本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制造中，隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展趨勢(shì)，集成電路特征尺寸持續(xù)減小。為了適應(yīng)特征尺寸的減小，mosfet場(chǎng)效應(yīng)管的溝道長(zhǎng)度也相應(yīng)不斷縮短。然而，隨著器件溝道長(zhǎng)度的縮短，器件源極與漏極間的距離也隨之縮短，因此柵極對(duì)溝道的控制能力隨之變差，柵極電壓夾斷(pinchoff)溝道的難度也越來(lái)越大，使得亞閾值漏電(subthresholdleakage)現(xiàn)象，即所謂的短溝道效應(yīng)(sce：short-channeleffects)更容易發(fā)生。

因此，為了更好的適應(yīng)特征尺寸的減小，半導(dǎo)體工藝逐漸開(kāi)始從平面mosfet晶體管向具有更高功效的三維立體式的晶體管過(guò)渡，如鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(finfet)。finfet中，柵至少可以從兩側(cè)對(duì)超薄體(鰭部)進(jìn)行控制，具有比平面mosfet器件強(qiáng)得多的柵對(duì)溝道的控制能力，能夠很好的抑制短溝道效應(yīng)；且finfet相對(duì)于其他器件，具有更好的現(xiàn)有的集成電路制作技術(shù)的兼容性。

但是，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。包括如下步驟：形成半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括襯底、凸出于所述襯底的鰭部，所述鰭部的頂部和側(cè)壁表面形成有屏蔽層；采用含氟氣體去除所述屏蔽層；去除所述屏蔽層之后，對(duì)所述鰭部進(jìn)行表面處理以去除所述鰭部表面的含氟副產(chǎn)物；形成橫跨所述鰭部且覆蓋所述鰭部的部分頂部表面和側(cè)壁表面的柵極結(jié)構(gòu)。

可選的，所述屏蔽層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

可選的，去除所述屏蔽層的工藝為siconi刻蝕工藝。

可選的，所述siconi刻蝕工藝的步驟包括：以三氟化氮和氨氣作為反應(yīng)氣體以生成刻蝕氣體；通過(guò)刻蝕氣體刻蝕所述屏蔽層，形成含氟副產(chǎn)物；進(jìn)行退火工藝，將所述含氟副產(chǎn)物升華分解為氣態(tài)產(chǎn)物；通過(guò)抽氣方式去除所述氣態(tài)產(chǎn)物。

可選的，所述siconi刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：三氟化氮的氣體流量為20sccm至200sccm，氨氣的氣體流量為200sccm至500sccm，腔室壓強(qiáng)為2torr至10torr，工藝時(shí)間為20s至100s，所述退火工藝的溫度為100℃至200℃。

可選的，所述鰭部的材料為硅，所述含氟副產(chǎn)物與所述鰭部表面形成硅-氟鍵，對(duì)所述鰭部進(jìn)行表面處理的步驟包括：對(duì)所述鰭部進(jìn)行光照工藝，使所述硅-氟鍵斷開(kāi)；進(jìn)行所述光照工藝之后，對(duì)所述鰭部表面進(jìn)行氧化處理，在所述鰭部表面形成氧化層；去除所述氧化層。

可選的，采用紫外線對(duì)所述鰭部進(jìn)行光照工藝，光照強(qiáng)度為1mw/cm²至200mw/cm²，工藝溫度為350℃至650℃，工藝時(shí)間為20min至200min。

可選的，對(duì)所述鰭部進(jìn)行氧化處理的工藝為濕法氧化工藝或干法氧化工藝。

可選的，通過(guò)臭氧對(duì)所述鰭部進(jìn)行濕法氧化工藝，工藝時(shí)間為60s至150s。

可選的，對(duì)所述鰭部進(jìn)行氧化處理的工藝為干法氧化工藝，反應(yīng)氣體為氧氣，載氣為氮?dú)?，氧氣與氮?dú)獾牧髁恐葹?：60至1：20，工藝時(shí)間為10s至100s，工藝溫度為650℃至950℃，腔室壓強(qiáng)為30torr至200torr。

