本發(fā)明涉及蓄電裝置用封裝材料、蓄電裝置及壓花型封裝材料的制造方法。
背景技術：
：作為蓄電裝置，例如已知有鋰離子電池、鎳氫電池及鉛蓄電池等二次電池、以及雙電層電容器。由于便攜設備的小型化或設置空間的限制，要求蓄電裝置的進一步小型化，例如能量密度高的鋰離子電池備受關注。鋰離子電池中，為了防止水分浸入內部，采用利用包含鋁箔層的封裝材料覆蓋電池整體的結構，該電池稱為鋁層壓型鋰離子電池。鋁層壓型鋰離子電池中，例如通過冷成型在封裝材料的一部分中形成凹部，在該凹部內收容電池要素(正極、隔板、負極及電解液等)，將封裝材料剩余的部分折疊并將邊緣部分通過熱封進行貼合，由此，形成壓花型鋰離子電池(以下，均記述為“單側成型加工電池”。)。通過冷成型而形成的凹部越深，越可以提高鋰離子電池的能量密度。但是，形成的凹部越深，在成型時的封裝材料上越容易引起針孔或斷裂，成型性降低。因此，在封裝材料的基材層中使用拉伸聚酰胺膜等來保護鋁箔等金屬箔。作為其例子，例如專利文獻1中提出了在基材層中采用拉伸試驗中的0°、45°、90°及135°的4個方向的直到斷裂的拉伸強度為150N/mm2、且該4個方向的伸長率為80％以上的膜?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利3567230號公報技術實現要素：發(fā)明所要解決的課題另一方面，近年來，為了提高能量密度，還制造了在貼合的封裝材料的兩側形成凹部，以可收容更多的電池要素的鋰離子電池(以下，均記述為“兩側成型加工電池”。)，但這種兩側成型加工電池存在使封裝材料彼此貼合時的對齊困難的問題。但是，為了在單側成型加工電池中得到與兩側成型加工電池同等的能量密度，要求形成更深的凹部，但專利文獻1所公開的電池盒用包裝材料中，有時對于更深的凹部的形成的成型性未必充分。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供一種即使在封裝材料上具有較深的凹部的蓄電裝置的制造中也能得到優(yōu)異的成型性的蓄電裝置用封裝材料、及壓花型封裝材料的制造方法。用于解決課題的方案為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種蓄電裝置用封裝材料，其具備基材層、配置于該基材層上的金屬箔層和配置于該金屬箔層上的密封層，其特征在于，所述基材層含有拉伸聚酯樹脂層及拉伸聚酰胺樹脂層的至少一層，所述金屬箔層是含有0.5質量％以上5.0質量％以下鐵的鋁箔，所述基材層的MD方向及TD方向上的所述封裝材料的拉伸伸長率均為50％以上。所述封裝材料中，通過使基材層包含拉伸聚酯樹脂層及拉伸聚酰胺樹脂層的至少一者，在成型加工時，基材層可以保護金屬箔層，而抑制金屬箔層的斷裂。另外，通過使金屬箔層是含有0.5質量％以上5.0質量％以下的鐵的鋁箔，可以提高金屬箔層的展延性，抑制成型加工時的斷裂。另外，通過使基材層的MD方向及TD方向上的所述封裝材料的拉伸伸長率均為50％以上，相對于成型加工時的拉伸應力，粘性變強，可以抑制斷裂。優(yōu)選的是，所述封裝材料還具備配置于所述基材層上的第一粘接層，所述金屬箔層經由所述第一粘接層配置于所述基材層上，所述第一粘接層含有芳香族聚氨酯系粘接劑層。在該情況下，通過使所述第一粘接層含有芳香族聚氨酯系粘接劑層，可得到封裝材料的更優(yōu)異的成型性。優(yōu)選的是，所述封裝材料還具備配置于所述金屬箔上的第二粘接層，所述密封層經由所述第二粘接層配置于所述金屬箔層上，所述基材層的厚度為20μm以上50μm以下，所述金屬箔層的厚度為30μm以上60μm以下，所述第二粘接層和密封層的厚度的合計為25μm以上90μm以下。通過使基材層的厚度為20μm以上，且金屬箔層的厚度為30μm以上，即使通過成型加工施加應力，也不易斷裂，可進一步提高封裝材料的成型性。另外，通過使第二粘接層和密封層的厚度的合計為90μm以下，可在不損壞成型性的情況下抑制封裝材料的厚度變大。優(yōu)選所述封裝材料的所述基材層側的表面及所述密封層側的表面的至少一者的靜摩擦系數為0.1以上，優(yōu)選所述基材層側表面及所述密封層側表面的靜摩擦系數為0.4以下。通過使基材層側表面及密封層側表面的靜摩擦系數為0.4以下，在成型加工時，封裝材料易于流入凹部，可以抑制封裝材料的伸長率，并抑制斷裂。另外，通過使基材層側表面和/或密封層側表面的靜摩擦系數為0.1以上，成型加工時的凹部以外的部分(蓋部或坯料部)的壓緊變得容易，可進一步抑制成型加工后的皺褶的產生。另外，優(yōu)選所述封裝材料的所述基材層側的表面及所述密封層側的表面的靜摩擦系數μS與動摩擦系數μD的差(μS-μD)為0.1以下。通過靜摩擦系數μS與動摩擦系數μD的差(μS-μD)為0.1以下，在成型加工時，取得封裝材料的凹部及凸緣壓緊部的滑動性的平衡，封裝材料的構成材料易于流入凹部。其結果，在成型加工時，凹部不會過薄，具有可以進一步抑制斷裂的傾向。本發(fā)明也可以用作使用所述蓄電裝置用封裝材料得到的蓄電裝置。另外，本發(fā)明也可以用作壓花型封裝材料的制造方法。該壓花型封裝材料的制造方法具備：準備成型裝置的工序，該成型裝置具備凸模和具有與所述凸模對應的開口部的凹模；以所述蓄電裝置用封裝材料覆蓋所述開口部的方式，將所述蓄電裝置用封裝材料配置于所述凸模和所述凹模之間的工序；以及將所述凸模壓入所述開口部內，在所述蓄電裝置用封裝材料上形成凹部的工序。該制造方法中，所述凸模的凸模圓角半徑Rp及所述凹模的凹模圓角半徑Rd分別為1mm以上5mm以下，所述凸模的圓角半徑Rcp為1mm以上5mm以下，將所述凸模壓入所述凹模的所述開口部內時的所述凸模與所述凹模的最短間隔距離即間隙為所述封裝材料厚度的1倍～1.5倍。通過使所述凸模圓角半徑Rp和所述凹模圓角半徑Rd為1mm以上，在成型加工時，封裝材料不會卡住而流入間隙內，可以抑制成型加工時的斷裂，另外，通過使所述Rp及Rd為5mm以下，可抑制成型加工時的封裝材料的厚膜化所引起的皺褶的產生。