地表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基或鹵原子。在R^p1及R^p2存在有多個(gè)的情況下，它們各自相同或不同。

np1表示0～5的整數(shù)，np2表示0～3的整數(shù)，np3表示0或1。存在的多個(gè)np1可以相同也可以不同。]

式(D-B)所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(D-B1)～(D-B3)所示的基團(tuán)。

[式中，

R^p1、R^p2及R^p3各自獨(dú)立地表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基或鹵原子。在R^p1及R^p2存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。

np1表示0～5的整數(shù)，np2表示0～3的整數(shù)，np3表示0或1。在np1及np2存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。]

np1優(yōu)選為0或1，更優(yōu)選為1。np2優(yōu)選為0或1，更優(yōu)選為0。np3優(yōu)選為0。

R^p1、R^p2及R^p3優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基。

樹枝化基元例如可以舉出式(D-A-1)～(D-A-20)及(D-B-1)～(D-B-8)所示的基團(tuán)。

[表1]

[表2]

[式中，*、**及***表示與上文相同的含義。]

R^p表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，這些基團(tuán)可以具有取代基，R^p優(yōu)選為甲基、叔丁基、己基、2-乙基己基、式(Rp-1)所示的基團(tuán)或2-乙基己氧基，更優(yōu)選為叔丁基或式(Rp-1)所示的基團(tuán)。

<磷光發(fā)光性化合物(B)>

本發(fā)明的第一組合物及第二組合物中含有的磷光發(fā)光性化合物(B)是發(fā)光譜的最大峰值波長為380nm以上且小于495nm并且不具有樹枝化基元的式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物。

E¹及E²優(yōu)選為碳原子。

出于使用本發(fā)明的組合物(本發(fā)明的第一或第二組合物)得到的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，M優(yōu)選為銥原子或鉑原子，更優(yōu)選為銥原子。

在M為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n¹優(yōu)選為2或3，更優(yōu)選為3。

在M為鈀原子或鉑原子的情況下，n¹優(yōu)選為2。

環(huán)R¹優(yōu)選為具有1個(gè)以上且4個(gè)以下的氮原子作為構(gòu)成原子的5元的芳香族雜環(huán)，更優(yōu)選為具有2個(gè)以上且3個(gè)以下的氮原子作為構(gòu)成原子的5元的芳香族雜環(huán)，進(jìn)一步優(yōu)選為二唑環(huán)或三唑環(huán)，特別優(yōu)選為咪唑環(huán)或三唑環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。

環(huán)R²優(yōu)選為苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、菲環(huán)、吡啶環(huán)、二氮雜苯環(huán)或三嗪環(huán)，更優(yōu)選為苯環(huán)、吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)，進(jìn)一步優(yōu)選為苯環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。

環(huán)R¹及環(huán)R²可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或氟原子，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或氟原子，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，特別優(yōu)選為烷基或芳基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。在環(huán)R¹及環(huán)R²可以具有的取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。

A¹-G¹-A²所示的陰離子性的二齒配體例如可以舉出下述所示的配體。

[式中，*2表示與M或后述的M¹鍵合的部位。]

A¹-G¹-A²所示的陰離子性的二齒配體可以為下述所示的配體，需要說明的是，A¹-G¹-A²所示的陰離子性的二齒配體與由后綴n¹定義其數(shù)量的配體不同。

[式中，

*表示與上文相同的含義。

R^L1表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)R^L1可以相同也可以不同。

R^L2表示烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。]

R^L1優(yōu)選為氫原子、烷基、芳基或氟原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。

R^L2優(yōu)選為烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

本發(fā)明的第一組合物中，出于使用本發(fā)明的第一組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1’)所示的磷光發(fā)光性化合物。

出于使用本發(fā)明的第一組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，環(huán)R^1，優(yōu)選為咪唑環(huán)，該咪唑環(huán)可以具有取代基。

環(huán)R^1，及環(huán)R²可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或氟原子，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或氟原子，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，特別優(yōu)選為烷基或芳基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。在環(huán)R^1，及環(huán)R²可以具有的取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。

式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1-A)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[式中，

n¹、n²及A¹-G¹-A²表示與上文相同的含義。

M¹表示銥原子或鉑原子。

E^1A、E^2A、E^3A、E^4A、E^2B、E^3B、E^4B及E^5B各自獨(dú)立地表示氮原子或碳原子。在E^1A、E^2A、E^3A、E^4A、E^2B、E^3B、E^4B及E^5B存在多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。在E^2A、E^3A及E^4A為氮原子的情況下，R^2A、R^3A及R4^A可以存在也可以不存在。在E^2B、E^3B、E^4B及E^5B為氮原子的情況下，R^2B、R^3B、R^4B及R^5B不存在。

R^2A、R^3A、R^4A、R^2B、R^3B、R^4B及R^5B各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。在R^2A、R^3A、R^4A、R^2B、R^3B、R^4B及R^5B存在多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。R^2A與R^3A、R^3A與R^4A、R^2A與R^2B、R^2B與R^3B、R^3B與R^4B、以及R^4B與R^5B各組可以發(fā)生鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。

環(huán)R^1A表示由氮原子、E^1A、E^2A、E^3A及E^4A構(gòu)成的二唑環(huán)或三唑環(huán)。

環(huán)R^1B表示由兩個(gè)碳原子、E^2B、E^3B、E^4B及E^5B構(gòu)成的苯環(huán)、吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)。]

M¹優(yōu)選為銥原子。

在環(huán)R^1A為二唑環(huán)的情況下，優(yōu)選E^2A或E^3A為氮原子，更優(yōu)選E^2A為氮原子。

在環(huán)R^1A為三唑環(huán)的情況下，E^2A、E^3A及E^4A之中，優(yōu)選任兩個(gè)為氮原子，更優(yōu)選E^2A及E^3A為氮原子。

在E^2A為氮原子且R^2A存在的情況下，R^2A優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^2A為碳原子的情況下，R^2A優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^3A為氮原子且R^3A存在的情況下，R^3A優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^3A為碳原子的情況下，R^3A優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^4A為氮原子且R^4A存在的情況下，R^4A優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^4A為碳原子的情況下，R^4A優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在環(huán)R^1B為吡啶環(huán)的情況下，E^3B、E^4B及E^5B之中，優(yōu)選任一個(gè)為氮原子，更優(yōu)選E^3B為氮原子。

在環(huán)R^1B為二氮雜苯環(huán)的情況下，優(yōu)選E^2B及E^4B、或者E^3B及E^5B為氮原子，更優(yōu)選E^3B及E^5B為氮原子。

環(huán)R^1B優(yōu)選為苯環(huán)。

R^2B、R^3B、R^4B及R^5B優(yōu)選為氫原子、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或氟原子，更優(yōu)選為氫原子、烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

R^5B優(yōu)選為氫原子或烷基，更優(yōu)選為氫原子。

本發(fā)明的第一組合物中，式(1’)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1’-A)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[式中，

n¹、n²、A¹-G¹-A²、M¹、E^2B、E^3B、E^4B、E^5B、R^2A、R^3A、R^4A、R^2B、R^3B、R^4B、R^5B及環(huán)R^1B表示與上文相同的含義。

E^1，A、E^2，A、E^3，A及E^4，A各自獨(dú)立地表示氮原子或碳原子。在E^1，A、E^2，A、E^3，A及E^4，A存在多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。在E^2，A、E^3，A及E^4，A為氮原子的情況下，R^2A、R^3A及R^4A可以存在也可以不存在，其中選自E^1，A、E^2，A、E^3，A及E^4，A中的一個(gè)為氮原子，其余的3個(gè)為碳原子。

環(huán)R^1，A表示由氮原子、E^1，A、E^2，A、E^3，A及E^4，A構(gòu)成的二唑環(huán)。]

出于使用本發(fā)明的第一組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，環(huán)R^1，A優(yōu)選為咪唑環(huán)。

環(huán)R^1，A中，優(yōu)選E^2，A或E^3，A為氮原子，更優(yōu)選E^2，A為氮原子。

在E^2，A為氮原子且R^2A存在的情況下，R^2A優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^2，A為碳原子的情況下，R^2A優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^3，A為氮原子且R^3A存在的情況下，R^3A優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^3，A為碳原子的情況下，R^3A優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^4，A為氮原子且R^4A存在的情況下，R^4A優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

在E^4，A為碳原子的情況下，R^4A優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

式(1-A)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1-A1)～(1-A4)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-A1)或式(1-A3)所示的磷光發(fā)光性化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為式(1-A1)所示的磷光發(fā)光性化合物。

本發(fā)明的第一組合物中，式(1’-A)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1-A3)或(1-A4)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-A3)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[式中，

M¹、R^2A、R^3A、R^4A、R^2B、R^3B、R^4B及R^5B表示與上文相同的含義。

n^1A表示2或3的整數(shù)，在M¹為銥原子的情況下，n^1A為3，在M¹為鉑原子的情況下，n^1A為2。]

式(1-A1)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-A1-1)～(1-A1-15)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-A1-1)～(1-A1-13)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表3]

式(1-A2)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-A2-1)～(1-A2-15)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-A2-1)～(1-A2-13)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表4]

式(1-A3)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-A3-1)～(1-A3-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-A3-1)～(1-A3-17)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-A3-5)～(1-A3-17)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表5]

[表6]

式(1-A4)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-A4-1)～(1-A4-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-A4-1)～(1-A4-17)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-A4-5)～(1-A4-17)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表7]

[表8]

磷光發(fā)光性化合物(B)例如可以舉出式(1-A1-1)～(1-A1-15)、式(1-A2-1)～(1-A2-15)、式(1-A3-1)～(1-A3-19)、式(1-A4-1)～(1-A4-19)及式(1-A-1)～(1-A-11)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-A1-1)～(1-A1-13)、式(1-A2-1)～(1-A2-13)、式(1-A3-1)～(1-A3-17)或式(1-A4-1)～(1-A4-17)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-A1-1)～(1-A1-13)或式(1-A3-1)～(1-A3-17)所示的磷光發(fā)光性化合物。

本發(fā)明的第一組合物中，磷光發(fā)光性化合物(B)優(yōu)選為式(1-A3-1)～(1-A3-17)或式(1-A4-1)～(1-A4-17)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-A3-1)～(1-A3-17)所示的磷光發(fā)光性化合物。

<磷光發(fā)光性化合物(DGR)>

本發(fā)明的第一組合物及第二組合物中含有的2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)是發(fā)光譜的最大峰值波長為495nm以上且小于750nm并且具有樹枝化基元的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物。

E⁴優(yōu)選為碳原子。

在M為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n³優(yōu)選為2或3，更優(yōu)選為3。

在M為鈀原子或鉑原子的情況下，n³優(yōu)選為2。

環(huán)R³為6元的芳香族雜環(huán)，該環(huán)所具有的取代基彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。環(huán)R³優(yōu)選為具有1個(gè)以上且4個(gè)以下的氮原子作為構(gòu)成原子的6元的芳香族雜環(huán)，更優(yōu)選為具有1個(gè)以上且2個(gè)以下的氮原子作為構(gòu)成原子的6元的芳香族雜環(huán)，進(jìn)一步優(yōu)選為吡啶環(huán)、二氮雜苯環(huán)、喹啉環(huán)或異喹啉環(huán)，特別優(yōu)選為吡啶環(huán)、喹啉環(huán)或異喹啉環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。

環(huán)R⁴為5元或6元的芳香族烴環(huán)、或者5元或6元的芳香族雜環(huán)，這些環(huán)所具有的取代基彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。環(huán)R⁴優(yōu)選為苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、菲環(huán)、吡啶環(huán)、二氮雜苯環(huán)、吡咯環(huán)、呋喃環(huán)或噻吩環(huán)，更優(yōu)選為苯環(huán)、萘環(huán)或芴環(huán)，進(jìn)一步優(yōu)選為苯環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。

“選自環(huán)R³及環(huán)R⁴中的至少一個(gè)環(huán)具有樹枝化基元”是指，與構(gòu)成存在的多個(gè)環(huán)之中的至少一個(gè)環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子的一部分或全部被樹枝化基元取代。例如，式(2)中，在環(huán)R³及環(huán)R⁴存在多個(gè)的情況下(即n³為2或3時(shí))，存在的多個(gè)環(huán)R³及存在的多個(gè)環(huán)R⁴之中至少一個(gè)環(huán)具有樹枝化基元即可。

環(huán)R³及環(huán)R⁴之中至少一個(gè)環(huán)所具有的樹枝化基元的個(gè)數(shù)通常為1個(gè)以上且5個(gè)以下，出于容易合成磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為1個(gè)以上且3個(gè)以下，更優(yōu)選為1個(gè)或2個(gè)，進(jìn)一步優(yōu)選為1個(gè)。

在環(huán)R³及環(huán)R⁴之中至少一個(gè)環(huán)所具有的樹枝化基元為式(D-A)或(D-B)所示的基團(tuán)且m^DA1為1以上的整數(shù)的情況下，與環(huán)R³和/或環(huán)R⁴鍵合的Ar^DA1優(yōu)選為可以具有取代基的亞苯基，更優(yōu)選為式(ArDA-1)所示的基團(tuán)。

在環(huán)R³及環(huán)R⁴之中至少一個(gè)環(huán)所具有的樹枝化基元為式(D-A)或(D-B)所示的基團(tuán)且m^DA1為0的情況下，與環(huán)R³和/或環(huán)R⁴鍵合的G^DA1優(yōu)選為從可以具有取代基的苯環(huán)或三嗪環(huán)除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子直接鍵合的氫原子3個(gè)而成的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(GDA-11)或(GDA-14)所示的基團(tuán)。

環(huán)R³及環(huán)R⁴之中至少一個(gè)環(huán)所具有的樹枝化基元優(yōu)選為式(D-A1)、(D-A3)、(D-B1)或(D-B3)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(D-A1)或(D-A3)所示的基團(tuán)。

在M為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物所具有的樹枝化基元的個(gè)數(shù)通常為1個(gè)以上且15個(gè)以下，出于容易合成式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為1個(gè)以上且9個(gè)以下，更優(yōu)選為2個(gè)以上且6個(gè)以下。

在M為鈀原子或鉑原子的情況下，式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物所具有的樹枝化基元的個(gè)數(shù)通常為1個(gè)以上且9個(gè)以下，出于容易合成式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為1個(gè)以上且6個(gè)以下，更優(yōu)選為2個(gè)以上且4個(gè)以下。

環(huán)R³及環(huán)R⁴可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或樹枝化基元，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基、芳基或樹枝化基元，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。在環(huán)R³及環(huán)R⁴可以具有的取代基存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。

式(2)中，A¹-G¹-A²所示的陰離子性的二齒配體的定義及例子與上述的式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物中的A¹-G¹-A²所示的陰離子性的二齒配體的定義及例子同樣，需要說明的是，A¹-G¹-A²所示的陰離子性的二齒配體與以后綴n³定義其數(shù)量的配體不同。

式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(2-A1)～(2-A5)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-A1)、(2-A2)或(2-A5)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[式中，

M¹、A¹-G¹-A²、n³及n⁴表示與上文相同的含義。

R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C及R^8C各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價(jià)雜環(huán)基、鹵原子或樹枝化基元，這些基團(tuán)可以具有取代基。在R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C及R^8C存在多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。R^1C與R^2C、R^2C與R^3C、R^3C與R^4C、R^4C與R^5C、R^5C與R^6C、R^6C與R^7C、以及R^7C與R^8C各組可以鍵合并與各組所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。

需要說明的是，選自R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C及R^8C中的至少一個(gè)為樹枝化基元。]

R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C及R^8C優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，更優(yōu)選為氫原子、烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，這些基團(tuán)可以具有取代基。

選自R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C及R^8C中的至少一個(gè)為樹枝化基元，在R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C及R^8C存在多個(gè)的情況下(即n³為2或3的情況下)，存在的多個(gè)R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C及R^8C之中至少一個(gè)為樹枝化基元既可。

樹枝化基元優(yōu)選為式(D-A1)、(D-A3)、(D-B1)或(D-B3)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(D-A1)或(D-A3)所示的基團(tuán)。

R^1C、R^4C、R^5C及R^8C優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，特別優(yōu)選為氫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。