可選的，所述氧化層的材料為氧化硅。

可選的，去除所述氧化層的工藝為濕法刻蝕工藝。

可選的，所述濕法刻蝕工藝所采用的溶液為氫氟酸。

可選的，所述氫氟酸的體積濃度為100：1至1000：1。

可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)為偽柵結(jié)構(gòu)。

可選的，形成所述偽柵結(jié)構(gòu)的步驟包括：形成橫跨所述鰭部且覆蓋所述鰭部的部分頂部表面和側(cè)壁表面的偽柵氧化層；在所述偽柵氧化層表面形成偽柵電極層。

可選的，所述偽柵氧化層的材料為氧化硅。

可選的，形成所述偽柵氧化層的工藝為原位蒸汽生成氧化工藝。

可選的，所述偽柵電極層的材料為多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或非晶碳。

可選的，形成所述半導(dǎo)體基底的步驟包括：提供初始基底；在所述基底上形成圖形化的硬掩膜層；以所述硬掩模層為掩膜，刻蝕所述初始基底，形成若干分立的凸起，刻蝕后的初始基底作為襯底，位于所述襯底表面的凸起作為鰭部；在所述鰭部的頂部和側(cè)壁表面形成屏蔽層；以所述屏蔽層作為注入緩沖層，對(duì)所述鰭部進(jìn)行閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明在采用含氟氣體去除屏蔽層之后，在所述鰭部表面形成柵極結(jié)構(gòu)之前，先對(duì)所述鰭部進(jìn)行表面處理，去除因所述屏蔽層的去除工藝而殘留于所述鰭部表面的含氟的副產(chǎn)物，避免殘留的氟對(duì)所述鰭部的質(zhì)量造成不良影響，從而提高鰭部?jī)?nèi)硅溝道的界面質(zhì)量，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的載流子遷移率、可靠性等電學(xué)性能。

可選方案中，所述含氟副產(chǎn)物與所述鰭部表面形成硅-氟鍵，對(duì)所述鰭部進(jìn)行表面處理時(shí)，先采用紫外線對(duì)所述鰭部進(jìn)行光照工藝，使硅-氟鍵斷開(kāi)，再對(duì)所述鰭部表面進(jìn)行氧化處理，使硅鍵與氧結(jié)合形成氧化層，最后通過(guò)濕法刻蝕工藝刻蝕去除形成的氧化層，有效地去除所述鰭部表面殘留的氟，從而提高鰭部?jī)?nèi)溝道的界面質(zhì)量，提高半導(dǎo)體器件的載流子遷移率、可靠性等電學(xué)性能。

附圖說(shuō)明

圖1至圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法一實(shí)施例中各步驟對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu) 示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的電性能較差。分析其原因在于：

為了形成具有不同閾值電壓的半導(dǎo)體器件，在形成柵極結(jié)構(gòu)之前，需對(duì)鰭部進(jìn)行閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理。在進(jìn)行閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理之前，先在鰭部的頂部和側(cè)壁表面形成屏蔽層，在閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理過(guò)程中，所述屏蔽層作為注入緩沖層，能夠減小摻雜處理對(duì)鰭部造成的晶格損傷，在完成閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理之后，還需去除所述屏蔽層。

然而，去除所述屏蔽層的工藝中，刻蝕屏蔽層形成的副產(chǎn)物為含氟副產(chǎn)物，副產(chǎn)物經(jīng)退火工藝升華分解為氣態(tài)產(chǎn)物，去除所述氣態(tài)產(chǎn)物之后，還有一部分含氟副產(chǎn)物殘留于鰭部表面，所述含氟副產(chǎn)物與所述鰭部表面形成硅-氟鍵，形成硅-氟鍵后的含氟副產(chǎn)物難以被去除，而殘留的氟容易降低硅溝道的界面質(zhì)量、降低器件的載流子遷移率和可靠性性能。