另外，通過使凸模的所述圓角半徑Rcp為1mm以上，可分散成型加工時的封裝材料流入引起的厚膜化，可以抑制卡在間隙內的情況，并抑制成型加工時的斷裂，另外，通過使所述Rcp為5mm以下，在配置電池要素且對邊緣側進行加壓熱熔接時，可以抑制凹部的圓角形狀的崩潰。另外，通過使所述間隙為封裝材料的厚度的1倍以上，可以抑制卡在間隙內的情況。需要說明的是，也可以在通過所述制造方法得到的壓花型封裝材料的所述凹部配置蓄電裝置要素，以覆蓋所述凹部的方式將所述壓花型封裝材料折回重疊，并將所述壓花型封裝材料的折回重疊的部分熱熔接，來制造蓄電裝置。發(fā)明效果根據本發(fā)明的蓄電裝置用封裝材料，即使在封裝材料上具有較深的凹部的蓄電裝置的制造中也可以得到優(yōu)異的成型性。附圖說明圖1是本發(fā)明一實施方式的蓄電裝置用封裝材料的概略剖面圖；圖2是表示通過本發(fā)明一實施方式的制造方法制作的壓花型封裝材料的圖，(a)是其立體圖，(b)是沿著(a)所示的壓花型封裝材料的b-b線的縱剖面圖；圖3是本發(fā)明一實施方式的壓花型封裝材料的制造方法中所使用的成型裝置的立體圖；圖4是沿著圖3的IV-IV線示意性地表示使用圖3所示的成型裝置進行封裝材料的成型的工序的縱剖面圖，(a)表示將封裝材料配置于凹模上的狀態(tài)，(b)表示利用膜壓板固定封裝材料的狀態(tài)，(c)是表示壓入凸模而形成凹部的狀態(tài)的圖；圖5是沿著V-V線示意性地表示圖4的(c)所示的成型工序中的成型裝置等的橫截面圖；圖6是表示使用本發(fā)明一實施方式的壓花型封裝材料制造單側成型加工電池的工序的立體圖，(a)表示準備加工成壓花型的封裝材料和電池要素的狀態(tài)，(b)表示將封裝材料的一部分折疊并將端部熔接的狀態(tài)，(c)表示將折疊的部分的兩側向上方折疊的狀態(tài)。具體實施方式以下，詳細說明本發(fā)明的實施方式。需要說明的是，本發(fā)明不限定于以下的實施方式。(蓄電裝置用封裝材料10)首先，說明本實施方式的蓄電裝置用封裝材料10(以下，簡稱為“封裝材料10”。)。封裝材料10是覆蓋正極、隔板、負極及電解液等電池要素，用于防止水分浸入電池內部，或防止在內部產生的物質(例如，通過水分的浸入而產生的氫氟酸等)向外部流出的包裝材料。這種封裝材料10如圖1所示，作為基本結構具備：基材層11、配置于基材層11上的金屬箔層13、配置于金屬箔層13上的密封層16。封裝材料10中，也可以在基材層11和金屬箔層13之間配置粘接層12，即，也可以還具備配置于基材層11上的粘接層12，金屬箔層13經由粘接層12配置于基材層11上。另外，封裝材料10中，也可以在金屬箔層13和密封層16之間配置防腐蝕處理層14和/或粘接層15。即，也可以還具備配置于金屬箔層13上的防腐蝕處理層14和/或粘接層15，密封層16經由防腐蝕處理層14和/或粘接層15配置于金屬箔層13上。封裝材料10中，基材層11可以為最外層，密封層16可以為最內層。即，封裝材料10也可以作為蓄電裝置用的容器，將基材層11設為外側，且將密封層16設為內側，而收容蓄電裝置。本實施方式中的封裝材料10在MD方向及TD方向上的拉伸伸長率均為50％以上，優(yōu)選為60％以上。通過使封裝材料10的拉伸伸長率均為50％以上，基材層11對金屬箔層13的保護效果增大，可以抑制成型加工時的斷裂。封裝材料10在MD方向及TD方向上的拉伸伸長率也可以均為200％以下，也可以為150％以下。在此，MD方向是“MachineDirection(縱向)”的簡稱，是指基材層11制造時的流動方向。另外，TD方向是“TransverseDirection(橫向)”的簡稱，是基材層11的平面上的與MD方向垂直的方向。封裝材料10的拉伸伸長率以百分率形式算出，該百分率是根據JISZ2241所記載的拉伸試驗方法，在拉伸速度25mm/分鐘、溫度23℃及濕度50％RH的條件下測定的原標點距離的增量相對于原標點距離的百分率。另外，封裝材料10的基材層側的表面及密封層側的表面的至少一者的(優(yōu)選兩者的)靜摩擦系數優(yōu)選為0.1以上，更優(yōu)選為0.15以上。通過使封裝材料10的基材層側表面和/或密封層側表面的靜摩擦系數為0.1以上，成型加工時的封裝材料10的凹部以外的部分(蓋部或坯料部)的壓緊產生效果，可抑制皺褶的產生。封裝材料10的基材層側的表面及密封層側的表面的靜摩擦系數優(yōu)選為0.4以下，更優(yōu)選為0.3以下。通過使封裝材料10的基材層側表面及密封層側表面的靜摩擦系數為0.4以下，封裝材料10的向成型加工區(qū)域(凹部22)的流入量增加，可得到更良好的成型性。另外，將靜摩擦系數設為μS且將動摩擦系數設為μD時的封裝材料10的基材層側的表面及密封層側的表面的靜摩擦系數與動摩擦系數的差(μS-μD)優(yōu)選為0.1以下，更優(yōu)選為0.05以下。通過使靜摩擦系數μS與動摩擦系數μD的差(μS-μD)為0.1以下，在成型加工時，取得封裝材料10的凹部及凸緣壓緊部的滑動性的平衡，封裝材料10的構成材料易于流入凹部。其結果，在成型加工時，凹部不會過薄，具有可以進一步抑制斷裂的傾向。作為降低基材層側表面及密封層側表面的靜摩擦系數的方法，或降低靜摩擦系數與動摩擦系數的差的方法，例如可舉出：將脂肪酸酰胺等潤滑劑溶入溶劑中，將溶液通過凹版涂布法、逆轉涂布法、輥涂法或棒涂法等方法涂布于基材層側表面及密封層側表面，并進行干燥，由此，得到潤滑劑層等的方法。可以根據涂布的潤滑劑的量控制靜摩擦系數值。上述的靜摩擦系數及動摩擦系數根據使用了JISP8147所記載的水平法的摩擦試驗方法進行測定。此時，靜摩擦系數及動摩擦系數在由與成型模具相同的材質構成且具有同樣的表面狀態(tài)的金屬和封裝材料之間測定。