R^2C、R^3C、R^6C及R^7C優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基或樹枝化基元，更優(yōu)選為氫原子、烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或樹枝化基元，這些基團(tuán)可以具有取代基。

優(yōu)選選自R^2C、R^3C、R^6C及R^7C中的至少一個(gè)為樹枝化基元，更優(yōu)選R^2C或R^6C為樹枝化基元。

式(2-A1)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-A1-1)～式(2-A1-27)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表9]

[表10]

[表11]

[式中，

M¹、A¹-G¹-A²、n³及n⁴表示與上文相同的含義。

R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價(jià)雜環(huán)基、鹵原子或樹枝化基元，這些基團(tuán)可以具有取代基。在R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C存在多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。R^9C與R^10C、R^10C與R^11C、R^11C與R^12C、R^12C與R^13C、R^13C與R^14C、R^14C與R^15C、R^15C與R^16C、R^16C與R^17C、以及R^17C與R^18C各組可以鍵合而與各組所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。

需要說明的是，選自R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C中的至少一個(gè)為樹枝化基元。]

R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，更優(yōu)選為氫原子、烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，這些基團(tuán)可以具有取代基。

選自R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C中的至少一個(gè)為樹枝化基元，在R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C存在多個(gè)的情況下(即n³為2或3的情況下)，存在的多個(gè)R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C之中至少一個(gè)為樹枝化基元既可。

樹枝化基元優(yōu)選為式(D-A1)、(D-A3)、(D-B1)或(D-B3)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(D-A1)或(D-B1)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(D-A1)所示的基團(tuán)。

R^9C、R^14C、R^15C及R^18C優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，特別優(yōu)選為氫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。

R^C11～R^13C優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基或樹枝化基元，更優(yōu)選為氫原子、烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，特別優(yōu)選為氫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。

R^10C、R^16C及R^17C優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基或樹枝化基元，更優(yōu)選為氫原子、烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基或樹枝化基元，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或樹枝化基元，這些基團(tuán)可以具有取代基。

優(yōu)選選自R^10C～R^13C、R^16C及R^17C中的至少一個(gè)為樹枝化基元，更優(yōu)選R^16C或R^17C為樹枝化基元，進(jìn)一步優(yōu)選R^13C為樹枝化基元。

式(2-A2)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-A2-1)～式(2-A2-8)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表12]

[式中，M¹、A¹-G¹-A²、n³、n⁴、R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C表示與上文相同的含義。]

式(2-A3)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-A3-1)～式(2-A3-8)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表13]

[式中，M¹、A¹-G¹-A²、n³、n⁴、R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C表示與上文相同的含義。]

式(2-A4)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-A4-1)～式(2-A4-8)所示的磷光發(fā)光性化合物。

[表14]

[式中，

M¹、A¹-G¹-A²、R^1C、R^2C、R^3C、R^4C、R^5C、R^6C、R^7C、R^8C、R^9C、R^10C、R^11C、R^12C、R^13C、R^14C、R^15C、R^16C、R^17C及R^18C表示與上文相同的含義。

n^3A及n^4A各自獨(dú)立地表示1以上的整數(shù)，n^3A+n^4A為2或3。在M¹為銥原子的情況下，n^3A+n^4A為3，在M¹為鉑原子的情況下，n^3A+n^4A為2。]

式(2-A5)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-A5-1)～式(2-A5-10)所示的磷光發(fā)光性化合物。需要說明的是，式(2-A5-1)～(2-A5-10)中，式(2-A5)中的R^1C、R^4C、R^5C、R^8C～R^15C及R^18C表示氫原子。

[表15]

<式(H-1)所示的化合物>

本發(fā)明的第一組合物中含有的化合物為式(H-1)所示的化合物(以下也稱作“第一組合物的化合物”)。

Ar^H1及Ar^H2優(yōu)選為苯基、芴基、螺雙芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、吡咯基、吲哚基、氮雜吲哚基、咔唑基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基、吩噁嗪基或吩噻嗪基，更優(yōu)選為苯基、螺雙芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基或氮雜咔唑基，進(jìn)一步優(yōu)選為苯基、吡啶基、咔唑基或氮雜咔唑基，特別優(yōu)選為上述式(TDA-1)或(TDA-3)所示的基團(tuán)，尤其優(yōu)選為上述式(TDA-3)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^H1及Ar^H2可以具有的取代基優(yōu)選為鹵原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷氧基、烷氧基或環(huán)烷氧基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基或環(huán)烷氧基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。

n^H1優(yōu)選為1。n^H2優(yōu)選為0。

n^H3通常為0以上且10以下的整數(shù)，優(yōu)選為0以上且5以下的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為1以上且3以下的整數(shù)，特別優(yōu)選為1。

n^H11優(yōu)選為1以上且5以下的整數(shù)，更優(yōu)選為1以上且3以下的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為1。

R^H11優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

L^H1優(yōu)選為亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基。

L^H1優(yōu)選為式(A-1)～(A-3)、式(A-8)～(A-10)、式(AA-1)～(AA-6)、式(AA-10)～(AA-21)或式(AA-24)～(AA-34)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(A-9)、式(AA-1)～(AA-4)、式(AA-10)～(AA-15)或式(AA-29)～(AA-34)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(A-9)、式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)～(AA-15)所示的基團(tuán)，特別優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)或式(AA-14)所示的基團(tuán)，尤其優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(AA-2)、式(AA-4)或式(AA-14)所示的基團(tuán)。

L^H1可以具有的取代基優(yōu)選為鹵原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。

L^H21優(yōu)選為單鍵或亞芳基，更優(yōu)選為單鍵，該亞芳基可以具有取代基。

L^H21所示的亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基的定義及例子與L^H1所示的亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基的定義及例子同樣。

R^H21優(yōu)選為芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

R^H21所示的芳基及一價(jià)雜環(huán)基的定義及例子與Ar^H1及Ar^H2所示的芳基及一價(jià)雜環(huán)基的定義及例子同樣。

R^H21可以具有的取代基的定義及例子與Ar^H1及Ar^H2可以具有的取代基的定義及例子同樣。

式(H-1)所示的化合物優(yōu)選為式(H-2)所示的化合物。

[式中，Ar^H1、Ar^H2、n^H3及L^H1表示與上文相同的含義。]

式(H-1)所示的化合物可例示：下述式(H-101)～(H-118)所示的化合物。

<包含式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物>

本發(fā)明的第二組合物中含有的高分子化合物是包含式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物(以下也稱作“第二組合物的高分子化合物”)。

Ar^Y1所示的亞芳基更優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^Y1所示的二價(jià)雜環(huán)基更優(yōu)選為式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(AA-33)或式(AA-34)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)或式(AA-33)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^Y1所示的至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)中的亞芳基及二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍各自與上述的Ar^Y1所示的亞芳基及二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍同樣。

“至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)”例如可以舉出下述式所示的基團(tuán)，這些可以具有取代基。

[式中，R^XX表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]

R^XX優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^Y1所示的基團(tuán)可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。

式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(Y-1)-(Y-10)所示的結(jié)構(gòu)單元，從使用本發(fā)明的第二組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為式(Y-1)-(Y-3)所示的結(jié)構(gòu)單元，從第二組合物的高分子化合物的電子傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為式(Y-4)-(Y-7)所示的結(jié)構(gòu)單元，從第二組合物的高分子化合物的空穴傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為式(Y-8)-(Y-10)所示的結(jié)構(gòu)單元。

[式中，R^Y1表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)R^Y1可以相同也可以不同，相鄰的R^Y1彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]

R^Y1優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

式(Y-1)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(Y-1′)所示的結(jié)構(gòu)單元。

[式中，R^Y11表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)R^Y11可以相同也可以不同。]

R^Y11優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

[式中，R^Y1表示與上文相同的含義。X^Y1表示-C(R^Y2)₂-、-C(R^Y2)＝C(R^Y2)-或-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示的基團(tuán)。R^Y2表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)R^Y2可以相同也可以不同，R^Y2彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]

R^Y2優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

X^Y1中，-C(R^Y2)₂-所示的基團(tuán)中的2個(gè)R^Y2的組合優(yōu)選為兩者為烷基或環(huán)烷基、兩者為芳基、兩者為一價(jià)雜環(huán)基、或、一者為烷基或環(huán)烷基且另一者為芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為一者為烷基或環(huán)烷基且另一者為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的2個(gè)R^Y2可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，在R^Y2形成環(huán)的情況下，-C(R^Y2)₂-所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(Y-A1)-(Y-A5)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(Y-A4)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

X^Y1中，-C(R^Y2)＝C(R^Y2)-所示的基團(tuán)中的2個(gè)R^Y2的組合優(yōu)選為兩者為烷基或環(huán)烷基、或者一者為烷基或環(huán)烷基且另一者為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

X^Y1中，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示的基團(tuán)中的4個(gè)R^Y2優(yōu)選為可以具有取代基的烷基或環(huán)烷基。存在的多個(gè)R^Y2可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，在R^Y2形成環(huán)的情況下，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(Y-B1)-(Y-B5)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(Y-B3)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

[式中，R^Y2表示與上文相同的含義。]

式(Y-2)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(Y-2′)所示的結(jié)構(gòu)單元。

[式中，R^Y11及X^Y1表示與上文相同的含義。]

[式中，R^Y1及X^Y1表示與上文相同的含義。]

式(Y-3)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(Y-3′)所示的結(jié)構(gòu)單元。

[式中，R^Y11及X^Y1表示與上文相同的含義。]

[式中，R^Y1表示與上文相同的含義。R^Y3表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]

R^Y3優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

式(Y-4)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(Y-4′)所示的結(jié)構(gòu)單元，式(Y-6)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(Y-6′)所示的結(jié)構(gòu)單元。

[式中，R^Y11及R^Y3表示與上文相同的含義。]

[式中，R^Y1表示與上文相同的含義。R^Y4表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]

R^Y4優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出：由式(Y-101)-(Y-121)所示的亞芳基構(gòu)成的結(jié)構(gòu)單元、由式(Y-201)-(Y-206)所示的二價(jià)雜環(huán)基構(gòu)成的結(jié)構(gòu)單元、由式(Y-301)-(Y-304)所示的至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)單元。

出于使用本發(fā)明的第二組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元中Ar^Y1為亞芳基的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于第二組合物的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為0.5～90摩爾％，更優(yōu)選為30～80摩爾％。

出于使用本發(fā)明的第二組合物得到的發(fā)光元件的電荷傳輸性優(yōu)異，式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元中Ar^Y1為二價(jià)雜環(huán)基、或者至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于第二組合物的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為0.5～50摩爾％，更優(yōu)選為3～30摩爾％。

式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元在第二組合物的高分子化合物中可以僅包含1種，也可以包含2種以上。

出于空穴傳輸性優(yōu)異，第二組合物的高分子化合物優(yōu)選還包含下述式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元。

[式中，a^X1及a^X2各自獨(dú)立地表示0以上的整數(shù)。Ar^X1及Ar^X3各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。Ar^X2及Ar^X4各自獨(dú)立地表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、或者至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。R^X1、R^X2及R^X3各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]

出于使用本發(fā)明的第二組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，a^X1優(yōu)選為2以下，更優(yōu)選為1。

出于使用本發(fā)明的第二組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，a^X2優(yōu)選為2以下，更優(yōu)選為0。

R^X1、R^X2及R^X3優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3所示的亞芳基更優(yōu)選為式(A-1)或式(A-9)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(A-1)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3所示的二價(jià)雜環(huán)基更優(yōu)選為式(AA-1)、式(AA-2)或式(AA-7)-(AA-26)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。

Ar^X2及Ar^X4所示的亞芳基更優(yōu)選為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)或式(A-19)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4所示的二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍與Ar^X1及Ar^X3所示的二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍相同。

Ar^X2及Ar^X4所示的至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)中的亞芳基及二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍各自與Ar^X1及Ar^X3所示的亞芳基及二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍同樣。

Ar^X2及Ar^X4所示的至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)可以舉出與式(Y)的Ar^Y1所示的至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)同樣的基團(tuán)。

Ar^X2及Ar^X4優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。

Ar^X1～Ar^X4及R^X1～R^X3所示的基團(tuán)可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步具有取代基。

式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(X-1)-(X-7)所示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(X-1)-(X-6)所示的結(jié)構(gòu)單元，進(jìn)一步優(yōu)選為式(X-3)-(X-6)所示的結(jié)構(gòu)單元。

[式中，R^X4及R^X5各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、鹵原子、一價(jià)雜環(huán)基或氰基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)R^X4可以相同也可以不同。存在的多個(gè)R^X5可以相同也可以不同，相鄰的R^X5彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]

出于空穴傳輸性優(yōu)異，式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于第二組合物的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為0.1～50摩爾％，更優(yōu)選為1～40摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為5～30摩爾％。

式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(X1-1)-(X1-11)所示的結(jié)構(gòu)單元，優(yōu)選為式(X1-3)-(X1-10)所示的結(jié)構(gòu)單元。

第二組合物的高分子化合物中，式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元可以僅包含1種，也可以包含2種以上。

第二組合物的高分子化合物例如可以舉出表16的高分子化合物(P-1)～(P-6)。此處，“其它”的結(jié)構(gòu)單元是指，除式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元、式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元以外的結(jié)構(gòu)單元。

[表16]

[表中，p、q、r、s及t表示各結(jié)構(gòu)單元的摩爾比率。p+q+r+s+t＝100且100≥p+q+r+s≥70。其它的結(jié)構(gòu)單元是指，除式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元、式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元以外的結(jié)構(gòu)單元。]

第二組合物的高分子化合物可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一種，也可以是其它的形態(tài)，優(yōu)選為將兩種以上的原料單體共聚而成的共聚物。

<第二組合物的高分子化合物的制造方法>

第二組合物的高分子化合物可以使用Chemical Review(Chem.Rev.)，第109卷，897-1091頁(2009年)等中記載的公知的聚合方法進(jìn)行制造，可例示通過Suzuki反應(yīng)、Yamamoto反應(yīng)、Buchwald反應(yīng)、Stille反應(yīng)、Negishi反應(yīng)及Kumada反應(yīng)等使用過渡金屬催化劑的偶聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行聚合的方法。

上述聚合方法中，投入單體的方法可以舉出：將單體總量一次性投入反應(yīng)體系的方法；將單體的一部分投入并進(jìn)行反應(yīng)后，將其余的單體一次性投入、連續(xù)投入或分批投入的方法；連續(xù)或分批投入單體的方法等。

過渡金屬催化劑可以舉出鈀催化劑、鎳催化劑等。

聚合反應(yīng)的后處理單獨(dú)或組合利用公知的方法進(jìn)行，例如：通過分液除去水溶性雜質(zhì)的方法；在甲醇等低級(jí)醇中加入聚合反應(yīng)后的反應(yīng)液，過濾析出的沉淀后進(jìn)行干燥的方法等。高分子主體的純度低的情況下，例如可以用重結(jié)晶、再沉淀、利用索氏提取器的連續(xù)萃取、柱色譜等通常的方法進(jìn)行純化。

<組合物>

本發(fā)明的第一組合物是包含磷光發(fā)光性化合物(B)、2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)和第一組合物的化合物的組合物。

本發(fā)明的第二組合物是包含磷光發(fā)光性化合物(B)、2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)和第二組合物的高分子化合物的組合物。

本發(fā)明的第一及第二組合物中，磷光發(fā)光性化合物(B)可以單獨(dú)含有一種，也可以含有兩種以上。

本發(fā)明的第一組合物中，第一組合物的化合物可以單獨(dú)含有一種，也可以含有兩種以上。

本發(fā)明的第一組合物中，出于使用本發(fā)明的第一組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，第一組合物的化合物所具有的最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)(T₁)優(yōu)選為與磷光發(fā)光性化合物(B)所具有的T₁同等的能級(jí)、或者更高的能級(jí)。

本發(fā)明的第一組合物中，出于能夠利用溶液涂布工藝制作使用本發(fā)明的第一組合物得到的發(fā)光元件，第一組合物的化合物優(yōu)選在可溶解磷光發(fā)光性化合物(B)及磷光發(fā)光性化合物(DGR)的溶劑中顯示溶解性。