為了解決所述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括襯底、凸出于所述襯底的鰭部，所述鰭部表面形成有屏蔽層；采用含氟氣體去除所述屏蔽層；去除所述屏蔽層之后，對(duì)所述鰭部進(jìn)行表面處理以去除所述鰭部表面的含氟副產(chǎn)物；形成橫跨所述鰭部且覆蓋所述鰭部的部分頂部表面和側(cè)壁表面的柵極結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明在采用含氟氣體去除所述屏蔽層之后，在所述鰭部表面形成柵極結(jié)構(gòu)之前，先對(duì)所述鰭部進(jìn)行表面處理，去除因所述屏蔽層的去除工藝而殘留于所述鰭部表面的含氟的副產(chǎn)物，避免殘留的氟對(duì)所述鰭部的質(zhì)量造成不良影響，從而提高鰭部?jī)?nèi)硅溝道的界面質(zhì)量，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的載流子遷移率、可靠性等電學(xué)性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

圖1至圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法一實(shí)施例中各步驟對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。

結(jié)合參考圖1至圖3，形成半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括襯底100、凸出于所述襯底100的鰭部110，所述鰭部110的頂部和側(cè)壁表面形成有屏蔽層102(如圖3所示)。以下結(jié)合附圖，對(duì)形成所述半導(dǎo)體基底的步驟做具體說(shuō)明。

如圖1所示，形成半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括襯底100、凸出于所述襯底100的鰭部110。

所述半導(dǎo)體基底為后續(xù)形成器件提供工藝平臺(tái)。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基底用于形成n型器件或p型器件。

所述襯底100的材料為硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦，所述襯底100還能夠?yàn)榻^緣體上的硅襯底或者絕緣體上的鍺襯底；所述鰭部110的材料包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦。本實(shí)施例中，所述襯底100為硅襯底，所述鰭部110的材料為硅。

具體地，形成所述半導(dǎo)體基底的步驟包括：提供初始基底，在所述基底上形成圖形化的硬掩膜層200，所述硬掩膜層200的形貌、尺寸及位置與后續(xù)形成的鰭部的形貌、尺寸及位置相同；以所述硬掩模層200為掩膜，刻蝕所述初始基底，形成若干分立的凸起，刻蝕后的初始基底作為襯底100，位于所述襯底100表面的凸起作為鰭部110。

本實(shí)施例中，所述鰭部110的頂部尺寸小于底部尺寸。在其他實(shí)施例中，所述鰭部的側(cè)壁還能夠與襯底表面相垂直，即所述鰭部的頂部尺寸等于底部尺寸。

本實(shí)施例中，所述硬掩膜層200的材料為氮化硅，后續(xù)在進(jìn)行平坦化工藝時(shí)，所述硬掩膜層200表面能夠作為平坦化工藝的停止位置，且所述硬掩膜層200還能夠起到保護(hù)所述鰭部110頂部的作用。

在其他實(shí)施例中，在初始基底上形成硬掩膜層之前，還包括：在所述初始基底上形成氧化層，所述氧化層作為所述硬掩膜層的緩沖層，從而增加所述硬掩膜層在所述鰭部頂部的粘附性。

需要說(shuō)明的是，在形成所述鰭部110之后，還包括：在所述鰭部110表面形成線性氧化層(圖未示)，用于修復(fù)所述鰭部110。

在刻蝕所述初始基底形成所述鰭部110的過(guò)程中，刻蝕工藝容易在所述鰭部110表面形成凸出的棱角或使表面具有缺陷，這容易影響鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的器件性能。

因此，本實(shí)施例對(duì)所述鰭部110進(jìn)行氧化處理以在所述鰭部110表面形成線性氧化層。在氧化處理過(guò)程中，由于所述鰭部110凸出的棱角部分的比表面更大，更容易被氧化，后續(xù)去除所述線性氧化層之后，不僅所述鰭部110表面的缺陷層被去除，且凸出棱角部分也被去除，使所述鰭部110的表面光滑，晶格質(zhì)量得到改善，避免所述鰭部110頂角尖端放電問(wèn)題，有利于改善鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的性能。

所述氧化處理可以采用氧等離子體氧化工藝、或者硫酸和過(guò)氧化氫的混合溶液氧化工藝。所述氧化處理還會(huì)對(duì)所述襯底100表面進(jìn)行氧化，因此，所述線性氧化層還位于所述襯底100表面。本實(shí)施例中，采用issg(原位蒸汽生成，in-situstreamgeneration)氧化工藝對(duì)所述鰭部110進(jìn)行氧化處理，形成所述線性氧化層。