接著，更詳細地說明構成封裝材料10的各層。[基材層11]基材層11是在制造蓄電裝置時的后述的加壓熱熔接工序中對封裝材料10賦予耐熱性，用于抑制在加工或流通時可引起的針孔的產生的層。基材層11含有拉伸聚酯樹脂層及拉伸聚酰胺樹脂層的至少一層而構成。通過使基材層11含有拉伸聚酯樹脂層及拉伸聚酰胺樹脂層的至少一層，在成型加工時，可以保護金屬箔層13，從而抑制斷裂。另外，從增大封裝材料10的拉伸伸長率的觀點來看，拉伸聚酯樹脂層優(yōu)選為雙軸拉伸聚酯樹脂層，拉伸聚酰胺樹脂層優(yōu)選為雙軸拉伸聚酰胺樹脂層。另外，從穿刺強度或沖擊強度優(yōu)異的觀點來看，拉伸聚酯樹脂層更優(yōu)選為雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，拉伸聚酰胺樹脂層更優(yōu)選為雙軸拉伸尼龍(ONy)膜。需要說明的是，基材層11也可以含有拉伸聚酯樹脂層及拉伸聚酰胺樹脂層兩者而構成。基材層11的厚度例如優(yōu)選為20μm～50μm，更優(yōu)選為25μm～50μm，進一步優(yōu)選為30μm～40μm。通過使基材層11的厚度為20μm以上，可以提高金屬箔層13的保護效果，得到更優(yōu)異的成型性。通過使基材層11的厚度為50μm以下，可以降低成型加工后的翹曲量。此外，基材層11的厚度為層疊后的厚度，后述的粘接層12、金屬箔層13、防腐蝕處理層14、粘接層15及密封層16也一樣。本說明書中，至少基材層11、金屬箔層13、防腐蝕處理層14及密封層16的層疊前的厚度與層疊后的厚度相等。[粘接層12]粘接層12為將基材層11和金屬箔層13粘接的層。構成粘接層12的粘接劑優(yōu)選為含有聚酯多元醇、聚醚多元醇及丙烯酸多元醇等主劑和芳香族系聚異氰酸酯等固化劑的二液固化型芳香族聚氨酯系粘接劑。從增大封裝材料10的拉伸伸長率的觀點來看，粘接層12更優(yōu)選為含有由聚酯多元醇構成的主劑和由芳香族系聚異氰酸酯構成的固化劑的二液固化型芳香族聚酯聚氨酯系粘接劑。涂布上述聚氨酯系粘接劑后，通過例如以40℃進行4天以上的熟化，進行主劑的羥基與固化劑的異氰酸酯基的反應，可以使基材層11和金屬箔層13堅固地粘接。從粘接強度、追隨性及加工性等觀點來看，粘接層12的厚度優(yōu)選為例如1～10μm，更優(yōu)選為3～7μm。[金屬箔層13]從防濕性、延展性等加工性及成本的方面來看，金屬箔層13由例如鋁箔構成。從耐針孔性及成型加工時的延展性優(yōu)異的觀點來看，鋁箔優(yōu)選含有鐵。作為鋁箔中的鐵的含量，優(yōu)選為0.5～5.0質量％，更優(yōu)選為0.7～2.0質量％。通過使鐵的含量為0.5質量％以上，可得到封裝材料10的優(yōu)異的耐針孔性及延展性。另外，通過使鐵的含量為5.0質量％以下，可得到封裝材料10的優(yōu)異的柔軟性。從阻隔性、耐針孔性及成型加工性的觀點來看，金屬箔層13的厚度優(yōu)選為例如30～60μm，更優(yōu)選為40～60μm。通過使金屬箔層13的厚度為30μm以上，即使通過成型加工施加應力，也不易斷裂。通過使金屬箔層13的厚度為60μm以下，可降低封裝材料的質量增加，并可以抑制蓄電裝置的重量能量密度降低。[防腐蝕處理層14]防腐蝕處理層14發(fā)揮如下作用：抑制電解液或通過電解液與水分的反應產生的氫氟酸所帶來的金屬箔層13的腐蝕，且提高金屬箔層13和粘接層15的密合力。防腐蝕處理層14優(yōu)選為通過涂布型或浸漬型的耐酸性的防腐蝕處理劑形成的涂膜。該涂膜對于金屬箔層13防止酸的腐蝕的效果優(yōu)異。另外，通過錨定效應，金屬箔層13與粘接層15的密合力更堅固，因此，對于電解液等蓄電裝置要素可得到優(yōu)異的耐性。另外，根據需要功能，也可以在粘接層12和金屬箔層13之間追加防腐蝕處理層14。防腐蝕處理劑的涂膜通過如下處理等形成，例如利用由氧化鈰、磷酸鹽和各種熱固化性樹脂構成的防腐蝕處理劑進行的二氧化鈰溶膠處理；及利用由鉻酸鹽、磷酸鹽、氟化物、各種熱固化性樹脂構成的防腐蝕處理劑進行的鉻酸鹽處理。需要說明的是，防腐蝕處理層14只要是充分得到金屬箔層13的耐腐蝕性的涂膜即可，不限于上述的涂膜。防腐蝕處理層14例如也可以是通過磷酸鹽處理及勃姆石處理等而形成的涂膜。防腐蝕處理層14可以是單層，也可以是多層。另外，也可以向防腐蝕處理層14中添加硅烷系偶聯劑等添加劑。從防腐蝕功能及作為錨的功能的觀點來看，防腐蝕處理層14的厚度例如優(yōu)選為10nm～5μm，更優(yōu)選為20～500nm。[粘接層15]粘接層15是將形成有防腐蝕處理層14的金屬箔層13和密封層16粘接的層。封裝材料10根據形成粘接層15的粘接成分不同，大致分為熱層壓結構和干式層壓結構。構成熱層壓結構中的粘接層15的粘接成分優(yōu)選為將聚烯烴系樹脂利用酸或環(huán)氧化合物進行接枝改性的酸改性聚烯烴系樹脂或環(huán)氧改性聚烯烴系樹脂。酸改性聚烯烴系樹脂在無極性的聚烯烴系樹脂的一部分上導入極性基團，因此，可以堅固地密合于利用無極性的聚烯烴系樹脂膜等構成時的密封層16和大多具有極性的防腐蝕處理層14雙方。另外，通過使用酸改性聚烯烴系樹脂，提高了封裝材料10對于電解液等蓄電裝置要素的耐性，即使在電池內部產生氫氟酸，也易于防止粘接層15的劣化引起的密合力的降低。作為制造酸改性聚烯烴系樹脂所使用的聚烯烴系樹脂，例如可舉出：低密度、中密度及高密度的聚乙烯；乙烯-α烯烴共聚物；聚丙烯；以及丙烯-α烯烴共聚物等。為共聚物時的聚烯烴系樹脂可以是嵌段共聚物，也可以是無規(guī)共聚物。作為聚烯烴系樹脂中的酸改性的方法，可舉出通過酸進行接枝改性的方法及將具有酸的單體進行共聚合的方法等。作為將聚烯烴系樹脂改性的酸，可舉出羧酸及酸酐等，上述酸優(yōu)選為馬來酸酐。粘接層15優(yōu)選含有馬來酸酐改性聚烯烴系樹脂，更優(yōu)選含有馬來酸酐改性聚丙烯。