本發(fā)明的第二組合物中，第二組合物的高分子化合物可以單獨(dú)含有一種，也可以含有兩種以上。

本發(fā)明的第二組合物中，出于使用本發(fā)明的第二組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，第二組合物的高分子化合物所具有的最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)(T₁)優(yōu)選為與磷光發(fā)光性化合物(B)所具有的T₁同等的能級(jí)、或者更高的能級(jí)。

本發(fā)明的第二組合物中，出于能夠利用溶液涂布工藝制作使用本發(fā)明的第二組合物得到的發(fā)光元件，作為第二組合物的高分子化合物優(yōu)選在可溶解磷光發(fā)光性化合物(B)及磷光發(fā)光性化合物(DGR)的溶劑中顯示溶解性。

本發(fā)明的第一組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第一組合物的化合物的含量的總量設(shè)為100重量份時(shí)，磷光發(fā)光性化合物(B)及磷光發(fā)光性化合物(DGR)的含量的總量通常為0.1～99重量份，優(yōu)選為1～90重量份，更優(yōu)選為10～70重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為20～50重量份。

本發(fā)明的第一組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)的含量設(shè)為100重量份時(shí)，磷光發(fā)光性化合物(DGR)的含量?jī)?yōu)選為0.01～50重量份，更優(yōu)選為0.05～30重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1～10重量份，特別優(yōu)選為0.5～5重量份。

本發(fā)明的第二組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第二組合物的高分子化合物的含量的總量設(shè)為100重量份時(shí)，磷光發(fā)光性化合物(B)及磷光發(fā)光性化合物(DGR)的含量的總量通常為0.1～99重量份，優(yōu)選為1～90重量份，更優(yōu)選為10～70重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為20～50重量份。

本發(fā)明的第二組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)的含量設(shè)為100重量份時(shí)，磷光發(fā)光性化合物(DGR)的含量?jī)?yōu)選為0.01～50重量份，更優(yōu)選為0.05～30重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1～10重量份，特別優(yōu)選為0.5～5重量份。

出于使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，本發(fā)明的第一及第二組合物中含有的2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)之中至少一種優(yōu)選為式(2-A1)～(2-A5)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-A1)、(2-A2)或(2-A5)所示的磷光發(fā)光性化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為式(2-A1)所示的磷光發(fā)光性化合物。

本發(fā)明的第一及第二組合物中含有的2種的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的組合優(yōu)選為選自式(2-A1)～(2-A5)所示的磷光發(fā)光性化合物中的2種的組合，更優(yōu)選為選自式(2-A1)、(2-A2)及(2-A5)所示的磷光發(fā)光性化合物中的2種的組合，進(jìn)一步優(yōu)選為式(2-A1)所示的磷光發(fā)光性化合物的2種的組合、式(2-A1)所示的磷光發(fā)光性化合物與式(2-A2)所示的磷光發(fā)光性化合物的組合、或者式(2-A1)所示的磷光發(fā)光性化合物與式(2-A3)所示的磷光發(fā)光性化合物的組合。

另外，將本發(fā)明的第一及第二組合物中含有的2種的磷光發(fā)光性化合物(DGR)之中一者的含量設(shè)為100重量份時(shí)，另一者的含量通常為1～10000重量份，出于使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的色再現(xiàn)性優(yōu)異，優(yōu)選為5～2000重量份，更優(yōu)選為10～1000重量份。

本發(fā)明的第一及第二組合物中，通過調(diào)整磷光發(fā)光性化合物(B)的含量與2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的含量的比率，能夠調(diào)整發(fā)光色，還能夠?qū)l(fā)光色調(diào)整為白色。

發(fā)光元件的發(fā)光色可以通過對(duì)發(fā)光元件的發(fā)光色度進(jìn)行測(cè)定求出色度坐標(biāo)(CIE色度坐標(biāo))來進(jìn)行確認(rèn)。白色的發(fā)光色是指，例如色度坐標(biāo)的X為0.25～0.55的范圍內(nèi)且色度坐標(biāo)的Y為0.25～0.55的范圍內(nèi)，優(yōu)選為色度坐標(biāo)的X為0.30～0.50的范圍內(nèi)且色度坐標(biāo)的Y為0.30～0.50的范圍內(nèi)。

從使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其是白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，磷光發(fā)光性化合物(B)的發(fā)光譜的最大峰值波長優(yōu)選為400nm以上且490nm以下，更優(yōu)選為420nm以上且480nm以下。

從使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其是白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，磷光發(fā)光性化合物(DGR)的發(fā)光譜的最大峰值波長優(yōu)選為500nm以上且680nm以下，更優(yōu)選為505nm以上且630nm以下。

從使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其是白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明的第一及第二組合物中含有的2種的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的發(fā)光譜的最大峰值波長優(yōu)選相互不同，其差優(yōu)選為10～200nm，更優(yōu)選為20～180nm，進(jìn)一步優(yōu)選為40～125nm。

從使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其是白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，在本發(fā)明的第一及第二組合物中含有的2種的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的發(fā)光譜的最大峰值波長不同的情況下，發(fā)光譜的最大峰值波長在短波長側(cè)的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的發(fā)光譜的最大峰值波長優(yōu)選為500nm以上且小于570nm，更優(yōu)選為505nm以上且550nm以下。另外，發(fā)光譜的最大峰值波長為長波長側(cè)的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的發(fā)光譜的最大峰值波長優(yōu)選為570nm以上且680nm以下，更優(yōu)選為590nm以上且630nm以下。

從使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其是白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，2種以上的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的總含量在將磷光發(fā)光性化合物(B)的含量設(shè)為100重量份時(shí)優(yōu)選為0.01～50重量份，更優(yōu)選為0.05～30重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1～10重量份，特別優(yōu)選為0.5～5重量份。

本發(fā)明的第一及第二組合物中含有的2種的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的發(fā)光譜的最大峰值波長不同的情況下，從使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其是白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，在將發(fā)光譜的最大峰值波長在短波長側(cè)的磷光發(fā)光性化合物(DGR)設(shè)為100重量份時(shí)，發(fā)光譜的最大峰值波長在長波長側(cè)的磷光發(fā)光性化合物(DGR)的含量通常為1～10000重量份，出于使用本發(fā)明的第一或第二組合物得到的發(fā)光元件的色再現(xiàn)性優(yōu)異，優(yōu)選為5～1000重量份，更優(yōu)選為10～200重量份。

本發(fā)明的第一及第二組合物可以還含有選自空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發(fā)光材料(與磷光發(fā)光性化合物(B)及磷光發(fā)光性化合物(DGR)不同)、抗氧化劑及溶劑中的至少一種的材料。

含有溶劑的本發(fā)明的第一及第二組合物(以下也稱作“墨液”)適于使用噴墨打印法、噴嘴打印法等印刷法的發(fā)光元件的制作。

墨液的粘度根據(jù)印刷法的種類進(jìn)行調(diào)整即可，在應(yīng)用于噴墨打印法等溶液經(jīng)由噴出裝置的印刷法的情況下，出于難以發(fā)生噴出時(shí)的堵塞和飛行彎曲，優(yōu)選在25℃為1～20mPa·s。

墨液中包含的溶劑優(yōu)選為可溶解或均勻分散墨液中的固體成分的溶劑。溶劑例如可以舉出：1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑；THF、二氧六環(huán)、苯甲醚、4-甲基苯甲醚等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、三甲苯、乙苯、正己基苯、環(huán)己基苯等芳香族烴系溶劑；環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷、聯(lián)環(huán)己烷基等脂肪族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、苯乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶劑；乙二醇、甘油、1，2-己二醇等多元醇系溶劑；異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶劑；二甲亞砜等亞砜系溶劑；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶劑。溶劑可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。

墨液中，在將本發(fā)明的第一組合物中含有的磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第一組合物的化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，溶劑的配合量通常為1000～100000重量份，優(yōu)選為2000～20000重量份。

墨液中，在將本發(fā)明的第二組合物中含有的磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第二組合物的高分子化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，溶劑的配合量通常為1000～100000重量份，優(yōu)選為2000～20000重量份。

[空穴傳輸材料]

空穴傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物，優(yōu)選為高分子化合物，更優(yōu)選為具有交聯(lián)基的高分子化合物。

高分子化合物例如可以舉出聚乙烯咔唑及其衍生物；在側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚亞芳基及其衍生物。高分子化合物可以是鍵合有電子接受性部位的化合物。電子接受性部位例如可以舉出富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，優(yōu)選為富勒烯。

本發(fā)明的第一組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第一組合物的化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，空穴傳輸材料的配合量通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。

本發(fā)明的第二組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第二組合物的高分子化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，空穴傳輸材料的配合量通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。

空穴傳輸材料可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。

[電子傳輸材料]

電子傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物。電子傳輸材料可以具有交聯(lián)基。

低分子化合物例如可以舉出以8-羥基喹啉為配體的金屬絡(luò)合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯及聯(lián)苯醌、以及它們的衍生物。

高分子化合物例如可以舉出聚苯、聚芴、以及它們的衍生物。高分子化合物可以經(jīng)金屬摻雜。

本發(fā)明的第一組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第一組合物的化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，電子傳輸材料的配合量通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。

本發(fā)明的第二組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第二組合物的高分子化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，電子傳輸材料的配合量通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。

電子傳輸材料可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。

[空穴注入材料及電子注入材料]

空穴注入材料及電子注入材料各自分類為低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及電子注入材料可以具有交聯(lián)基。

低分子化合物例如可以舉出銅酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等金屬氧化物；氟化劑、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。

高分子化合物例如可以舉出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯乙烯撐、聚亞噻吩基亞乙烯基、聚喹啉及聚喹喔啉、以及它們的衍生物；在主鏈或側(cè)鏈包含芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚合物等導(dǎo)電性高分子。

本發(fā)明的第一組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第一組合物的化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，空穴注入材料及電子注入材料的配合量各自通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。

本發(fā)明的第二組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第二組合物的高分子化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，空穴注入材料及電子注入材料的配合量各自通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。

空穴注入材料及電子注入材料各自可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。

[離子摻雜]

在空穴注入材料或電子注入材料包含導(dǎo)電性高分子的情況下，導(dǎo)電性高分子的電導(dǎo)率優(yōu)選為1×10^-5S/cm～1×10³S/cm。為了將導(dǎo)電性高分子的電導(dǎo)率設(shè)為該范圍，可以在導(dǎo)電性高分子中摻雜適量的離子。

摻雜的離子的種類在空穴注入材料的情況下為陰離子，在電子注入材料的情況下為陽離子。陰離子例如可以舉出聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。陽離子例如可以舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。

摻雜的離子可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。

[發(fā)光材料]

發(fā)光材料(與磷光發(fā)光性化合物(B)及磷光發(fā)光性化合物(DGR)不同)分類為低分子化合物和高分子化合物。發(fā)光材料可以具有交聯(lián)基。

低分子化合物例如可以舉出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以銥、鉑或銪為中心金屬的三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物。

高分子化合物例如可以舉出包含亞苯基、萘二基、芴二基、菲二基、二氫菲二基、式(X)所示的基團(tuán)、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。

發(fā)光材料優(yōu)選包含三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物及高分子化合物。

三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物例如可以舉出以下所示的金屬絡(luò)合物。

本發(fā)明的第一組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第一組合物的化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，發(fā)光材料的含量通常為0.1～400重量份。

本發(fā)明的第二組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第二組合物的高分子化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，發(fā)光材料的含量通常為0.1～400重量份。

[抗氧化劑]

抗氧化劑只要是可溶于與磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)、以及第一組合物的化合物或第二組合物的高分子化合物相同的溶劑且不妨礙發(fā)光及電荷傳輸?shù)幕衔锛纯?，例如可以舉出酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。

本發(fā)明的第一組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第一組合物的化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，抗氧化劑的配合量通常為0.001～10重量份。

本發(fā)明的第二組合物中，在將磷光發(fā)光性化合物(B)、磷光發(fā)光性化合物(DGR)及第二組合物的高分子化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份時(shí)，抗氧化劑的配合量通常為0.001～10重量份。

抗氧化劑可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。

<膜>

膜含有本發(fā)明的第一或第二組合物。

膜也包括通過交聯(lián)使得本發(fā)明的第一或第二組合物中含有的化合物變得在溶劑中不溶化的不溶化膜。不溶化膜是通過加熱、光照射等外部刺激使本發(fā)明的第一或第二組合物中含有的化合物交聯(lián)而得到的膜。不溶化膜由于實(shí)質(zhì)上不溶于溶劑，因而可以適合地用于發(fā)光元件的層疊化。

用于使膜交聯(lián)的加熱的溫度通常為25～300℃，出于外部量子效率優(yōu)異，優(yōu)選為50～250℃，更優(yōu)選為150～200℃。

用于使膜交聯(lián)的光照射所使用的光的種類例如為紫外區(qū)光、近紫外區(qū)光、可見光。

膜適合作為發(fā)光元件中的發(fā)光層、空穴傳輸層或空穴注入層。

膜可以使用墨液通過例如旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴涂涂布法、絲網(wǎng)印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、毛細(xì)管涂布法、噴嘴涂布法進(jìn)行制作。

膜的厚度通常為1nm～10μm。

<發(fā)光元件>

本發(fā)明的發(fā)光元件為使用本發(fā)明的組合物(本發(fā)明的第一或第二組合物)得到的發(fā)光元件，可以為原樣含有本發(fā)明的第一或第二組合物的發(fā)光元件，也可以為含有本發(fā)明的第一或第二組合物中含有的化合物在分子內(nèi)或分子間或者在分子內(nèi)及分子間發(fā)生交聯(lián)而成的物質(zhì)(交聯(lián)體)的發(fā)光元件，優(yōu)選為原樣含有本發(fā)明的第一或第二組合物的發(fā)光元件。

本發(fā)明的發(fā)光元件的構(gòu)成例如具有由陽極及陰極構(gòu)成的電極、和在該電極間設(shè)置的使用本發(fā)明的組合物得到的層。

[層構(gòu)成]

使用本發(fā)明的組合物得到的層通常為發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層、電子注入層中的1種以上的層，優(yōu)選為發(fā)光層。這些層分別包含發(fā)光材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料。這些層可以如下形成：分別使發(fā)光材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料溶于上述的溶劑，制備墨液后使用，使用與上述的膜的制作相同的方法進(jìn)行形成。

發(fā)光元件在陽極與陰極之間具有發(fā)光層。從空穴注入性及空穴傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明的發(fā)光元件優(yōu)選在陽極與發(fā)光層之間具有空穴注入層及空穴傳輸層中的至少1層，從電子注入性及電子傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在陰極與發(fā)光層之間具有電子注入層及電子傳輸層中的至少1層。

空穴傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴注入層及電子注入層的材料除了本發(fā)明的組合物以外，分別可以舉出上述的空穴傳輸材料、電子傳輸材料、發(fā)光材料、空穴注入材料及電子注入材料等。

本發(fā)明的發(fā)光元件具有空穴傳輸層的情況下，作為用于空穴傳輸層的形成的空穴傳輸材料，優(yōu)選為：包含上述式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元和選自式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元及式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物(以下也稱作“空穴傳輸層的高分子化合物”)?？昭▊鬏攲拥母叻肿踊衔锟梢赃€含有上述式(Y)所示的結(jié)構(gòu)單元。

本發(fā)明的發(fā)光元件具有使用空穴傳輸層的高分子化合物得到的空穴傳輸層的情況下，該空穴傳輸層可以為原樣含有空穴傳輸層的高分子化合物的層，也可以是含有空穴傳輸層的高分子化合物在分子內(nèi)或分子間或者在分子內(nèi)及分子間發(fā)生交聯(lián)而成的物質(zhì)(交聯(lián)體)的層，優(yōu)選為含有空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)體的層。

出于空穴傳輸層的高分子化合物的空穴傳輸性優(yōu)異，上述式(X)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于空穴傳輸層的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為1～99摩爾％，更優(yōu)選為10～80摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為20～70摩爾％。

[式中，

nA表示0～5的整數(shù)，n表示1～4的整數(shù)。

Ar¹表示芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

L^A表示亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、-NR’-所示的基團(tuán)、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。R’表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在L^A存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