通過使粘接層15含有馬來酸酐改性聚烯烴系樹脂，即使電解液浸透，也易于維持密封層16與金屬箔層13的密合力。聚烯烴系樹脂的酸的改性率(例如，來自馬來酸酐的部分的質量相對于馬來酸酐改性聚丙烯的總質量)優(yōu)選為0.1～20質量％，更優(yōu)選為0.3～5質量％。優(yōu)選熱層壓結構的粘接層15還含有苯乙烯系或烯烴系彈性體。由此，易于抑制在冷成型時在粘接層15上產生裂紋而白化，可期待通過潤濕性的改善提高密合力及通過各向異性的降低提高成膜性等。這些彈性體優(yōu)選在聚烯烴系樹脂中以納米級分散，或與聚烯烴系樹脂相容。聚烯烴系樹脂可以單獨構成粘接層15，也可以組合兩種以上構成粘接層15。熱層壓結構的粘接層15可通過利用擠出裝置擠出上述粘接成分進行制造。熱層壓結構的粘接層15的粘接成分的熔體流動速率(MFR)在230℃、負載2.16kgf的條件下優(yōu)選為4～30g/10分鐘。熱層壓結構的粘接層15的厚度優(yōu)選為例如5～40μm。作為干式層壓結構的粘接層15中的粘接成分，例如可舉出與粘接層12中舉出的粘接成分相同的二液固化型聚氨酯系粘接劑。干式層壓結構的粘接層15具有酯基及氨基甲酸酯基等水解性高的鍵合部，因此，在要求更高的可靠性的用途中，粘接層15優(yōu)選為熱層壓結構。[密封層16]密封層16是通過熱封對封裝材料10賦予密封性的層。作為密封層16，可舉出由聚烯烴系樹脂或將聚烯烴系樹脂利用馬來酸酐等酸進行接枝改性而成的酸改性聚烯烴系樹脂構成的樹脂膜。作為酸改性聚烯烴系樹脂，例如可舉出與粘接層15中舉出的樹脂相同的樹脂。密封層16可以是單層膜，也可以是多層膜，只要根據需要的功能選擇即可。例如，從賦予防濕性的觀點來看，可使用具備上述酸改性聚烯烴系樹脂層、乙烯-環(huán)狀烯烴共聚物及聚甲基戊烯等樹脂層的多層膜。另外，密封層16也可以含有阻燃劑、增滑劑、防結塊劑、抗氧化劑、光穩(wěn)定劑及增粘劑等各種添加劑。密封層16的厚度優(yōu)選為例如20～85μm，更優(yōu)選為30～40μm。粘接層15和密封層16的厚度的合計優(yōu)選為例如25～90μm，更優(yōu)選為30～60μm。通過使粘接層15和密封層16的厚度的合計為25μm以上，易于維持蓄電裝置要素或電流取出部的接頭片引線與金屬箔層13的絕緣性。通過使粘接層15和密封層16的厚度的合計為90μm以下，可在不損壞成型性的情況下抑制封裝材料10的厚膜化。(封裝材料10的制造方法)接著，說明封裝材料10的制造方法。但是，封裝材料10的制造方法不限定于以下方法。作為封裝材料10的制造方法，例如可舉出具有下述工序S11～S13的方法。工序S11：在金屬箔層13的一面上形成防腐蝕處理層14的工序。工序S12：在金屬箔層13的另一面上經由粘接層12形成基材層11的工序。工序S13：在防腐蝕處理層14上經由粘接層15形成密封層16的工序。[工序S11]防腐蝕處理層14(例如)通過在金屬箔層13的一面上涂布防腐蝕處理劑并進行干燥，而形成于金屬箔層13的一面上。作為防腐蝕處理劑，例如可舉出上述的二氧化鈰溶膠處理用的防腐蝕處理劑及鉻酸鹽處理用的防腐蝕處理劑等。防腐蝕處理劑的涂布方法沒有特別限定，可采用：凹版涂布法、逆轉涂布法、輥涂法或棒涂法等各種方法。[工序S12]基材層11(例如)通過在金屬箔層13的另一面上，使用形成粘接層12的粘接劑，通過干式層壓等方法貼合，而形成于金屬箔層13的另一面上。為了提高基材層11和金屬箔層13的粘接性，也可以將形成基材層11后的層疊體在室溫～100℃的范圍進行熟化(養(yǎng)護)。熟化時間為例如1～10天。[工序S13]在工序S12后，在基材層11、粘接層12、金屬箔層13及防腐蝕處理層14依次層疊的層疊體的防腐蝕處理層14側，經由粘接層15形成密封層16。密封層16可以通過干式層壓及夾心式層壓等層疊，也可以與粘接層15一起通過共擠出法層疊。從提高粘接性的觀點來看，密封層16優(yōu)選通過例如夾心式層壓層疊，或與粘接層15一起通過共擠出法層疊，更優(yōu)選通過夾心式層壓層疊。通過以上說明的工序S11～S13，可以得到封裝材料10。需要說明的是，封裝材料10的制造方法的工序順序不限定于依次實施上述S11～S13的方法。例如，也可以在進行工序S12后，進行工序S11。(壓花型封裝材料20的制造方法)接著，參照圖2～圖5說明利用封裝材料10制造壓花型封裝材料20的方法。圖2是表示通過本實施方式的制造方法制造的壓花型封裝材料20的圖。圖3是圖2所示的壓花型封裝材料的制造中所使用的成型裝置25的立體圖。圖4的(a)～(c)是用于說明封裝材料的成型加工工序的示意性的縱剖面圖，圖5是圖4的(c)的橫剖面圖。壓花型封裝材料20如圖2所示，在長度方向的一側具有用于收容電池要素的凹部22，在另一側具有平面狀的蓋部24。壓花型封裝材料20在制造后述的蓄電裝置時，以蓋部24覆蓋凹部22的方式折彎。這種壓花型封裝材料20可以使用圖3所示那樣的具備凸模26及凹模27的成型裝置25，通過以下的工序S21～S23，利用封裝材料10進行制造。需要說明的是，在凹模27上形成具有與凸模26的橫截面面積大致相同大小的開口的開口部28。工序S21：準備具備凸模26和具有與凸模26對應的開口部28的凹模27的成型裝置25的工序。工序S22：以蓄電裝置用封裝材料10覆蓋開口部28的方式，將蓄電裝置用封裝材料10配置于凸模26和凹模27之間的工序。工序S23：將凸模26壓入開口部28內，在蓄電裝置用封裝材料10上形成凹部22的工序。[工序S21～S22]如圖3及圖4(a)所示，凸模26配置于凹模27的開口部28的上部。封裝材料10以覆蓋該開口部28的方式配置于凸模26和凹模27之間。凸模26的至少底面及側面的角部優(yōu)選具有圓形。凸模26底面的角部的圓形由將上述圓形看成圓弧時的曲率半徑即凸模圓角半徑Rp表示(參照圖4的(a))，側面的角部的圓形由圓角半徑Rcp表示(參照圖5)。凹模27具有長方體的形狀，該長方體的上面具有與封裝材料10相同或為其以上的大小，開口部28在xy平面上的形狀與凸模26在xy平面上的截面的形狀大致相同。關于凹模27，在將上面以長邊(長度方向)的一半劃分時，優(yōu)選在比一半偏向一方的位置具有開口部28(貫通孔)，更優(yōu)選在將上面以長邊的一半劃分的任一半面內具有開口部28(貫通孔)(參照圖3)。由于凹模27在上述位置具有開口部28，因此可以得到形成有凹部22的壓花型封裝材料20，將壓花型封裝材料20的一方折回，可以制造在上述凹部22中收容蓄電裝置的容器。優(yōu)選開口部28在圖3中的xy平面上的一邊的長度均為100mm以上。由于開口部28為這種大小的形狀，在通過成型加工，封裝材料10流入圖3的xy平面上的各圓角部時，不會受到封裝材料10向鄰接其它圓角部流入的影響，因此，可以得到更良好的成型性。另外，如圖4的(b)所示，封裝材料10利用膜壓板29固定于上述凹模27上。即，封裝材料10由凹模27和膜壓板29夾持。另一方面，在凹模27中，由開口部28形成的角部優(yōu)選具有圓形。開口部28的yz平面的角部的圓形分別由將上述圓形看成圓弧時的曲率半徑即凹模圓角半徑Rd表示(參照圖4的(a)及圖5)。凸模26和凹模27的夾入封裝材料10的部分的角部的曲率半徑即凸模圓角半徑Rp和凹模圓角半徑Rd分別優(yōu)選為1mm以上5mm以下，更優(yōu)選為2mm以上4mm以下。通過使凸模圓角半徑Rp和凹模圓角半徑Rd分別為1mm以上，在成型加工時，封裝材料10可以在沒有卡住的情況下流入模具間隙Q內。另外，通過使凸模圓角半徑Rp和凹模圓角半徑Rd分別為5mm以下，可以抑制封裝材料10向模具間隙Q內流入時的厚膜化引起的皺褶的產生。另外，凸模26的各圓角半徑Rcp優(yōu)選為1mm以上5mm以下，更優(yōu)選為2mm以上4mm以下。通過使圓角半徑Rcp為1mm以上，可分散成型加工時的封裝材料10的流入引起的厚膜化，可以抑制卡在間隙Q內。通過使圓角半徑Rcp為5mm以下，在放入電極部件并進行真空密封時，可以抑制圓角形狀的崩潰。[工序S23]工序S22之后，將凸模26壓入開口部28內(參照圖4的(c))，在封裝材料10上形成凹部22而成為壓花型封裝材料20。該壓入時的壓入(成型)溫度為-10～50℃左右(冷成型)，壓入速度為0.1～30mm/秒左右，壓入保持時間為0～10秒左右。另外，壓入(成型)深度P沒有特別限制，但從封裝材料10的成型性優(yōu)異來看，可以設為8mm以上，也可以為10mm以上。另外，從抑制金屬箔層13的薄膜化引起的針孔產生的觀點來看，壓入(成型)深度P可以為16mm以下。這樣制造的壓花型封裝材料20如上所述，在以長邊(長度方向)的一半劃分時，在比一半偏向一方的位置具有凹部22。本實施方式的封裝材料10具有優(yōu)異的成型性，因此，即使是僅在單面形成較深的凹部22的單側成型加工電池，也可以不產生斷裂等而得到壓花型封裝材料20。凸模26經由間隙Q壓入凹模27的開口部28內(參照圖4的(c))。間隙Q是將凸模26壓入凹模27的開口部28內時的凸模26與凹模27的最短的間隔距離。間隙Q優(yōu)選為封裝材料10的厚度的1倍～1.5倍，更優(yōu)選為1.1倍～1.4倍。通過使模具間隙Q為封裝材料10的厚度的1倍以上，可以抑制封裝材料10卡在模具間隙Q內。另外，通過使模具間隙Q為封裝材料10的厚度的1.5倍以下，可以通過減薄拉深的效果抑制成型加工區(qū)域22側面的皺褶。(蓄電裝置30)接著，說明本實施方式的蓄電裝置30。蓄電裝置30使用上述蓄電裝置用封裝材料10得到。蓄電裝置30具備蓄電裝置要素和收容該蓄電裝置要素的容器，上述容器由上述封裝材料10形成。上述容器優(yōu)選由具有凹部的上述壓花型封裝材料20形成，在上述凹部內配置上述蓄電裝置要素。作為蓄電裝置要素，例如可舉出正極、隔板、負極及電解液等電池要素?？梢哉J為蓄電裝置30的能量容量依賴于上述蓄電裝置要素的收容量即封裝材料10的成型加工量，成型深度越大，越可以增大能量容量。本實施方式的蓄電裝置30中的上述容器由壓花型封裝材料20形成的情況下，優(yōu)選壓花型封裝材料20在以長邊(長度方向)的一半劃分時的一方或雙方都具有凹部，且至少一方的凹部的成型深度為8mm以上。通過使至少一方的凹部的成型深度為8mm以上，具有可以得到充分的能量容量的傾向。壓花型封裝材料20在以長邊的一半劃分時的雙方都具有凹部的情況下，雙方的凹部的成型深度的合計優(yōu)選為16mm以下。通過使雙方的凹部的成型深度的合計為16mm以下，具有可以抑制金屬箔層13薄膜化而產生針孔的傾向。如果產生針孔，則水分從外部浸入，因此，電池性能可能劣化。(蓄電裝置的制造方法)接著，參照圖6說明使用上述的壓花型封裝材料20制造蓄電裝置30的方法。圖6是表示使用壓花型封裝材料20(蓄電裝置用封裝材料10)制造單側成型加工電池的工序的立體圖。需要說明的是，也可以設置兩個壓花型封裝材料20那樣的封裝材料，并調整將這種封裝材料彼此貼合時的對齊，制作兩側成型加工電池。作為單側成型加工電池的蓄電裝置30可以通過以下的工序S31～S33進行制造。工序S31：在壓花型封裝材料20的凹部22配置蓄電裝置要素，且以蓋部24覆蓋凹部22的方式將壓花型封裝材料20折回重疊的工序。工序S32：將壓花型封裝材料20的折回重疊的部分的端部等進行加壓熱熔接，密封壓花型封裝材料20的整周的工序。在此，以二次電池為例說明蓄電裝置的制造方法。二次電池例如通過以下的工序S31a～S33a制造。圖6的(a)～(c)是表示使用了本實施方式的壓花型封裝材料20(蓄電裝置用封裝材料10)的單側成型加工電池的制造工序的立體圖。