X表示上述式(B-1)～(B-17)中任一個(gè)所示的交聯(lián)基。在X存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]

出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，nA優(yōu)選為0～3的整數(shù)，更優(yōu)選為0～2的整數(shù)。

出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，n優(yōu)選為1或2，更優(yōu)選為2。

出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，Ar¹優(yōu)選為可以具有取代基的芳香族烴基。

Ar¹所示的芳香族烴基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為6～30，更優(yōu)選為6～18。

作為Ar¹所示的芳香族烴基的除去n個(gè)取代基后的亞芳基部分，優(yōu)選為式(A-1)～式(A-20)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)～式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示的基團(tuán)。

Ar¹所示的雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～60，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～18。

Ar¹所示的雜環(huán)基的除去n個(gè)取代基后的二價(jià)雜環(huán)基部分優(yōu)選為式(AA-1)～(AA-34)所示的基團(tuán)。

Ar¹所示的芳香族烴基及雜環(huán)基可以具有取代基。芳香族烴基及雜環(huán)基可以具有的取代基例如可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、鹵原子、一價(jià)雜環(huán)基及氰基。

L^A所示的亞烷基不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為1～20，優(yōu)選為1～15，更優(yōu)選為1～10。L^A所示的亞環(huán)烷基不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～20。

亞烷基及亞環(huán)烷基可以具有取代基，例如可以舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞己基、亞環(huán)己基、亞辛基。

L^A所示的亞烷基及亞環(huán)烷基可以具有取代基。亞烷基及亞環(huán)烷基可以具有的取代基例如可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、鹵原子及氰基。

L^A所示的亞芳基可以具有取代基。亞芳基優(yōu)選為亞苯基或芴二基，更優(yōu)選為間亞苯基、對(duì)亞苯基、芴-2，7-二基、芴-9，9-二基。亞芳基可以具有的取代基例如可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價(jià)雜環(huán)基、鹵原子、氰基及選自交聯(lián)基A組中的交聯(lián)基。

L^A所示的二價(jià)雜環(huán)基優(yōu)選為式(AA-1)～(AA-34)所示的基團(tuán)。

出于容易合成空穴傳輸層的高分子化合物，L^A優(yōu)選為亞芳基或亞烷基，更優(yōu)選為亞苯基、芴二基或碳原子數(shù)1～10的亞烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

出于空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，X所示的交聯(lián)基優(yōu)選為式(B-1)～(B-13)所示的交聯(lián)基，更優(yōu)選為式(B-1)、(B-3)或(B-9)～(B-13)所示的交聯(lián)基，進(jìn)一步優(yōu)選為式(B-1)或(B-9)所示的交聯(lián)基。

出于空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于空穴傳輸層的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為1～90摩爾％，更優(yōu)選為3～75摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為5～60摩爾％。

式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元在空穴傳輸層的高分子化合物中可以僅包含1種，也可以包含2種以上。

[式中，

mA表示0～5的整數(shù)，m表示1～4的整數(shù)，c表示0或1。在mA存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

Ar³表示芳香族烴基、雜環(huán)基、或者至少一種的芳香族烴環(huán)與至少一種的雜環(huán)直接鍵合成的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar²及Ar⁴各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Ar²、Ar³及Ar⁴各自可以與在該基團(tuán)所鍵合的氮原子上鍵合的該基團(tuán)以外的基團(tuán)直接或經(jīng)由氧原子或硫原子鍵合而形成環(huán)。

K^A表示亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、-NR”-所示的基團(tuán)、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。R”表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在K^A存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

X’表示上述式(B-1)～(B-17)中任一者所示的交聯(lián)基、氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基，其中至少一個(gè)X’為上述式(B-1)～(B-17)中任一者所示的交聯(lián)基。]

出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，mA優(yōu)選為0～2，更優(yōu)選為0或1，進(jìn)一步優(yōu)選為0。

出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，m優(yōu)選為1或2，更優(yōu)選為2。

出于容易合成空穴傳輸層的高分子化合物且本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，c優(yōu)選為0。

出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，Ar³優(yōu)選為可以具有取代基的芳香族烴基。

Ar³所示的芳香族烴基的除去m個(gè)取代基后的亞芳基部分的定義和例子與上述的式(X)中的Ar^X2所示的亞芳基的定義和例子相同。

Ar³所示的雜環(huán)基的除去m個(gè)取代基后的二價(jià)雜環(huán)基部分的定義和例子與上述的式(X)中的Ar^X2所示的二價(jià)雜環(huán)基部分的定義和例子相同。

Ar³所示的至少一種的芳香族烴環(huán)與至少一種的雜環(huán)直接鍵合成的基團(tuán)的除去m個(gè)取代基后的二價(jià)基團(tuán)的定義和例子與上述的式(X)中的Ar^X2所示的至少一種的亞芳基與至少一種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合成的二價(jià)基團(tuán)的定義和例子相同。

出于本發(fā)明的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，Ar²及Ar⁴優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。

Ar²及Ar⁴所示的亞芳基的定義和例子與上述的式(X)中的Ar^X1及Ar^X3所示的亞芳基的定義和例子相同。

Ar²及Ar⁴所示的二價(jià)雜環(huán)基的定義和例子與上述的式(X)中的Ar^X1及Ar^X3所示的二價(jià)雜環(huán)基的定義和例子相同。

Ar²、Ar³及Ar⁴所示的基團(tuán)可以具有取代基，取代基可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、鹵原子、一價(jià)雜環(huán)基及氰基。

K^A所示的亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基的定義和例子分別與L^A所示的亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基的定義和例子相同。

出于使空穴傳輸層的高分子化合物的合成容易，K^A優(yōu)選為亞苯基或碳原子數(shù)1～10的亞烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

X’所示的交聯(lián)基的定義和例子與上述的X所示的交聯(lián)基的定義和例子相同。

出于空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于空穴傳輸層的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為1～90摩爾％，更優(yōu)選為3～50摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為5～20摩爾％。

式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元在空穴傳輸層的高分子化合物中可以僅包含一種，也可以包含兩種以上。

式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(3-1)～式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(4-1)～式(4-9)所示的結(jié)構(gòu)單元。這些之中，出于空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，優(yōu)選為式(3-1)～式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(3-1)～式(3-15)、式(3-19)、式(3-20)、式(3-23)、式(3-25)或式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，進(jìn)一步優(yōu)選為式(3-1)～式(3-13)或式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，特別優(yōu)選為式(3-1)～式(3-9)或式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元。

本發(fā)明的發(fā)光元件具有電子傳輸層的情況下，作為用于電子傳輸層的形成的電子傳輸材料，優(yōu)選為包含選自式(ET-1)所示的結(jié)構(gòu)單元及式(ET-2)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物(以下也稱作“電子傳輸層的高分子化合物”)。

本發(fā)明的發(fā)光元件具有使用電子傳輸層的高分子化合物得到的電子傳輸層的情況下，該電子傳輸層可以是原樣含有電子傳輸層的高分子化合物的層，可以是含有電子傳輸層的高分子化合物在分子內(nèi)或分子間或者在分子內(nèi)及分子間發(fā)生交聯(lián)而成的物質(zhì)(交聯(lián)體)的層，優(yōu)選為原樣含有電子傳輸層的高分子化合物的層。

[式中，

nE1表示1以上的整數(shù)。

Ar^E1表示芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有R^E1以外的取代基。

R^E1表示式(ES-1)所示的基團(tuán)。在R^E1存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]

-(R^E3)_cE1-(Q^E1)_nE4-Y^E1(M^E2)_aE1(Z^E1)_bE1 (ES-1)

[式中，

cE1表示0或1，nE4表示0以上的整數(shù)，aE1表示1以上的整數(shù)，bE1表示0以上的整數(shù)。

R^E3表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Q^E1表示亞烷基、亞芳基、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。在Q^E1存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

Y^E1表示-CO₂^-、-SO₃^-、-SO₂^-或PO₃^2-。

M^E2表示金屬陽離子或銨陽離子，該銨陽離子可以具有取代基。在M^E2存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

Z^E1表示F^-、Cl^-、Br^-、I^-、OH^-、R^E4SO₃^-、R^E4COO^-、ClO^-、ClO₂^-、ClO₃^-、ClO₄^-、SCN^-、CN^-、NO₃^-、SO₄^2-、HSO₄^-、PO₄^3-、HPO₄^2-、H₂PO₄^-、BF₄^-或PF₆^-。R^E4表示烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在Z^E1存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

aE1及bE1按照使得式(ES-1)所示的基團(tuán)的電荷為0進(jìn)行選擇。]

nE1優(yōu)選為1～4的整數(shù)，更優(yōu)選為1或2。

Ar^E1所示的芳香族烴基或雜環(huán)基優(yōu)選為從1，4-亞苯基、1，3-亞苯基、1，2-亞苯基、2，6-萘二基、1，4-萘二基、2、7-芴二基、3，6-芴二基、2，7-菲二基或2，7-咔唑二基除去與構(gòu)成環(huán)的原子直接鍵合的氫原子nE1個(gè)后余下的原子團(tuán)，可以具有R^E1以外的取代基。

Ar^E1可以具有的R^E1以外的取代基可以舉出鹵原子、氰基、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、羧基、式(ES-3)所示的基團(tuán)。

-O(C_n’H_2n’O)_nxC_m’H_2m’+1 (ES-3)

[式中，n’、m’及nx表示1以上的整數(shù)。]

cE1優(yōu)選為0或1，nE4優(yōu)選為0～6的整數(shù)。

R^E3優(yōu)選為亞芳基。

Q^E1優(yōu)選為亞烷基、亞芳基或氧原子。

Y^E1優(yōu)選為-CO₂^-或-SO₃^-。

M^E2優(yōu)選為Li⁺、Na⁺、K⁺、Cs⁺、N(CH₃)₄⁺、NH(CH₃)₃⁺、NH₂(CH₃)₂⁺或N(C₂H₅)₄⁺。

Z^E1優(yōu)選為F^-、Cl^-、Br^-、I^-、OH^-、R^E4SO₃^-或R^E4COO^-。

R^E3可以具有的取代基可以舉出烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基及式(ES-3)所示的基團(tuán)。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，R^E3優(yōu)選具有式(ES-3)所示的基團(tuán)作為取代基。

式(ES-1)所示的基團(tuán)例如可以舉出下述式所示的基團(tuán)。

-COO^-M⁺-CH₂-COO^-M⁺-C₂H₄-COO^-M⁺

-O-CH₂-COO^-M⁺-O-C₂H₄COO^-M⁺

-SO₃^-M⁺-CH₂-SO₃^-M⁺-C₂H₄-SO₃^-M⁺

-O-CH₂-SO₃^-M⁺-O-C₂H₄·SO₃^-M⁺

[式中，M⁺表示Li⁺、Na⁺、K⁺、Cs⁺、N(CH₃)₄⁺、NH(CH₃)₃⁺、NH₂(CH₃)₂⁺或N(C₂H₅)₄⁺。]

[式中，

nE2表示1以上的整數(shù)。

Ar^E2表示芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有R^E2以外的取代基。

R^E2表示式(ES-2)所示的基團(tuán)。在R^E2存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]

-(R^E6)_cE2-(Q^E2)_nE6-Y^E2(M^E3)_bE2(Z^E2)_aE2 (ES-2)

[式中，

cE2表示0或1，nE6表示0以上的整數(shù)，bE2表示1以上的整數(shù)，aE2表示0以上的整數(shù)。

R^E6表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。

Q^E2表示亞烷基、亞芳基、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。在Q^E2存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

Y^E2表示碳正離子、銨正離子、磷酰正離子或硫酰正離子。

M^E3表示F^-、Cl^-、Br^-、I^-、OH^-、R^E7SO₃^-、R^E7COO^-、ClO^-、ClO₂^-、ClO₃^-、ClO₄^-、SCN^-、CN^-、NO₃^-、SO₄^2-、HSO₄^-、PO₄^3-、HPO₄^2-、H₂PO₄^-、四苯基硼酸根、BF₄^-或PF₆^-。R^E7表示烷基、全氟烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在M^E3存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

Z^E2表示金屬離子或銨離子，該銨離子可以具有取代基。在Z^E2存在多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。

aE2及bE2按照使得式(ES-2)所示的基團(tuán)的電荷為0進(jìn)行選擇。]

nE2優(yōu)選為1～4的整數(shù)，更優(yōu)選為1或2。

Ar^E2所示的芳香族烴基或雜環(huán)基優(yōu)選為從1，4-亞苯基、1，3-亞苯基、1，2-亞苯基、2，6-萘二基、1，4-萘二基、2、7-芴二基、3，6-芴二基、2，7-菲二基或2，7-咔唑二基除去與構(gòu)成環(huán)的原子直接鍵合的氫原子nE2個(gè)后余下的原子團(tuán)，可以具有R^E2以外的取代基。

Ar^E2可以具有的R^E2以外的取代基與Ar^E1可以具有的R^E1以外的取代基同樣。

cE2優(yōu)選為0或1，nE6優(yōu)選為0～6的整數(shù)。

R^E6優(yōu)選為亞芳基。

Q^E2優(yōu)選為亞烷基、亞芳基或氧原子。

Y^E2優(yōu)選為碳正離子或銨正離子。

M^E3優(yōu)選為F^-、Cl^-、Br^-、I^-、四苯基硼酸根、CF₃SO₃^-或CH₃COO^-。

Z^E2優(yōu)選為Li⁺、Na⁺、K⁺、Cs⁺、N(CH₃)₄⁺、NH(CH₃)₃⁺、NH₂(CH₃)₂⁺或N(C₂H₅)₄⁺。

R^E6可以具有的取代基可以舉出烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基及式(ES-3)所示的基團(tuán)。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，R^E6優(yōu)選具有式(ES-3)所示的基團(tuán)作為取代基。

式(ES-2)所示的基團(tuán)例如可以舉出下述式所示的基團(tuán)。

-N(CH₃)₂H⁺X^--CH₂-N(CH₃)₂H⁺X^--C₂H₄-N(CH₃)₂H⁺X^-

-N(CH₃)₂C₂H₅⁺X^--CH₂-N(CH₃)₂C₂H₅⁺X^--C₂H₄-N(CH₃)₂C₂H₅⁺X^-

-O-CH₂-N(CH₃)₂C₂H₅⁺X^--O-C₂H₄·N(CH₃)₂C₂H₅⁺X^-

[式中，X^-表示F^-、Cl^-、Br^-、I^-、四苯基硼酸根、CF₃SO₃^-或CH₃COO^-。]

式(ET-1)及式(ET-2)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出下述式(ET-31)～式(ET-34)所示的結(jié)構(gòu)單元。

空穴傳輸層的材料、電子傳輸層的材料及發(fā)光層的材料在發(fā)光元件的制作中，在分別可溶于在與空穴傳輸層、電子傳輸層及發(fā)光層相鄰的層的形成時(shí)所使用的溶劑的情況下，為了避免該材料溶于該溶劑，優(yōu)選該材料具有交聯(lián)基。使用具有交聯(lián)基的材料形成各層后，通過使該交聯(lián)基交聯(lián)，可以使該層不溶化。

本發(fā)明的發(fā)光元件中，作為發(fā)光層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子注入層等各層的形成方法，在使用低分子化合物的情況下，例如可以舉出利用粉末的真空蒸鍍法、基于利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的方法，使用高分子化合物的情況下，例如可以舉出基于利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的方法。

層疊的層的順序、數(shù)量及厚度考慮外部量子效率及亮度壽命進(jìn)行調(diào)整。

[基板/電極]

發(fā)光元件中的基板只要是可以形成電極且在形成有機(jī)層時(shí)不發(fā)生化學(xué)性變化的基板即可，例如由玻璃、塑料、硅等材料構(gòu)成的基板。不透明的基板的情況下，位置距基板最遠(yuǎn)的電極優(yōu)選為透明或半透明。

陽極的材料例如可以舉出導(dǎo)電性的金屬氧化物、半透明的金屬，優(yōu)選為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物等導(dǎo)電性化合物；銀與鈀與銅的復(fù)合體(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。

陰極的材料例如可以舉出鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；這些之中的2種以上的合金；這些之中1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中1種以上的合金；以及石墨及石墨層間化合物。合金例如可以舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。