工序S31a：在壓花型封裝材料20的成型加工區(qū)域(凹部22)配置電池要素1，將壓花型封裝材料20折回重疊，以夾持從電池要素1延伸的引線2的方式，將壓花型封裝材料20的一邊加壓熱熔接的工序(參照圖6的(a)及圖6(b))。工序S32a：將夾持引線2的邊以外的一邊剩余，將其它邊加壓熱熔接，然后，從剩余的一邊注入電解液，在真空狀態(tài)下將剩余的一邊進行加壓熱熔接的工序(參照圖6的(b))。工序S33a：將夾持引線2的邊以外的加壓熱熔接邊端部切割，并向成型加工區(qū)域(凹部22)側折彎的工序(參照圖6的(c))。[工序S31a]在壓花型封裝材料20的成型加工區(qū)域22內配置由正極、隔板、負極及電解液等構成的電池要素1，將從電池要素1延伸且與正極和負極接合的引線2從成型加工區(qū)域22向外引出。然后，將壓花型封裝材料20在長度方向的大致中央折回，使密封層16彼此重疊，并將壓花型封裝材料20的夾持引線2的一邊進行加壓熱熔接。加壓熱熔接可以在溫度、壓力及時間的3個條件下進行控制，并適宜設定。加壓熱熔接的溫度優(yōu)選為密封層16的熔解溫度以上。[工序S32a]接著，將夾持引線2的邊以外的一邊剩余，進行其它邊的加壓熱熔接。然后，從剩余的一邊注入電解液，在真空狀態(tài)下進行剩余的一邊的加壓熱熔接。加壓熱熔接的條件與工序S31a一樣。[工序S33a]將夾持引線2的邊以外的加壓熱熔接邊端部切割，并除去從端部伸出的密封層16。然后，將加壓熱熔接部31向成型加工區(qū)域22側折回，形成折回部32，由此，得到作為蓄電裝置30的二次電池。實施例以下，舉出實施例具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明的范圍不限定這些實施例。[使用材料]下述實施例及比較例中，以下示出為了形成封裝材料10的基材層11、粘接層12、金屬箔層13、防腐蝕處理層14、粘接層15及密封層16而使用的材料。(基材層11)基材A-1：雙軸拉伸尼龍膜(厚度：25μm)基材A-2：雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度：25μm)基材A-3：雙軸拉伸尼龍膜(厚度：20μm)基材A-4：雙軸拉伸尼龍膜(厚度：50μm)基材A-5：雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度：20μm)基材A-6：雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度：50μm)基材A-7：無拉伸尼龍膜(厚度：30μm)基材A-8：無拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度：30μm)基材A-9：雙軸拉伸尼龍膜(厚度：15μm)基材A-10：雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度：16μm)(粘接層12)粘接劑B-1：芳香族聚酯聚氨酯系粘接劑粘接劑B-2：脂肪族聚氨酯系粘接劑(金屬箔層13)金屬箔C-1：鐵含量0.9質量％鋁箔(厚度：40μm)金屬箔C-2：鐵含量0.5質量％鋁箔(厚度：40μm)金屬箔C-3：鐵含量5.0質量％鋁箔(厚度：40μm)金屬箔C-4：鐵含量0.9質量％鋁箔(厚度：30μm)金屬箔C-5：鐵含量0.9質量％鋁箔(厚度：60μm)金屬箔C-6：鐵含量0.4質量％鋁箔(厚度：40μm)金屬箔C-7：鐵含量6.0質量％鋁箔(厚度：40μm)金屬箔C-8：鐵含量0.9質量％鋁箔(厚度：25μm)(防腐蝕處理層14)處理劑D-1：以氧化鈰、磷酸及丙烯酸系樹脂為主體的涂布型二氧化鈰溶膠處理用的處理劑。(粘接層15)粘接樹脂E-1：利用馬來酸酐進行接枝改性的聚丙烯系樹脂(商品名“アドマー”，三井化學株式會社制造)(密封層16)膜F-1：對無拉伸聚丙烯膜(厚度：13μm)的一面進行了電暈處理的膜。膜F-2：對無拉伸聚丙烯膜(厚度：40μm)的一面進行了電暈處理的膜。膜F-3：對無拉伸聚丙烯膜(厚度：60μm)的一面進行了電暈處理的膜。[封裝材料10的制作](實施例1-1)在上述金屬箔C-1的一面上涂布處理劑D-1，并進行干燥，從而在金屬箔層13上形成防腐蝕處理層14。接著，在金屬箔層13的與形成有防腐蝕處理層14的面相反的面上，通過使用了粘接劑B-1的干式層壓法，以層疊后的粘接層12的厚度成為5μm的方式貼合基材A-1，而在金屬箔層13上經由粘接層12層疊基材層11。對得到的層疊體，進行60℃、6天的熟化。接著，在熟化后的層疊體的防腐蝕處理層14側，利用擠出裝置擠出粘接樹脂E-1，以層疊后的厚度成為20μm的方式形成粘接層15，并在防腐蝕處理層14上經由粘接層15貼合膜F-1進行夾心式層壓，由此，形成密封層16。對于形成密封層16后的層疊體，在190℃、4kg/cm2、2m/分鐘的條件下進行加熱加壓，由此，制作封裝材料10。在得到的封裝材料的基材層側表面和密封層側表面上，通過凹版涂布法涂布0.3質量％脂肪酸酰胺系潤滑劑溶液(滑材溶液(1))，并進行干燥?；膶觽缺砻婧兔芊鈱觽缺砻娴撵o摩擦系數分別為0.20及0.20。另外，測定得到的封裝材料10的拉伸伸長率，結果，MD方向上為70％，TD方向上為75％。(實施例1-2～1-16及比較例1-1～1-8)除了將為了形成基材層11、粘接層12、金屬箔層13、防腐蝕處理層14、粘接層15及密封層16而使用的材料及層的厚度如表1所記載那樣變更以外，與實施例1-1同樣地制作實施例1-2～1-16及比較例1-1～1-8的封裝材料10。將得到的封裝材料10的靜摩擦系數、靜摩擦系數μS與動摩擦系數μD的差(μS-μD)、及拉伸伸長率一同在表2中表示。此外，表1中的滑材(2)～(3)的詳細內容如下所述?；娜芤?2)：0.5質量％脂肪酸酰胺系潤滑劑溶液滑材溶液(3)：0.1質量％脂肪酸酰胺系潤滑劑溶液[絕緣性的評價]將實施例1-1～1-16及比較例1-1～1-8中得到的封裝材料10切出120mm×60mm尺寸，以密封層成為內側的方式將長邊對折。接著，將包含折疊的部分的邊的左右兩端部的邊的邊緣分別以190℃/0.5MPa/3秒、5mm寬度進行熱封，制作袋狀的封裝材料。從開口的一邊向袋狀的封裝材料內，注入將作為溶劑的碳酸亞乙酯/碳酸二乙酯/碳酸二甲酯(1/1/1(質量比))和作為電解質的LiPF6混合的混合溶液，利用開口部夾持鎳制且厚度50μm、寬度12mm、長度50mm尺寸的接頭片引線后，在190℃/0.5MPa/3秒、200℃/0.5MPa/3秒的兩個條件下，將封裝材料和接頭片引線一起熱封成10mm寬度，制作電絕緣性評價用樣品。使絕緣電阻試驗機(菊水電子株式會株式會社制造AC/DC耐電壓)電極與電絕緣性評價用樣品的接頭片引線和封裝材料的金屬箔層接觸，施加5秒鐘的電壓25V，并在各熱封條件下測定得到的電絕緣性評價用樣品的電阻值。根據下述基準評價絕緣性。將評價結果在表2中表示。a：熱封溫度190℃及200℃下得到的樣品的電阻值均為25GΩ以上。b：熱封溫度190℃下得到的樣品的電阻值為25GΩ以上，但熱封溫度200℃下得到的樣品的電阻值低于25GΩ。c：熱封溫度190℃及200℃下得到的樣品的電阻值均低于25GΩ。[表1][表2][成型裝置25]以下表示為了制作壓花型封裝材料20而使用的成型裝置25的設定。(成型加工區(qū)域22)成型加工區(qū)域G-1：一邊的長度為100mm的大致正方形成型加工區(qū)域G-2：一邊的長度為80mm的大致正方形(凹模27)凹模H-1：凹模圓角半徑Rd為3mm凹模H-2：凹模圓角半徑Rd為1mm凹模H-3：凹模圓角半徑Rd為0.9mm凹模H-4：凹模圓角半徑Rd為0.5mm凹模H-5：凹模圓角半徑Rd為5mm(凸模26)凸模I-1：凸模圓角半徑Rp為3mm，圓角半徑Rcp為3mm凸模I-2：凸模圓角半徑Rp為3mm，圓角半徑Rcp為0.5mm凸模I-3：凸模圓角半徑Rp為0.5mm，圓角半徑Rcp為3mm凸模I-4：凸模圓角半徑Rp為1mm，圓角半徑Rcp為3mm凸模I-5：凸模圓角半徑Rp為5mm，圓角半徑Rcp為3mm凸模I-6：凸模圓角半徑Rp為3mm，圓角半徑Rcp為1mm凸模I-7：凸模圓角半徑Rp為3mm，圓角半徑Rcp為5mm凸模I-8：凸模圓角半徑Rp為0.9mm，圓角半徑Rcp為3mm凸模I-9：凸模圓角半徑Rp為3mm，圓角半徑Rcp為0.9mm(模具間隙Q)模具間隙J-1：169μm模具間隙J-2：117μm模具間隙J-3：封裝材料的厚度的1倍模具間隙J-4：封裝材料的厚度的1.5倍模具間隙J-5：封裝材料的厚度的0.9倍[壓花型封裝材料20的制作](實施例2-1)將實施例1-1中得到的封裝材料10切取成210mm×300mm的坯料形狀，并以密封層16成為上面的方式配置于設定成成型加工區(qū)域G-1、凹模H-1、凸模I-1及模具間隙J-1的成型裝置25的凹模27和凸模26之間。而且，利用膜壓板23將封裝材料10固定于凹模27上，在23℃、50％RH的條件下，利用凸模26將封裝材料10按壓至規(guī)定的深度并進行冷成型，得到壓花型封裝材料20。(實施例2-2～2-32及比較例2-1～2-8)除了將封裝材料10及成型裝置25的設定如表3及表4所記載那樣變更以外，與實施例2-1同樣地制作實施例2-2～2-32及比較例2-1～2-8的壓花型封裝材料20。[成型性的評價]通過目視根據下述基準評價實施例2-1～2-32及比較例2-1～2-8中將成型深度P每隔0.5mm設定成3～17mm而得到的壓花型封裝材料20的成型性。將評價結果在表3及表4中表示。a：可以在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度為10mm以上17mm以下的深沖壓成型。b：可以在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度為8mm以上且低于10mm的深沖壓成型。c：在成型深度低于8mm的深沖壓成型中產生斷裂或裂紋。[表3]封裝材料成型加工區(qū)域22凹模27凸模26模具間隙Q成型性評價結果實施例2-1實施例1-1G-1H-1I-1J-1a實施例2-2實施例1-2G-1H-1I-1J-1a實施例2-3實施例1-3G-1H-1I-1J-1b實施例2-4實施例1-4G-1H-1I-1J-1a實施例2-5實施例1-5G-1H-1I-1J-1b實施例2-6實施例1-6G-1H-1I-1J-1a實施例2-7實施例1-7G-1H-1I-1J-1b實施例2-8實施例1-8G-1H-1I-1J-1b實施例2-9實施例1-9G-1H-1I-1J-1b實施例2-10實施例1-10G-1H-1I-1J-1a實施例2-11實施例1-11G-1H-1I-1J-1a實施例2-12實施例1-12G-1H-1I-1J-1a實施例2-13實施例1-13G-1H-1I-1J-1a實施例2-14實施例1-14G-1H-1I-1J-1a實施例2-15實施例1-15G-1H-1I-1J-1b實施例2-16實施例1-16G-1H-1I-1J-1b實施例2-17實施例1-1G-2H-1I-1J-1b實施例2-18實施例1-1G-1H-1I-2J-1b實施例2-19實施例1-1G-1H-4I-3J-1b實施例2-20實施例1-1G-1H-2I-1J-1a實施例2-21實施例1-1G-1H-5I-1J-1a實施例2-22實施例1-1G-1H-1I-4J-1a實施例2-23實施例1-1G-1H-1I-5J-1a實施例2-24實施例1-1G-1H-1I-6J-1b實施例2-25實施例1-1G-1H-1I-7J-1a實施例2-26實施例1-1G-1H-1I-1J-2b實施例2-27實施例1-1G-1H-1I-1J-3a實施例2-28實施例1-1G-1H-1I-1J-4a實施例2-29實施例1-1G-1H-3I-1J-1b實施例2-30實施例1-1G-1H-1I-8J-1b實施例2-31實施例1-1G-1H-1I-9J-1b實施例2-32實施例1-1G-1H-1I-1J-5b[表4]如表1～4所示，實施例1-1～1-16中得到的封裝材料10在MD方向及TD方向上的拉伸伸長率為50％以上，使用了這些封裝材料10的實施例2-1～2-32中得到的壓花型封裝材料20呈現優(yōu)異的成型性。