陽極及陰極各自可以為2層以上的層疊結(jié)構(gòu)。

[用途]

為了使用發(fā)光元件得到面狀的發(fā)光，以面狀的陽極與陰極疊合的方式配置即可。為了得到圖案狀的發(fā)光，有在面狀的發(fā)光元件的表面設(shè)置設(shè)有圖案狀的窗的掩模的方法、使欲作為非發(fā)光部的層形成得極端厚而實(shí)質(zhì)上成為不發(fā)光的方法、以圖案狀形成陽極或陰極、或者這兩種電極的方法。利用這些中的任一方法形成圖案，以能夠獨(dú)立進(jìn)行開關(guān)(ON/OFF)的方式配置若干電極，由此可得到可以顯示數(shù)字、文字等的分段型的顯示裝置。為了形成點(diǎn)陣顯示裝置，將陽極和陰極以共同形成條狀并正交的方式進(jìn)行配置即可。通過分別涂布多種的發(fā)光色不同的高分子化合物的方法、使用濾色器或熒光轉(zhuǎn)換過濾器的方法，能夠進(jìn)行部分彩色顯示、多色顯示。點(diǎn)陣顯示裝置也能夠進(jìn)行無源驅(qū)動(dòng)，也可以與TFT等組合進(jìn)行有源驅(qū)動(dòng)。這些顯示裝置可以用于計(jì)算機(jī)、電視、便攜終端等的顯示器。面狀的發(fā)光元件可以適合地用作液晶顯示裝置的背光用的面狀光源、或者面狀的照明用光源。如果使用柔性的基板，則也可以用作曲面狀的光源及顯示裝置。

[實(shí)施例]

以下，通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)說明，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。

本實(shí)施例中，高分子化合物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)及聚苯乙烯換算的重均分子量(Mw)通過尺寸排阻色譜法(SEC)(島津制作所制、商品名：LC-10Avp)求出。需要說明的是，SEC的測(cè)定條件如下所述。

[測(cè)定條件]

將進(jìn)行測(cè)定的高分子化合物以約0.05重量％的濃度溶于四氫呋喃，向SEC中注入10μL。使用四氫呋喃作為SEC的流動(dòng)相，以2.0mL/分鐘的流量進(jìn)行流通。作為柱，使用PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories公司制)。檢測(cè)器使用UV-VIS檢測(cè)器(島津制作所制、商品名：SPD-10Avp)。

LC-MS的測(cè)定以下述的方法進(jìn)行。

將測(cè)定試樣以約2mg/mL的濃度溶于氯仿或四氫呋喃，在LC-MS(安捷倫科技制、商品名：1100LCMSD)中注入約1μL。LC-MS的流動(dòng)相一邊變化乙腈及四氫呋喃的比率一邊使用乙腈及四氫呋喃，以0.2mL/分鐘的流量進(jìn)行流通。柱使用L-column 2ODS(3μm)(化學(xué)物質(zhì)評(píng)價(jià)研究機(jī)構(gòu)制、內(nèi)徑：2.1mm、長度：100mm、粒徑3μm)。

NMR的測(cè)定以下述的方法進(jìn)行。

使5～10mg的測(cè)定試樣溶于約0.5mL的重氯仿(CDCl₃)、重四氫呋喃(THF-d₈)、重二甲亞砜(DMSO-d₆)或重二氯甲烷(CD₂Cl₂)，使用NMR裝置(Agilent制、商品名：INOVA300或MERCURY 400VX)進(jìn)行測(cè)定。

作為化合物的純度的指標(biāo)，使用高效液相色譜(HPLC)面積百分率的值。該值只要沒有特別記載，就設(shè)為高效液相色譜(HPLC、島灃制作所制、商品名：LC-20A)中的在254nm下的值。此時(shí)，進(jìn)行測(cè)定的化合物以0.01～0.2重量％的濃度溶于四氫呋喃或氯仿，在HPLC與濃度相應(yīng)地注入1～10μL。HPLC的流動(dòng)相使用乙腈及四氫呋喃，以1mL/分鐘的流速在乙腈/四氫呋喃＝100/0～0/100(體積比)的梯度分析下進(jìn)行流通。柱使用Kaseisorb LC ODS 2000(東京化成工業(yè)制)或具有同等性能的ODS柱。檢測(cè)器使用光電二極管陣列檢測(cè)器(島灃制作所制、商品名：SPD-M20A)。

本實(shí)施例中，磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰值波長通過分光光度計(jì)(日本分光株式會(huì)社制、FP-6500)在室溫進(jìn)行測(cè)定。使用將磷光發(fā)光性化合物以約0.8×10^-4重量％的濃度溶于二甲苯的二甲苯溶液作為試樣。激發(fā)光使用波長325nm的UV光。

<合成例1>化合物B1的合成

化合物B1依據(jù)日本特開2013-147450號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物B1的發(fā)光譜的最大峰值波長為450nm。

<合成例2>化合物B2的合成

化合物B2依據(jù)日本特開2012-36381號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物B2的發(fā)光譜的最大峰值波長為472nm。

<合成例3>化合物B3的合成

化合物B3依照國際公開第2006/121811號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物B3的發(fā)光譜的最大峰值波長為469nm。

<合成例4>化合物B4的合成

化合物B4依照國際公開第2006/121811號(hào)及日本特開2013-048190號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物B4的發(fā)光譜的最大峰值波長為471nm。

<合成例5>化合物G1的合成

化合物G1依據(jù)日本特開2013-237789號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物G1的發(fā)光譜的最大峰值波長為508nm。

<合成例6>化合物G2的合成

化合物G2依據(jù)日本特開2006-188673號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物G2的發(fā)光譜的最大峰值波長為514nm。

<合成例7>化合物S1的合成

<階段1>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿饬飨潞?，加?-叔辛基苯酚(250.00g、1.21mol、Aldrich產(chǎn)品)、N，N-二甲基-4-氨基吡啶(177.64g、1.45mol)及二氯甲烷(3100mL)，將其冰冷至5℃。之后，用時(shí)45分鐘向其中滴加三氟甲磺酸酐(376.06g、1.33mol)。滴加結(jié)束后，在冰冷下攪拌30分鐘，接著，恢復(fù)至室溫，進(jìn)一步攪拌1.5小時(shí)。在所得到的反應(yīng)混合物中加入己烷(3100mL)，使用410g的硅膠對(duì)該反應(yīng)混合物進(jìn)行過濾，進(jìn)一步，利用己烷/二氯甲烷(1/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑(2.5L)洗滌硅膠。將所得到的濾液和洗滌液濃縮，得到無色油即化合物S1-a(410.94g、1.21mol、LC純度99.7％)。

<階段2>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿饬飨潞?，加入化合物S1-a(410.94g、1.21mol)、雙(頻那醇合)二硼(338.47g、1.33mol)、乙酸鉀(237.83g、2.42mol)、1，4-二氧六環(huán)(2600mL)、乙酸鈀(4.08g、0.018mol)及三環(huán)己基膦(10.19g、0.036mol)，進(jìn)行2小時(shí)回流。冷卻至室溫后，將所得到的反應(yīng)混合物過濾后收集濾液，進(jìn)而用1，4-二氧六環(huán)(2.5L)對(duì)過濾物進(jìn)行洗滌，將所得到的濾液和洗滌液濃縮。將所得到的殘?jiān)苡诩和?二氯甲烷(1/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑，使用770g的硅膠進(jìn)行過濾，進(jìn)一步，用己烷/二氯甲烷(1/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑(2.5L)對(duì)硅膠進(jìn)行洗滌。將所得到的濾液和洗滌液濃縮，在所得到的殘?jiān)屑尤爰状?1500mL)，進(jìn)行30分鐘超聲波洗滌。之后，通過對(duì)其進(jìn)行過濾，得到化合物S1-b(274.27g)。將濾液和洗滌液濃縮，加入甲醇，進(jìn)行超聲波洗滌，進(jìn)行過濾，反復(fù)這些操作，由此得到化合物S1-b(14.29g)。所得到的化合物S1-b的總量的產(chǎn)量為288.56g。

<階段3>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿饬飨潞螅尤?，3-二溴苯(102.48g、0.434mol)、化合物S1-b(288.56g、0.912mol)、甲苯(2100mL)、20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(962.38g、1.31mol)及雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)(3.04g、0.004mol)，進(jìn)行7小時(shí)回流。冷卻至室溫后，將水層和有機(jī)層分離，收集有機(jī)層。在該水層中加入甲苯(1L)，進(jìn)一步萃取有機(jī)層。將所得到的有機(jī)層合并，對(duì)其利用蒸餾水/飽和食鹽水(1.5L/1.5L)的混合水溶液進(jìn)行洗滌。將所得到的有機(jī)層用400g的硅膠進(jìn)行過濾，進(jìn)一步用甲苯(2L)對(duì)硅膠進(jìn)行洗滌。將所得到的溶液濃縮，使所得到的殘?jiān)苡诩和?。將其用硅膠柱色譜進(jìn)行純化。利用作為展開溶劑的己烷溶出雜質(zhì)后，利用己烷/二氯甲烷(10/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑進(jìn)行展開。對(duì)所得到的各級(jí)分通過減壓濃縮除去溶劑，得到無色結(jié)晶的化合物S1-c(154.08g、LC純度99.1％)、以及粗制的化合物S1-c(38.64g、LC純度83％)。將該粗制的化合物S1-c再次在同樣的展開條件進(jìn)行柱純化，減壓蒸餾掉溶劑，得到化合物S1-c(28.4g、LC純度99.6％)。所得到的化合物S1-c的總量的產(chǎn)量為182.48g(0.40mol)。

<階段4>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿饬飨潞?，加入化合物S1-c(182、48g、0.401mol)、雙(頻哪醇合)二硼(112.09g、0.441mol)、4，4’-二叔丁基-2，2’-二吡啶(3.23g、0.012mol)、環(huán)己烷(2000mL)及雙(1，5-環(huán)辛二烯)二-μ-甲氧基二銥(I)(3.99g、0.006mol)，進(jìn)行2小時(shí)回流。風(fēng)冷至室溫后，一邊對(duì)所得到的反應(yīng)混合物進(jìn)行攪拌，一邊用時(shí)20分鐘加入硅膠(220g)。將所得到的懸浮液用440g的硅膠進(jìn)行過濾，進(jìn)一步用二氯甲烷(2L)對(duì)硅膠進(jìn)行洗滌，將溶液濃縮。在所得到的殘?jiān)屑尤爰状?1100mL)及二氯甲烷(110mL)，進(jìn)行1小時(shí)回流。冷卻至室溫后，對(duì)其進(jìn)行過濾。將所得到的過濾物用甲醇(500mL)進(jìn)行洗滌，使所得到的固體干燥，得到化合物S1(220.85g、0.380mol)。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)：δ(ppm)＝8.00(d，J＝1.8Hz，2H)，7.92(t，J＝1.9Hz，1H)，7.60(d，J＝8.5Hz，4H)，7.44(t，J＝8.5Hz，4H)，1.78(s，4H)，1.41(s，12H)，1.37(s，12H)，0.75(s，18H).

<合成例8>化合物G3的合成

<階段1>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氬氣氣氛下后，加入依據(jù)日本特開2008-179617號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物G3a(36.17g)、化合物S1(94.20g)、甲苯(1545mL)、20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(341.28g)及四(三苯基膦)鈀(0)(8.927g)，在80℃攪拌4小時(shí)。冷卻至室溫后，在所得到的反應(yīng)液中加入水(1545mL)，對(duì)有機(jī)層進(jìn)行萃取。將所得到的有機(jī)層用水(1545mL)洗滌2次，用食鹽水(1545mL)洗滌1次。將所得到的有機(jī)層使用188g的硅膠進(jìn)行過濾，將所得到的濾液在減壓下進(jìn)行濃縮。在所得到的殘?jiān)尤爰妆?235g)及甲醇(1174g)，在60℃進(jìn)行30分鐘加熱。之后，將其利用冰浴冷卻至5℃使固體析出。對(duì)所得到的固體進(jìn)行過濾，用冷甲醇進(jìn)行洗滌。將所得到的固體進(jìn)行減壓干燥，由此得到上述式所示的化合物G3b(82.0g)。

<階段2>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿夥障潞螅尤肼然炄衔?11.51g)及離子交換水(114mL)，加溫至50℃使之溶解。在另一設(shè)為氮?dú)鈿夥障碌姆磻?yīng)容器中加入化合物G3b(43.80g)、2-乙氧基乙醇(792mL)及離子交換水(57mL)，在100℃進(jìn)行1小時(shí)加熱攪拌。之后，在該溶液中緩慢滴加預(yù)先準(zhǔn)備的氯化銥水溶液(總量)。滴加結(jié)束后，在120℃進(jìn)行15小時(shí)攪拌。冷卻至室溫后，在所得到的反應(yīng)混合物中加入甲醇(207g)，進(jìn)行過濾。將所得到的固體用甲醇(207g)洗滌4次，用己烷(115g)洗滌1次。將所得到的固體進(jìn)行減壓干燥，由此得到中間體G3(42.88g)。

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿夥障潞螅尤胫虚g體G3(7.61g)、化合物G3b(16.05g)、三氟甲磺酸銀(1.63g)及二乙二醇二甲醚(79mL)，在160℃進(jìn)行16小時(shí)攪拌。冷卻至室溫后，在所得到的反應(yīng)混合物中加入甲醇(304mL)，對(duì)生成的沉淀進(jìn)行過濾。將所得到的沉淀用硅膠柱色譜(己烷/甲苯＝4/6.5(體積基準(zhǔn))的混合溶劑)進(jìn)行純化，在減壓下除去溶劑。使所得到的殘?jiān)?8.05g)溶于二氯甲烷(80mL)，在該溶液中加入甲醇(80mL)。過濾收集生成的沉淀，對(duì)其進(jìn)行減壓干燥，由此得到化合物G3(6.25g)。

¹H-NMR(CD₂Cl₂，300MHz)：δ(ppm)＝8.09(m，3H)，8.01(s，6H)，7.84(m，3H)，7.72(d，3H)，7.57(m，6H)，7.42(d，12H)，7.19(d，12H)，7.03(d，3H)，6.96-6.86(m，6H)，1.65(s，12H)，1.24(s，36H)，0.63(s，54H).

化合物G3的發(fā)光譜的最大峰值波長為545nm。

<合成例9>化合物S2的合成

<階段1>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿饬飨潞?，加入化合物S1(91.49g)、間二溴苯(17.70g)及甲苯(478mL)，進(jìn)行20分鐘氮?dú)夤呐?。之后，向其中加?0重量％四乙基氫氧化銨水溶液(166mL)及雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)(0.26g)，進(jìn)行6.5小時(shí)回流。冷卻至室溫后，從所得到的反應(yīng)液分離有機(jī)層，將該有機(jī)層以水(300mL)、飽和食鹽水(300mL)的順序進(jìn)行洗滌。將所得到的有機(jī)層用硫酸鈉進(jìn)行干燥后，減壓蒸餾掉溶劑。將所得到的殘?jiān)苡诩和?氯仿(20/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑，用硅膠柱色譜進(jìn)行純化，通過減壓濃縮除去溶劑。在所得到的殘?jiān)屑尤爰状?845mL)及氯仿(56mL)，進(jìn)行30分鐘回流。將所得到的溶液冷卻，對(duì)所得到的沉淀進(jìn)行過濾，進(jìn)行干燥，由此得到化合物S2-a(74.40g)。

<階段2>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿饬飨潞螅尤牖衔颯2-a(74.40g)、雙(頻哪醇合)二硼(21.13g)、4，4’-二叔丁基-2，2’-二吡啶(609mg)、環(huán)己烷(734mL)及雙(1，5-環(huán)辛二烯)二-μ-甲氧基二銥(I)(752mg)，進(jìn)行8小時(shí)回流。風(fēng)冷至室溫后，在所得到的反應(yīng)液中加入硅膠(83.93g)，用硅膠柱色譜(展開溶劑：二氯甲烷/乙腈(100/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑)進(jìn)行純化。之后，減壓蒸餾掉溶劑，使所得到的殘?jiān)苡诩妆?420mL)，將其加熱至50℃。之后，向其中滴加乙腈(839mL)，對(duì)析出的固體進(jìn)行過濾。將所得到的固體利用己烷/乙腈(1/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑進(jìn)行30分鐘回流后，冷卻至室溫，濾取沉淀并使之干燥，由此得到化合物S2(68.53g)。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)：δ(ppm)＝8.14(d，J＝1.8Hz，2H)，8.09(m，1H)，7.85(d，J＝1.6Hz，4H)，7.82(m，2H)，7.64(d，J＝8.5Hz，8H)，7.48(d，J＝8.5Hz，8H)，1.79(s，8H)，1.42(s，24H)，1.39(s，12H)，0.77(s，36H).