特別是使用了實施例1-1、1-2、1-4、1-6、1-10～1-14的封裝材料的實施例2-1、2-2、2-4、2-6、2-10～2-14中，可在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度為10mm以上的深沖壓成型。使用了基材層薄且基材層的強度降低的比較例1-3及1-4中得到的封裝材料的比較例2-3及2-4中，由于對金屬箔層的保護效果降低，與實施例2-1及2-2相比，成型性降低，在成型深度低于8mm的深沖壓成型中產生斷裂或裂紋。在基材層側表面或密封層側表面上涂布另一潤滑劑且靜摩擦系數為0.4的實施例2-15～2-16中，在成型加工時，封裝材料10向成型加工區(qū)域22的流入量減少，與實施例2-1相比，成型性稍微降低，但可以在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度5～低于10mm的深沖壓成型。成型加工區(qū)域的一邊的長度為80mm的實施例2-17中，在成型加工時，封裝材料10流入各圓角部時受到鄰接的圓角的流入影響，因此，與實施例2-1相比，成型性稍微降低，但可以在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度5～低于10mm的深沖壓成型。利用圓角半徑Rcp為0.5mm的模具進行了成型加工的實施例2-18中，無法分散成型加工時的封裝材料10的流入引起的厚膜化，在間隙內發(fā)生卡住，與實施例2-1相比，成型性稍微降低，但可以在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度5～低于10mm的深沖壓成型。利用凹模圓角半徑Rd和凸模圓角半徑Rp為0.5mm的模具進行了成型加工的實施例2-19中，在成型加工時，封裝材料10流入間隙內時發(fā)生卡住，與實施例2-1相比，成型性稍微降低，但可以在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度5～低于10mm的深沖壓成型。利用模具間隙為117μm的模具進行了成型加工的實施例2-26中，由于相對于封裝材料總厚度間隙為90％，因此，在成型加工時，封裝材料10流入間隙內時發(fā)生卡住，與實施例2-1相比，成型性稍微降低，但可以在不產生斷裂或裂紋的情況下進行成型深度5～低于10mm的深沖壓成型。在基材層使用了無拉伸尼龍膜的比較例2-1及2-3中，基材層的強度不足，對金屬箔層的保護效果降低，因此，封裝材料10的拉伸伸長率低于50％，成型性降低，在成型深度低于5mm時產生斷裂或裂紋。另外，在粘接層12使用了脂肪族聚氨酯系粘接劑的比較例2-5中，粘接層12的強度不足，對金屬箔層13的保護效果降低，由此，封裝材料10的拉伸伸長率低于50％，成型性降低，在成型深度低于5mm時產生斷裂或裂紋。另外，在金屬箔層13使用了鐵含量0.4質量％鋁箔的比較例2-6中，鋁箔的延展性較小，成型性降低，在成型深度低于5mm時產生斷裂或裂紋。另外，在金屬箔層13使用了厚度25μm的鋁箔的比較例2-8中，成型加工時的應力引起的對封裝材料10的薄膜化的耐性不足，成型性降低，在成型深度低于5mm時產生斷裂或裂紋。[水分阻隔性的評價]將實施例2-1中將成型深度P設定成8mm、10mm、16mm、16.5mm而得到的壓花型封裝材料20的長邊對折。在此，作為參考樣品，即使在實施例1-1中得到的成型加工前的封裝材料10中，也以密封層成為內側的方式將長邊對折。接著，將包含折疊的部分的邊的作用兩端部的邊的邊緣分別以190℃/0.5MPa/3秒、5mm寬度進行熱封，制作袋狀的封裝材料。從開口的一邊向袋狀的封裝材料內注入3mg含水量抑制在20ppm以下的以(1/1/1(質量比))混合有碳酸亞乙酯/碳酸二乙酯/碳酸二甲酯的混合液。接著，將開口的邊的緣以190℃/0.5MPa/3秒、5mm寬度進行熱封，制作水分透過量測定用樣品。將制作的水分透過量測定用樣品在溫度60℃、濕度90％的環(huán)境下保管4周。將保管后的混合液中的水分含量利用費歇爾試驗機進行測定。算出將未進行成型加工的參考樣品的水分含量設為基準(100％)時的、加工成各成型深度的壓花型封裝材料的水分含量的相對值。水分阻隔性的評價根據以下的基準進行。將水分阻隔性的評價結果在表5中表示。a：水分含量低于參考樣品的水分含量的110％。b：水分含量為參考樣品的水分含量的110％以上、低于150％。c：水分含量為參考樣品的水分含量的150％以上。[表5]成型深度P水分阻隔性8mma10mma16mmb16.5mmc根據表5的結果可確認到，實施例2-1中得到的壓花型封裝材料即使在以成型深度16mm進行成型的情況下，也呈現良好的水分阻隔性。符號說明1…電池要素、2…引線、10…封裝材料(蓄電裝置用封裝材料)、11…基材層、12…粘接層、13…金屬箔層、14…防腐蝕處理層、15…粘接層、16…密封層、20…壓花型封裝材料、22…成型加工區(qū)域(凹部)、24…蓋部、25…成型裝置、26…凸模、27…凹模、28…開口部、30…蓄電裝置、P…成型深度、Q…模具間隙、Rcp…圓角半徑、Rd…凹模圓角半徑、Rp…凸模圓角半徑。當前第1頁1 2 3