<合成例10>化合物G4的合成

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿饬飨潞?，加入依?jù)日本特開2004-531485號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物G4a(8.00g)、化合物S2(39.83g)及四氫呋喃(640mL)，進(jìn)行20分鐘氮鼓泡。之后，向其中加入20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(13.22g)及四(三苯基膦)鈀(0)(1.244g)，進(jìn)行41小時(shí)回流。冷卻至室溫后，在所得到的反應(yīng)液中加入水(1500mL)及甲苯(1500mL)，分離有機(jī)層，將所得到的有機(jī)層用水(1500mL)洗滌3次。將所得到的有機(jī)層用硫酸鈉進(jìn)行干燥后，進(jìn)行濃縮。使所得到的殘?jiān)苡诩妆?己烷(20/1(體積基準(zhǔn)))的混合溶劑，用硅膠柱色譜進(jìn)行純化，在減壓下除去溶劑。使所得到的殘?jiān)苡诩妆?350mL)，將其加熱至50℃。在所得到的溶液中滴加乙腈(700mL)使固體析出。對(duì)所得到的固體進(jìn)行過濾，用甲醇(100mL)進(jìn)行洗滌。在所得到的固體中加入己烷(350mL)及乙腈(350mL)，對(duì)其進(jìn)行30分鐘回流。冷卻至室溫后，對(duì)所得到的固體進(jìn)行過濾，用乙腈(100mL)進(jìn)行洗滌。通過使所得到的固體在減壓下進(jìn)行干燥，由此得到上述式所示的化合物G4(31.29g)。

¹H-NMR(CD₂Cl₂，300MHz)：δ(ppm)＝8.16-8.13(m，6H)，8.04(m，6H)，7.99(m，3H)，7.95(s，12H)，7.86(m，6H)，7.76-7.65(m，30H)，7.47(d，24H)，7.37(d，3H)，7.15(d，3H)，7.05-7.00(m，3H)，1.77(s，24H)，1.37(s，72H)，0.72(s，108H).

化合物G4的發(fā)光譜的最大峰值波長為514nm。

<合成例11>化合物R1的合成

化合物R1依照國際公開第2002/44189號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物R1的發(fā)光譜的最大峰值波長為617nm。

<合成例12>化合物R2的合成

化合物R2依據(jù)日本特開2006-188673號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物R2的發(fā)光譜的最大峰值波長為619nm。

<合成例13>化合物R3的合成

化合物R3依據(jù)日本特開2011-105701號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物R3的發(fā)光譜的最大峰值波長為611nm。

<合成例14>化合物R4的合成

化合物R4依據(jù)日本特開2008-179617號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

化合物R4的發(fā)光譜的最大峰值波長為594nm。

<合成例15>化合物R5的合成

<階段1>

將遮光的反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氬氣氣氛后，加入依據(jù)日本特開2011-105701號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物R5a(381mg)、雙(頻哪醇合)二硼(157mg、0.62mmol)、[1，1′-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)二氯甲烷加成物(PdCl₂(dppf)·CH₂Cl₂、20mg、0.024mmol)、乙酸鉀(118mg、1.2mmol)及四氫呋喃(13mL)，在加熱回流下進(jìn)行攪拌11小時(shí)。之后，冷卻至室溫，加入甲苯(10mL)后進(jìn)行減壓濃縮由此蒸餾掉溶劑，得到固體。將所得到的固體通過硅膠柱色譜(己烷/甲苯)進(jìn)行純化。得到包含目標(biāo)物質(zhì)的級(jí)分。將所得到的級(jí)分濃縮，將所得到的固體用甲醇進(jìn)行洗滌后，在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥，由此得到作為紅色固體的化合物R5b(187mg)。產(chǎn)率為47％。所得到的化合物R5b的HPLC面積百分率值(檢測(cè)波長UV254nm)顯示出99.9％以上。

MALDI-TOF/MS(positive)：m/z＝1984[M]⁺

¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)：δ(ppm)＝9.25(s，1H)，9.09(m，3H)，8.89(d，1H)，8.53(s，1H)，8.36(m，5H)，8.27(m，7H)，7.86(m，1H)，7.81(d，1H)，7.76(s，2H)，7.64(m，7H)，7.42(m，13H)，7.14-7.30(m，4H)，7.07(t，2H)，1.38(s，18H)，1.35(s，30H)，1.31(s，12H)，1.24(s，18H).

<階段2>

將遮光的反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氬氣氣氛后，加入化合物R5b(140mg)、4-溴基三苯胺(51mg)、四(三苯基膦)鈀(0)(5.6mg)、四氫呋喃(9mL)及20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(258mg)，在加熱回流下攪拌8小時(shí)。之后，冷卻至室溫，加入甲苯(10mL)后通過減壓濃縮蒸餾掉溶劑，得到固體。將所得到的固體通過硅膠柱色譜(己烷/甲苯)進(jìn)行純化，得到包含目標(biāo)物質(zhì)的級(jí)分。將所得到的級(jí)分進(jìn)行濃縮，將所得到的固體通過硅膠柱色譜(己烷/氯仿)再度進(jìn)行純化，得到包含目標(biāo)物質(zhì)的級(jí)分。將所得到的級(jí)分進(jìn)行濃縮，將所得到的固體用甲醇進(jìn)行洗滌后，在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥，由此得到作為紅色固體的目標(biāo)物質(zhì)即化合物R5(130mg)。產(chǎn)率為84％。所得到的化合物R5的HPLC面積百分率值(檢測(cè)波長UV254nm)顯示出99.0％以上。

MALDI-TOF/MS(positive)：m/z＝2219[M]⁺

¹H-NMR(600MHz，THF-d₈)：δ(ppm)＝9.49(s，1H)，9.33(s，1H)，9.26(d，1H)，9.23(m，1H)，9.03(d，1H)，8.70(s，1H)，8.60(d，1H)，8.56(d，1H)，8.43(d，4H)，8.39(d，4H)，8.22(s，1H)，8.19(s，1H)，8.08(m，1H)，8.07(d，1H)，7.85(s，2H)，7.73(m，3H)，7.69(d，1H)，7.66(d，4H)，7.60(d，2H)，7.58(d，2H)，7.51(m，8H)，7.47(d，4H)，7.32(d，1H)，7.24(m，10H)，7.15(m，3H)，7.09(m，12H)，6.98(m，4H)，1.42(s，18H)，1.36(s，18H)，1.27(s，18H).

化合物R5的發(fā)光譜的最大峰值波長為615nm。

<合成例16>化合物MC2的合成

將遮光的反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿夥蘸螅尤胍罁?jù)日本特開2008-179617號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物MC1(38g、22.6mmol)、N-溴基琥珀酰亞胺(12.1g、68mmol)及氯仿(1800mL)，在室溫進(jìn)行24小時(shí)攪拌。使所得到的反應(yīng)混合物通過敷設(shè)有硅膠的過濾器，由此除去固體成分。對(duì)所得到的濾液進(jìn)行減壓濃縮由此蒸餾掉溶劑得到固體。將所得到的固體通過硅膠柱色譜(氯仿/己烷＝1/3)進(jìn)行純化，得到包含目標(biāo)物質(zhì)的級(jí)分。將所得到的級(jí)分進(jìn)行濃縮，進(jìn)行3次重結(jié)晶(二氯甲烷/己烷)由此進(jìn)行純化，在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥，由此得到作為紅色固體的化合物MC2(22.1g)。產(chǎn)率為51％。所得到的化合物MC2的HPLC面積百分率值(檢測(cè)波長UV254nm)顯示出99.4％。

LC/MS(APCI-posi)：m/z＝1920[M+H]⁺

¹H-NMR(300MHz/CD₂Cl₂)：δ(ppm＝)9.31(d，3H)，9.26(dd，3H)，8.38(d，12H)，8.22(d，3H)，7.96(d，3H)，7.43(d，12H)，7.00(dd，3H)，6.82(d，3H)，1.23(s，18H).

<合成例17>化合物R6的合成

<階段1>

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氬氣氣氛后，加入雙(4-叔丁基苯基)胺(98.5g)、三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(3.21g)、三叔丁基膦四氟硼酸鹽(4.06g)、叔丁醇鈉(67.3g)及甲苯(665mL)，一邊攪拌一邊加熱至80℃。之后，向其中滴加溶于甲苯(55ml)的溴苯(57.1g)，在85℃攪拌4小時(shí)。將所得到的反應(yīng)混合物用甲苯(680ml)進(jìn)行稀釋后，進(jìn)行趁熱過濾除去固體。在所得到的濾液中加入活性白土(35g)及活性氧化鋁(35g)，在90℃攪拌1.5小時(shí)后，進(jìn)行趁熱過濾由此除去固體。對(duì)所得到的濾液進(jìn)行減壓濃縮由此除去溶劑，得到固體。對(duì)所得到的固體進(jìn)行2次重結(jié)晶(己烷/乙醇)由此進(jìn)行純化，在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥，由此得到作為固體的目標(biāo)物質(zhì)即化合物R6a(99g)。產(chǎn)率為79％。所得到的化合物R6a的HPLC面積百分率值(檢測(cè)波長UV254nm)顯示出99.9％以上。

<階段2>

將遮光的反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氬氣氣氛后，加入化合物R6a(71.5g)、N-碘琥珀酰亞胺(49.5g)及N，N-二甲基甲酰胺(800mL)，一邊攪拌一邊加熱至30℃。之后，向其中滴加三氟乙酸(11.4g)，在50℃進(jìn)行4小時(shí)攪拌。之后，使用冰浴進(jìn)行冷卻，滴加離子交換水(800mL)及10％氯化鈉水溶液(200mL)，此時(shí)得到固體。使所得到的固體溶于甲苯(1L)后，使用離子交換水(800mL)洗滌2次，得到有機(jī)層。將所得到的有機(jī)層用無水硫酸鈉進(jìn)行干燥后，進(jìn)行減壓濃縮由此蒸餾掉溶劑，得到固體。將所得到的固體在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥后，進(jìn)行重結(jié)晶(氯仿/甲醇)由此進(jìn)行純化，在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥，由此得到作為固體的目標(biāo)物質(zhì)即化合物R6b(84g)。產(chǎn)率為87％。所得到的化合物R6b的HPLC面積百分率值(檢測(cè)波長UV254nm)顯示99.4％。

<階段3>

將遮光的反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿夥蘸?，加入化合物R6b(7.5g)及四氫呋喃(80mL)。之后，向其中滴加溶于四氫呋喃的異丙基氯化鎂(2mol/L、15mL)，在室溫?cái)嚢?小時(shí)。之后，使用冰浴進(jìn)行冷卻，加入2-異丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜環(huán)戊硼烷(6.4mL)，進(jìn)行5分鐘攪拌。之后，撤除冰浴，一邊緩慢升溫至室溫一邊攪拌3小時(shí)。之后，使用冰浴再次進(jìn)行冷卻后，使用乙酸乙酯(90mL)及甲苯(30mL)的混合溶劑進(jìn)行萃取，將所得到的有機(jī)層用15重量％的食鹽水(50mL)洗滌2次，得到有機(jī)層。將所得到的有機(jī)層用無水硫酸鈉進(jìn)行干燥后，進(jìn)行減壓濃縮由此蒸餾掉溶劑，得到固體。對(duì)所得到的固體進(jìn)行2次重結(jié)晶(氯仿/甲醇)由此進(jìn)行純化，在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥，由此得到作為白色固體的目標(biāo)物質(zhì)即化合物R6c(5.5g)。產(chǎn)率為74％。所得到的化合物R6c的HPLC面積百分率值(檢測(cè)波長UV254nm)顯示99.5％以上。

TLC/MS(DART positive)：m/z＝484[M+H]⁺

<階段4>

將遮光的反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為氮?dú)鈿夥蘸?，加入化合物MC2(5.0g)、化合物R6c(4.4g)、四(三苯基膦)鈀(0)(360mg)、20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(20mL)及四氫呋喃(210ml)，在加熱回流下進(jìn)行24小時(shí)攪拌。之后，冷卻至室溫，加入甲苯(400mL)及離子交換水(400mL)，進(jìn)行萃取，得到有機(jī)層。將所得到的有機(jī)層用離子交換水洗滌2次，用5重量％食鹽水洗滌1次，得到有機(jī)層。將所得到的有機(jī)層用無水硫酸鈉進(jìn)行干燥后，進(jìn)行減壓濃縮由此蒸餾掉溶劑，得到固體。對(duì)所得到的固體進(jìn)行重結(jié)晶(甲苯/異丙醇)由此進(jìn)行純化，在50℃進(jìn)行一夜減壓干燥，由此得到作為紅色固體的化合物R6(3.9g)。產(chǎn)率為55％。所得到的化合物R6的HPLC面積百分率值(檢測(cè)波長UV254nm)顯示99.5％以上。

¹H-NMR(300MHz/CD₂Cl₂)：δ(ppm)＝9.41(d，3H)，9.21(dd，3H)，8.39(d，12H)，8.26(d，3H)，7.96(s，3H)，7.45～7.38(m，18H)，7.27(dd，12H)，7.23～7.16(m，6H)，6.96(d，18H)，1.30(s，54H)，1.22(s，54H).

LC/MS(APCI positive)：m/z＝2751[M+H]⁺

化合物R6的發(fā)光譜的最大峰值波長為619nm。

<合成例18>高分子化合物HP-1的合成

將反應(yīng)容器內(nèi)的氣體設(shè)為氮?dú)鈿夥蘸?，將依?jù)日本特開2010-189630號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M0(2.4290g)、依據(jù)國際公開第2013/191088號(hào)中記載的方法合成的化合物M1(2.4940g)、依據(jù)國際公開第2013/191088號(hào)中記載的方法合成的化合物M2(1.2936g)及甲苯(94ml)的混合物加熱至約80℃后，加入雙[三(2-甲氧基苯基)膦]二氯化鈀(8.56mg)及20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(17.2g)，在氬氣回流下攪拌約9小時(shí)。

之后，加入苯硼酸(0.1201g)、雙[三(2-甲氧基苯基)膦]二氯化鈀(4.30mg)及20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(17.2g)，進(jìn)一步在氬氣回流下攪拌約14小時(shí)。之后，加入使N，N-二乙基二硫代氨基甲酸鈉三水合物(1.37g)溶于離子交換水(26ml)的溶液，一邊加熱至85℃一邊攪拌約2小時(shí)。將所得到的有機(jī)層用3.6重量％鹽酸洗滌2次，用2.5重量％氨水洗滌2次，用離子交換水洗滌6次，依次進(jìn)行洗滌。將所得到的有機(jī)層滴加至甲醇中使產(chǎn)生沉淀，濾取，使之干燥，由此得到固體。使所得到的固體溶于甲苯，通入預(yù)先通入過甲苯的硅膠柱及氧化鋁柱中。將所得到的溶液滴加至甲醇由此產(chǎn)生沉淀，濾取，進(jìn)行干燥，由此得到高分子化合物HP-1(3.769g)。高分子化合物HP-1的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)及重均分子量(Mw)為Mn＝8.2×10⁴，Mw＝2.4×10⁵。

高分子化合物HP-1是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M0衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物M1衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M2衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶30∶20的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

<合成例19>高分子化合物HP-2的合成

對(duì)于高分子化合物HP-2而言，使用依據(jù)日本特開2010-189630號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M0、依據(jù)國際公開第2013/191088號(hào)中記載的方法合成的化合物M1、以及依據(jù)國際公開第2013/191088號(hào)中記載的方法合成的化合物M3，依據(jù)國際公開第2013/191088號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成。

高分子化合物HP-2的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)及重均分子量(Mw)為Mn＝9.8×10⁴、Mw＝2.7×10⁵。

高分子化合物HP-2是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M0衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物M1衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M3衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶26∶24的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

<合成例20>高分子化合物HP-3的合成

對(duì)于高分子化合物HP-3而言，使用化合物M0、依據(jù)日本特開2012-36381號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M11、以及依據(jù)日本特開2012-36381號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M12，依據(jù)日本特開2012-36381號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

高分子化合物HP-3的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)及重均分子量(Mw)為Mn＝3.4×10⁴，Mw＝1.2×10⁵。

高分子化合物HP-3是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M0衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物M1衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M3衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶20∶30的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

<合成例21>高分子化合物HP-4的合成

高分子化合物HP-4是使用化合物M0及化合物M1依據(jù)國際公開第2013/1910gg號(hào)中記載的方法合成的。

高分子化合物HP-4的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)及重均分子量(Mw)為Mn＝9.7×10⁴、Mw＝2.9×10⁵。

高分子化合物HP-4是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M0衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M1衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

<合成例22>高分子化合物HTL-1的合成

對(duì)于高分子化合物HTL-1而言，使用依據(jù)國際公開第2002/045184號(hào)中記載的方法合成的化合物M4、依據(jù)國際公開第2002/045184號(hào)中記載的方法合成的化合物M5、以及依據(jù)國際公開第2011/049241號(hào)中記載的方法合成的化合物M6，依據(jù)國際公開第2011/049241號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成。

高分子化合物HTL-1的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量分別為Mn＝8.9×10⁴及Mw＝4.2×10⁵。

高分子化合物HTL-1是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M4衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物M5衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M6衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶42.5∶7.5的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

<合成例23>高分子化合物HTL-2的合成

對(duì)于高分子化合物HTL-2而言，使用依據(jù)日本特開2011-174062號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M7、依據(jù)國際公開第2002/045184號(hào)中記載的方法合成的化合物M8、依據(jù)國際公開第2005/049546號(hào)中記載的方法合成的化合物M9、以及依據(jù)日本特開2008-106241號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M10，依據(jù)日本特開2011-174062號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

高分子化合物HTL-2的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量各自為Mn＝7.8×10⁴及Mw＝2.6×10⁵。

高分子化合物HTL-2是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M7衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物M8衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物M9衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M10衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶12.5∶30∶7.5的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

<合成例24>高分子化合物HTL-3的合成

高分子化合物HTL-3是使用化合物M4及化合物M5依據(jù)日本特開2012-36381號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成的。

高分子化合物HTL-3的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量各自為Mn＝8.1×10⁴及Mw＝3.4×10⁵。

高分子化合物HTL-3是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M4衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M5衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

<合成例25>化合物Ma3的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入化合物Ma2(64.6g)及四氫呋喃(615ml)，冷卻至-70℃。向其中用時(shí)1小時(shí)滴加正丁基鋰己烷溶液(1.6M，218ml)后，在-70℃攪拌2小時(shí)。將化合物Ma1(42.1g)分幾次加入其中后，在-70℃攪拌2小時(shí)。向其中用時(shí)1小時(shí)滴加甲醇(40ml)后，升溫至室溫。之后，進(jìn)行減壓濃縮蒸餾掉溶劑，加入甲苯及水。之后，分離水層，將所得到的有機(jī)層進(jìn)一步用水進(jìn)行洗滌。將所得到的有機(jī)層進(jìn)行減壓濃縮，使用硅膠柱(展開溶劑己烷和乙酸乙酯的混合溶劑)對(duì)所得到的殘?jiān)M(jìn)行純化，由此得到作為無色油狀物的化合物Ma3 71g。所得到的化合物Ma3的HPLC面積百分率值(UV254nm)為97.5％。反復(fù)進(jìn)行上述操作由此得到必要量的化合物Ma3。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：2.43(1H，s)，3.07-3.13(4H，m)，6.95(1H，d)，7.07(1H.S)，7.18-7.28(3H，m)，7.28-7.40(4H，m)，7.66(2H，s).

<合成例26>化合物Ma4的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入化合物Ma3(72.3g)、甲苯(723ml)及三乙基硅烷(118.0g)，升溫至70℃。向其中用時(shí)1.5小時(shí)滴加甲磺酸(97.7g)后，在70℃攪拌0.5小時(shí)。之后，冷卻至室溫，加入甲苯(1L)及水(1L)后，將水層分離。將所得到的有機(jī)層以水、5重量％碳酸氫鈉水、水的順序進(jìn)行洗滌。將所得到的有機(jī)層進(jìn)行減壓濃縮，將所得到的粗產(chǎn)物利用甲苯及乙醇的混合溶液進(jìn)行重結(jié)晶，由此得到作為白色固體的化合物Ma451.8g。所得到的化合物Ma4的HPLC面積百分率值(UV254nm)為99.5％以上。反復(fù)進(jìn)行上述操作，由此得到必要量的化合物Ma4。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：3.03-3.14(4H，m)，4.99(1H，s)，6.68(1H，s)，6.92-7.01(2H，m)，7.20-7.28(2H，m)，7.29-7.38(4H，m)，7.78(2H，d).

<合成例27>化合物Mb3的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入化合物Mb1(185.0g)、化合物Mb2(121.1g)、CuI(3.2g)、二氯甲烷(185ml)及三乙胺(2.59L)，升溫至回流溫度。之后，在回流溫度攪拌0.5小時(shí)，冷卻至室溫。向其中加入二氯甲烷(185L)后，利用鋪滿硅藻土的過濾器進(jìn)行過濾。在所得到的濾液中加入10重量％碳酸氫鈉水溶液后，分離水層。將所得到的有機(jī)層用水洗滌2次，用飽和NaCl水洗滌后，加入硫酸鎂。對(duì)所得到的混合物進(jìn)行過濾，將所得到的濾液減壓濃縮。使用硅膠柱(展開溶劑氯仿與乙酸乙酯的混合溶劑)對(duì)所得到的殘?jiān)M(jìn)行純化，由此得到粗產(chǎn)物。使所得到的粗產(chǎn)物溶于乙醇(1.4L)后，加入活性炭(5g)，進(jìn)行過濾。將所得到的濾液減壓濃縮，將所得到的殘?jiān)眉和檫M(jìn)行重結(jié)晶，由此得到作為白色固體的化合物Mb3 99.0g。所得到的化合物Mb3的HPLC面積百分率值(UV254nm)為99.5％以上。反復(fù)進(jìn)行上述操作，由此得到必要量的化合物Mb3。

¹H-NMR(DMSO-d6，300MHz)δ(ppm)：1.52-1.55(8H，m)，2.42(4H，t)，3.38-3.44(4H，m)，4.39-4.43(2H，m)，7.31(4H，s).

<合成例28>化合物Mb4的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入化合物Mb3(110.0g)、乙醇(1.65L)及鈀/碳(Pd重量10％)(11.0g)，升溫至30℃。之后，將燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氫氣置換。之后，一邊向燒瓶?jī)?nèi)供給氫氣，一邊在30℃攪拌3小時(shí)。之后，將燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q。對(duì)所得到的混合物進(jìn)行過濾，將所得到的濾液減壓濃縮。使用硅膠柱(展開溶劑氯仿與乙酸乙酯的混合溶劑)對(duì)所得到的殘?jiān)M(jìn)行純化，由此得到粗產(chǎn)物。將所得到的粗產(chǎn)物利用己烷進(jìn)行重結(jié)晶，由此得到作為白色固體的化合物Mb4 93.4g。所得到的化合物Mb4的HPLC面積百分率值(UV254nm)為98.3％。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：1.30-1.40(8H，m)，1.55-1.65(8H，m)，2.58(4H，t)，3.64(4H，t)，7.09(4H，s).

¹³C-NMR(CDCl₃，75MHz)δ(ppm)：25.53，28.99，31.39，32.62，35.37，62.90，128.18，139.85.

<合成例29>化合物Mb5的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入化合物Mb4(61.0g)，吡啶(0.9g)及甲苯(732ml)，升溫至60℃。向其中用時(shí)1.5小時(shí)滴加亞硫酰氯(91.4g)后，在60℃攪拌5小時(shí)。將所得到的混合物冷卻至室溫后，進(jìn)行減壓濃縮。使用硅膠柱(展開溶劑己烷和乙酸乙酯的混合溶劑)對(duì)所得到的殘?jiān)M(jìn)行純化，由此得到作為無色油狀物的化合物Mb5 64.3g。所得到的化合物Mb5的HPLC面積百分率值(UV254nm)為97.2％。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：1.35-1.40(4H，m)，1.41-1.50(4H，m)，1.60-1.68(4H，m)，1.75-1.82(4H，m)，2.60(4H，t)，3.55(4H，t)，7.11(4H，s).

<合成例30>化合物Mb6的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入化合物Mb5(42.0g)、鐵粉(1.7g)、碘(0.3g)及二氯甲烷(800ml)。之后，將燒瓶整體遮光，冷卻至0～5℃。向其中用時(shí)1小時(shí)滴加溴(44.7g)及二氯甲烷(200ml)的混合液后，在0～5℃進(jìn)行一夜攪拌。將所得到的混合液加入冷卻至0～5℃的水(1.2L)后，分離有機(jī)層。將所得到的有機(jī)層用10重量％硫代硫酸鈉水溶液進(jìn)行洗滌，進(jìn)一步以飽和氯化鈉水、水的順序進(jìn)行洗滌。在所得到的有機(jī)層中加入硫酸鈉后，進(jìn)行過濾，將所得到的濾液減壓濃縮。使用硅膠柱(展開溶劑己烷)對(duì)所得到的殘?jiān)M(jìn)行純化，由此得到粗產(chǎn)物。將所得到的粗產(chǎn)物利用己烷進(jìn)行重結(jié)晶，由此得到作為白色固體的化合物Mb6 47.0g。所得到的化合物Mb6的HPLC面積百分率值(UV254nm)為98.3％。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：1.38-1.45(4H，m)，1.47-1.55(4H，m)，1.57-1.67(4H，m)，1.77-1.84(4H，m)，2.66(4H，t)，3.55(4H，t)，7.36(2H，s).

<合成例31>化合物Mb7的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入碘化鈉(152.1g)及丙酮(600ml)，在室溫進(jìn)行0.5小時(shí)攪拌。向其中加入Mb6(40.0g)后，升溫至回流溫度，在回流溫度進(jìn)行24小時(shí)攪拌。之后，冷卻至室溫，將所得到的混合液加入水(1.2L)中。將析出的固體過濾分離后，用水洗滌由此得到粗產(chǎn)物。將所得到的粗產(chǎn)物利用甲苯及甲醇的混合液進(jìn)行重結(jié)晶，由此得到作為白色固體的化合物Mb7 46.0g。所得到的化合物Mb7的HPLC面積百分率值(UV254nm)為99.4％。反復(fù)進(jìn)行上述操作，由此得到必要量的化合物Mb7。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：1.35-1.50(8H，m)，1.57-1.65(4H，m)，1.80-1.89(4H，m)，2.65(4H，t)，3.20(4H，t)，7.36(2H，s).

＜合成例32＞化合物Mb8的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入氫化鈉(60重量％，分散于液體石蠟中)(9.4g)、四氫呋喃(110ml)及化合物Mb7(63.2g)。將化合物Ma4(55.0g)分幾次加入其中后，攪拌12小時(shí)。向其中加入甲苯(440ml)及水(220ml)后，分離水層。將所得到的有機(jī)層用水進(jìn)行洗滌后，加入硫酸鎂。對(duì)所得到的混合液進(jìn)行過濾，將所得到的濾液減壓濃縮由此得到粗產(chǎn)物。使用硅膠柱(展開溶劑己烷和甲苯的混合溶劑)對(duì)所得到的粗產(chǎn)物進(jìn)行純化。之后，利用庚烷進(jìn)行重結(jié)晶由此得到作為白色固體的化合物Mb8 84.1g。所得到的化合物Mb8的HPLC面積百分率值(UV254nm)為99.5％以上。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：0.70-0.76(4H，m)，1.10-1.21(8H，m)，1.32-1.44(4H，m)，2.39-2.58(8H，m)，3.00-3.12(8H，m)，6.82-6.94(4H，m)，7.00-7.05(2H，m)，7.17-7.28(10H，m)，7.30-7.38(4H，m)，7.71-7.77(4H，m).

＜合成例33＞化合物M13的合成

將具有攪拌器的燒瓶?jī)?nèi)的氣體用氮?dú)庵脫Q后，加入化合物Mb8(84.0g)、[1，1’-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)二氯甲烷加成物(PdCl₂(dppf)·CH₂Cl₂，2.2g)、雙頻哪醇合二硼(68.3g)、乙酸鉀(52.8g)及環(huán)戊基甲醚(840ml)，升溫至回流溫度后，在回流溫度攪拌5小時(shí)。之后，冷卻至室溫，加入甲苯(500ml)及水(300ml)后，分離水層。將所得到的有機(jī)層用水進(jìn)行洗滌后，加入活性炭(18.5g)。對(duì)所得到的混合液進(jìn)行過濾，將所得到的濾液減壓濃縮由此得到粗產(chǎn)物。使用硅膠柱(展開溶劑己烷與甲苯的混合溶劑)對(duì)所得到的粗產(chǎn)物進(jìn)行純化。之后，反復(fù)進(jìn)行利用甲苯及乙腈的混合液進(jìn)行重結(jié)晶的操作，由此得到作為白色固體的化合物M13 45.8g。所得到的化合物M13的HPLC面積百分率值(UV254nm)為99.4％。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)δ(ppm)：0.70-0.76(4H，m)，1.24-1.40(36H，m)，2.39-2.48(4H，m)，2.66-2.75(4H，m)，3.00-3.10(8H，m)，6.76-6.90(4H，m)，7.00-7.05(2H，m)，7.19-7.30(8H，m)，7.30-7.36(4H，m)，7.43(2H，s)，7.72(4H，d).

＜合成例34＞高分子化合物HTL-4的合成

(工序1)將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為惰性氣體氣氛后，加入化合物M13(0.923g)、依據(jù)國際公開第2013/146806號(hào)中記載的方法合成的化合物M14(0.0496g)、化合物M9(0.917g)、二氯雙(三鄰甲氧基苯基膦)鈀(1.76mg)及甲苯(34mL)，加熱至105℃。

(工序2)在反應(yīng)液中滴加20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(6.7mL)，進(jìn)行6小時(shí)回流。

(工序3)反應(yīng)后，向其中加入苯硼酸(48.8mg)及二氯雙(三鄰甲氧基苯基膦)鈀(0.88mg)，進(jìn)行14.5小時(shí)回流。

(工序4)之后，向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃攪拌2小時(shí)。冷卻后，將所得到的反應(yīng)液用水洗滌2次，用3重量％乙酸水溶液洗滌2次，用水洗滌2次，將所得到的溶液滴加至甲醇中，此時(shí)產(chǎn)生沉淀。使所得到的沉淀物溶于甲苯，以氧化鋁柱、硅膠柱的順序進(jìn)行通過，由此進(jìn)行純化。將所得到的溶液滴加至甲醇中，進(jìn)行攪拌后，濾取所得到的沉淀物，進(jìn)行干燥，由此得到高分子化合物HTL-41.23g。

高分子化合物HTL-4的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2.3×10⁴，聚苯乙烯換算的重均分子量為1.2×10⁵。

高分子化合物HTL-4是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M13衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物M14衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M9衍生的結(jié)構(gòu)單元以45∶5∶50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

＜合成例35＞高分子化合物ETL-1的合成

(高分子化合物ETL-1a的合成)

對(duì)于高分子化合物ETL-1a而言，使用依據(jù)日本特開2012-33845號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M15、以及依據(jù)日本特開2012-33845號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物M16，依據(jù)日本特開2012-33845號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。

高分子化合物ETL-1a的Mn為5.2×10⁴。

高分子化合物ETL-1a是，以投入原料的量求出的理論值計(jì)，由化合物M15衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物M16衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。

(高分子化合物ETL-1的合成)

將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為惰性氣體氣氛后，加入高分子化合物ETL-1a(200mg)、四氫呋喃(20mL)及乙醇(20mL)，加熱至55℃。向其中加入溶于水(2mL)的氫氧化銫(200mg)，在55℃攪拌6小時(shí)。之后，冷卻至室溫后，進(jìn)行減壓濃縮，由此得到固體。將所得到的固體用水進(jìn)行洗滌后，進(jìn)行減壓干燥，由此得到高分子化合物ETL-1(150mg，淡黃色固體)。根據(jù)所得到的高分子化合物ETL-1的NMR譜，確認(rèn)到來自高分子化合物ETL-1a的乙基酯部位的乙基的信號(hào)完全消失。

＜實(shí)施例D1＞發(fā)光元件D1的制作及評(píng)價(jià)

(發(fā)光元件D1的制作)

(陽極及空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ITO膜由此形成陽極。在該陽極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的AQ-1200(Plextronics公司制)通過旋涂法以50nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛下，在加熱板上進(jìn)行170℃、15分鐘加熱由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

在二甲苯中使高分子化合物HTL-1以0.6重量％的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴注入層上通過旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障拢诩訜岚迳线M(jìn)行180℃、60分鐘加熱由此形成空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在二甲苯中，將高分子化合物HP-1、化合物B1、化合物G2及化合物R2(高分子化合物 HP-1/化合物 B1/化合物 G2/化合物 R2＝59重量％/40 重量％/0.6 重量％/0.4 重量％)以1.2重量％的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴傳輸層上通過旋涂法以60nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障拢M(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此形成發(fā)光層。

(陰極的形成)

將形成有發(fā)光層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10^-4Pa以下后，作為陰極，在發(fā)光層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著，在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件D1。

(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))

對(duì)發(fā)光元件D1施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為14.2％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.35，0.52)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為11.6％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.35，0.52)。

＜比較例CD3＞發(fā)光元件CD3的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-1、化合物B1、化合物G1及化合物R1(高分子化合物HP-1/化合物B1/化合物G1/化合物R1＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D1中的高分子化合物HP-1、化合物B1、化合物G2及化合物R2(高分子化合物HP-1/化合物B1/化合物G2/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D1同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件CD3。

對(duì)發(fā)光元件CD3施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為12.9％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.36，0.52)。

＜比較例CD4＞發(fā)光元件CD4的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HTL-3、以及高分子化合物HP-3、化合物B2、化合物G1及化合物R2(高分子化合物HP-3/化合物B2/化合物G1/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D1中的高分子化合物HTL-1、以及高分子化合物HP-1、化合物B1、化合物G2及化合物R2(高分子化合物HP-1/化合物B1/化合物G2/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D1同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件CD4。

對(duì)發(fā)光元件CD4施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為1.6％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.28，0.59)。

[表17]

＜實(shí)施例D2＞發(fā)光元件D2的制作及評(píng)價(jià)

(發(fā)光元件D2的制作)

(陽極及空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ITO膜由此形成陽極。在該陽極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的AQ-1200(Plextronics公司制)通過旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛下，在加熱板上進(jìn)行170℃、15分鐘加熱由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

在氯苯中將聚(9-乙烯基咔唑)(高分子化合物PVK)(Sigma-Aldrich公司制，重均分子量～1.1×10⁶，粉末狀)以0.6重量％的濃度進(jìn)行溶解。使用所得到的氯苯溶液，在空穴注入層上通過旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障拢诩訜岚迳线M(jìn)行180℃、60分鐘加熱由此形成空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在二甲苯中將高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物 HP-2/化合物 B1/化合物 G3/化合物 R2＝59 重量％/40 重量％/0.6 重量％/0.4 重量％)以1.8重量％的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴傳輸層上通過旋涂法以75nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此形成發(fā)光層。

(陰極的形成)

將形成有發(fā)光層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10^-4Pa以下后，作為陰極，在發(fā)光層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著，在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件D3。

(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))

對(duì)發(fā)光元件D2施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為16.5％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.41，0.45)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為15.0％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.41，0.45)。

＜實(shí)施例D3＞發(fā)光元件D3的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R3(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R3＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D3。

對(duì)發(fā)光元件D3施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為17.1％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.54，0.40)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為15.6％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.49，0.42)。

＜實(shí)施例D4＞發(fā)光元件D4的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R4(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R4＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D4。

對(duì)發(fā)光元件D4施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為19.5％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.55，0.42)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為17.7％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.51，0.44)。

＜實(shí)施例D5＞發(fā)光元件D5的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R5(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R5＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D5。

對(duì)發(fā)光元件D5施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為15.0％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.54，0.40)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為14.2％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.47，0.42)。

＜實(shí)施例D6＞發(fā)光元件D6的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R6(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R6＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D6。

對(duì)發(fā)光元件D6施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為14.8％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.54，0.40)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為13.8％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.48，0.42)。

＜實(shí)施例D7＞發(fā)光元件D7的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R6(高分子化合物 HP-2/化合物 B1/化合物 G3/化合物 R6＝59.2 重量％/40 重量％/0.6 重量％/0.2 重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D7。

對(duì)發(fā)光元件D7施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為17.4％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.46，0.44)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為16.3％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.41，0.45)。

＜實(shí)施例D8＞發(fā)光元件D8的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R6(高分子化合物 HP-2/化合物 B1/化合物 G3/化合物 R6＝59.1 重量％/40 重量％/0.6 重量％/0.3 重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D8。

對(duì)發(fā)光元件D8施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為16.3％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.51，0.42)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為15.4％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.46，0.44)。

＜實(shí)施例D9＞發(fā)光元件D9的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G2及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G2/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D9。

對(duì)發(fā)光元件D9施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為14.8％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.34，0.45)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為13.2％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.33，0.44)。

＜實(shí)施例D11＞發(fā)光元件D11的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G4及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G4/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D11。

對(duì)發(fā)光元件D11施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為15.8％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.22，0.36)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為13.7％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.21，0.36)。

＜比較例CD1＞發(fā)光元件CD1的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-2、化合物B2、化合物G1及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B2/化合物G1/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D2中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-2/化合物B1/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件CD1。

對(duì)發(fā)光元件CD1施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為1.5％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.30，0.53)。施加直至12V的電壓，但沒有達(dá)到1000cd/m²。

[表18]

＜實(shí)施例D10＞發(fā)光元件D10的制作及評(píng)價(jià)

(發(fā)光元件D10的制作)

(陽極及空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ITO膜由此形成陽極。在該陽極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的AQ-1200(Plextronics公司制)通過旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛下，在加熱板上進(jìn)行170℃、15分鐘加熱由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

在二甲苯中將高分子化合物HTL-2以0.6重量％的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴注入層上通過旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障拢诩訜岚迳线M(jìn)行180℃、60分鐘加熱由此形成空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在氯苯中，將高分子化合物HP-2，化合物B1，化合物G2及化合物R4(高分子化合物 HP-2/化合物 B1/化合物 G2/化合物 R4＝59 重量％/40 重量％/0.6 重量％/0.4 重量％)以1.2重量％的濃度溶解。使用所得到的氯苯溶液，在空穴傳輸層上通過旋涂法以60nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，進(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此作為發(fā)光層形成。

(陰極的形成)

將形成有發(fā)光層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10^-4Pa以下后，作為陰極，在發(fā)光層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著，在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件D10。

(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))

對(duì)發(fā)光元件D10施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為14.6％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.56，0.41)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為12.6％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.50，0.44)。

＜比較例CD2＞發(fā)光元件CD2的制作及評(píng)價(jià)

使用聚(9-乙烯基咔唑)(高分子化合物PVK)(Sigma-Aldrich公司制，重均分子量～1.1×10⁶，粉末狀)、化合物B1、化合物G2及化合物R4(高分子化合物 PVK/化合物 B1/化合物 G2/化合物 R4＝59 重量％/40 重量％/0.6 重量％/0.4 重量％)，代替實(shí)施例D10中的高分子化合物HP-2、化合物B1、化合物G2及化合物R4(高分子化合物 HP-2/化合物 B1/化合物 G2/化合物 R4＝59 重量％/40 重量％/0.6 重量％/0.4 重量％)，除此以外與實(shí)施例D10同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件CD2。

對(duì)發(fā)光元件CD2施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。50cd/m²時(shí)的外部量子效率為1.3％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.48，0.42)。1000cd/m²時(shí)的外部量子效率為2.5％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.44，0.42)。

[表19]

<實(shí)施例D12>發(fā)光元件D12的制作及評(píng)價(jià)

(發(fā)光元件D12的制作)

(陽極及空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ITO膜由此形成陽極。在該陽極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的AQ-1200(Plextronics公司制)通過旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛下，在加熱板上進(jìn)行170℃、15分鐘加熱由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

在二甲苯中將高分子化合物HTL-4以0.7重量％的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴注入層上通過旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，在加熱板上進(jìn)行180℃、60分鐘加熱由此形成空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在甲苯中，將低分子化合物HM-1(Luminescense Technology公司制)、化合物B3、化合物G2及化合物R2(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G2/化合物R2＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)以2.0重量％的濃度溶解。使用所得到的甲苯溶液，在空穴傳輸層上通過旋涂法以60nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，進(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此作為發(fā)光層形成。

(電子傳輸層的形成)

在2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇中，將高分子化合物ETL-1以0.25重量％的濃度溶解。使用所得到的2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇溶液，在發(fā)光層上通過旋涂法以10nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，進(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此形成電子傳輸層。

(陰極的形成)

使形成有電子傳輸層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10^-4Pa以下后，作為陰極，在發(fā)光層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著，在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件D12。

(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))

對(duì)發(fā)光元件D12施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。5000cd/m²時(shí)的外部量子效率為3.6％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.26，0.48)。設(shè)定電流值使得初始亮度為5000cd/m²后，以恒電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，測(cè)定亮度達(dá)到初始亮度的70％為止的時(shí)間，結(jié)果為12.5小時(shí)。

<實(shí)施例D13>發(fā)光元件D13的制作及評(píng)價(jià)

使用低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G2及化合物R4(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G2/化合物R4＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，代替實(shí)施例D12中的低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G2及化合物R2(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G2/化合物R2＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，除此以外與實(shí)施例D12同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D13。

對(duì)發(fā)光元件D13施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。5000cd/m²時(shí)的外部量子效率為4.4％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.31，0.50)。設(shè)定電流值使得初始亮度為5000cd/m²后，以恒電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，測(cè)定亮度達(dá)到初始亮度的70％為止的時(shí)間，結(jié)果為14.9小時(shí)。

<實(shí)施例D14>發(fā)光元件D14的制作及評(píng)價(jià)

使用低分子化合物HM-1、化合物B4、化合物G2及化合物R2(低分子化合物HM-1/化合物B4/化合物G2/化合物R2＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，代替實(shí)施例D12中的低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G2及化合物R2(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G2/化合物R2＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，除此以外與實(shí)施例D12同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件D14。

對(duì)發(fā)光元件D14施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。5000cd/m²時(shí)的外部量子效率為7.0％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.26，0.48)。設(shè)定電流值使得初始亮度為5000cd/m²后，以恒電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，測(cè)定亮度達(dá)到初始亮度的70％為止的時(shí)間，結(jié)果為11.1小時(shí)。

<比較例CD5>發(fā)光元件CD5的制作及評(píng)價(jià)

使用低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G1及化合物R1(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G1/化合物R1＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，代替實(shí)施例D12中的低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G2及化合物R2(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G2/化合物R2＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，除此以外與實(shí)施例D12同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件CD5。

對(duì)發(fā)光元件CD5施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。5000cd/m²時(shí)的外部量子效率為3.2％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.28，0.50)。設(shè)定電流值使得初始亮度為5000cd/m²后，以恒電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，測(cè)定亮度達(dá)到初始亮度的70％為止的時(shí)間，結(jié)果為9.4小時(shí)。

[表20]

<實(shí)施例D15>發(fā)光元件D15的制作及評(píng)價(jià)

(發(fā)光元件D15的制作)

(陽極及空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ITO膜由此形成陽極。在該陽極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的AQ-1200(Plextronics公司制)通過旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛下，在加熱板上進(jìn)行170℃、15分鐘加熱由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

在氯苯中將聚(9-乙烯基咔唑)(高分子化合物PVK)(Sigma-Aldrich公司制，重均分子量～1.1×10⁶，粉末狀)以0.6重量％的濃度溶解。使用所得到的氯苯溶液，在空穴注入層上通過旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，在加熱板上進(jìn)行180℃、60分鐘加熱由此形成空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在甲苯中，將低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G2及化合物R2(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G2/化合物R2＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)以2.0重量％的濃度溶解。使用所得到的甲苯溶液，在空穴傳輸層上通過旋涂法以60nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，進(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此作為發(fā)光層形成。

(電子傳輸層的形成)

在2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇中，將高分子化合物ETL-1以0.25重量％的濃度溶解。使用所得到的2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇溶液在發(fā)光層上通過旋涂法以10nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，進(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此形成電子傳輸層。

(陰極的形成)

使形成有電子傳輸層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10^-4Pa以下后，作為陰極，在發(fā)光層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著，在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件D15。

(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))

對(duì)發(fā)光元件D15施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。5000cd/m²時(shí)的外部量子效率為5.4％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.24，0.47)。設(shè)定電流值使得初始亮度為5000cd/m²后，以恒電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，測(cè)定亮度達(dá)到初始亮度的70％為止的時(shí)間，結(jié)果為0.69小時(shí)。

<實(shí)施例CD6>發(fā)光元件CD6的制作及評(píng)價(jià)

使用低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G1及化合物R1(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G1/化合物R1＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，代替實(shí)施例D15中的低分子化合物HM-1、化合物B3、化合物G2及化合物R2(低分子化合物HM-1/化合物B3/化合物G2/化合物R2＝73.9重量％/25重量％/1重量％/0.1重量％)，除此以外與實(shí)施例D15同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件CD6。

對(duì)發(fā)光元件CD6施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。5000cd/m²時(shí)的外部量子效率為4.6％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.25，0.49)。設(shè)定電流值使得初始亮度為5000cd/m²后，以恒電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，測(cè)定亮度達(dá)到初始亮度的70％為止的時(shí)間，結(jié)果為0.51小時(shí)。

[表21]

<實(shí)施例D16>發(fā)光元件D16的制作及評(píng)價(jià)

(發(fā)光元件D16的制作)

(陽極及空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ITO膜由此形成陽極。在該陽極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的AQ-1200(Plextronics公司制)通過旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛下，在加熱板上進(jìn)行170℃、15分鐘加熱由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

在二甲苯中將高分子化合物HTL-2以0.7重量％的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴注入層上通過旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，在加熱板上進(jìn)行180℃、60分鐘加熱由此形成空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在二甲苯中，將高分子化合物HP-4、化合物B3、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-4/化合物B3/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)以1.8重量％的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴傳輸層上通過旋涂法以75nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障?，進(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此形成發(fā)光層。

(電子傳輸層的形成)

在2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇中，使高分子化合物ETL-1以0.25重量％的濃度溶解。使用所得到的2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇溶液，在發(fā)光層上通過旋涂法以10nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥障拢M(jìn)行130℃、10分鐘加熱由此形成電子傳輸層。

(陰極的形成)

使形成有電子傳輸層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10^-4Pa以下后，作為陰極，在發(fā)光層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著，在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件D16。

(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))

對(duì)發(fā)光元件D16施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。100cd/m²時(shí)的外部量子效率為5.9％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.30，0.47)。

<比較例CD7>發(fā)光元件CD7的制作及評(píng)價(jià)

使用高分子化合物HP-4、化合物B3、化合物G1及化合物R1(高分子化合物HP-4/化合物B3/化合物G1/化合物R1＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，代替實(shí)施例D16中的高分子化合物HP-4、化合物B3、化合物G3及化合物R2(高分子化合物HP-4/化合物B3/化合物G3/化合物R2＝59重量％/40重量％/0.6重量％/0.4重量％)，除此以外與實(shí)施例D16同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件CD7。

對(duì)發(fā)光元件CD7施加電壓由此觀測(cè)EL發(fā)光。100cd/m²時(shí)的外部量子效率為4.7％、CIE色度坐標(biāo)(x，y)＝(0.28，0.49)。

[表22]