本實(shí)施例中，所述鰭部110的材料為硅。相應(yīng)的，所述線性氧化層的材料為氧化硅。

如圖2所示，在所述鰭部110之間的襯底100表面形成隔離層101。

所述隔離層101作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的隔離結(jié)構(gòu)，用于對(duì)相鄰器件之間起到隔離作用，所述隔離層101的材料可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。本實(shí)施例中，所述隔離層101的材料為氧化硅。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述隔離層101是淺溝槽隔離層，但不限于淺溝槽隔離層。

具體地，形成所述隔離層101的步驟包括：在所述鰭部110表面形成隔離膜，所述隔離膜還覆蓋所述硬掩膜層200(如圖1所示)表面，所述隔離膜的頂部高于所述硬掩膜層200頂部；平坦化所述隔離膜直至露出所述硬掩膜層200表面；回刻蝕去除部分厚度的所述隔離膜以形成所述隔離層101；去除所述硬掩膜層200。

所述隔離膜的材料與所述鰭部110以及襯底100的材料不同，且所述隔 離膜的材料為易于被去除的材料，使得后續(xù)回刻蝕去除部分厚度的所述隔離膜的工藝不會(huì)對(duì)所述鰭部110造成損傷。所述隔離膜的材料可以為非晶碳、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或碳氮氧化硅，形成所述隔離膜的工藝可以為化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積工藝。

本實(shí)施例中，所述隔離膜的材料為氧化硅，形成所述隔離膜的工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。

本實(shí)施例中，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化所述隔離膜直至露出所述掩膜層200表面；采用干法刻蝕工藝、濕法刻蝕工藝，或干法刻蝕工藝和濕法刻蝕工藝相結(jié)合的工藝，回刻蝕去除部分厚度的所述隔離膜以形成所述隔離層101。

需要說(shuō)明的是，所述隔離層101的厚度與所述鰭部110的高度之比大于等于1/4且小于等于1/2。本實(shí)施例中，所述隔離層101的厚度與所述鰭部110的高度之比為1/2。

如圖3所示，在所述鰭部110頂部和側(cè)壁表面、以及隔離層101表面形成屏蔽層102。

在后續(xù)的摻雜處理過(guò)程中，所述屏蔽層102作為注入緩沖層，能夠減小摻雜處理對(duì)所述鰭部110造成的晶格損傷。

所述屏蔽層102的材料可以為氧化硅或氮氧化硅。本實(shí)施例中，所述屏蔽層102的材料為氧化硅。

需要說(shuō)明的是，所述屏蔽層102形成于所述鰭部110的頂部和側(cè)壁表面，所述屏蔽層102還形成于所述隔離層101表面。形成所述屏蔽層102之后，還包括：對(duì)所述鰭部110進(jìn)行閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理。

本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基底用于形成n型器件或p型器件。所述鰭部110的數(shù)量為多個(gè)，相應(yīng)的，所述鰭部110包括用于形成n型器件的n型鰭部，以及用于形成p型器件的p型鰭部；分別對(duì)所述n型鰭部和p型鰭部進(jìn)行n型調(diào)整閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理和p型調(diào)整閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理。

參考圖4，采用含氟氣體去除所述屏蔽層102(如圖3所示)。

所述屏蔽層102作為注入緩沖層，用于減小摻雜處理對(duì)所述鰭部110造成的晶格損傷，完成所述摻雜處理之后，去除所述屏蔽層102。

去除所述屏蔽層102的工藝可以為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。本實(shí)施例中，采用干法刻蝕工藝去除所述屏蔽層102，所述干法刻蝕工藝為siconi刻蝕工藝。

siconi刻蝕工藝對(duì)所述屏蔽層102的去除速率大于對(duì)所述隔離層101的去除速率，因此，在去除所述屏蔽層102的同時(shí)可以減小對(duì)所述隔離層101的損耗；且siconi刻蝕工藝有利于改善刻蝕工藝對(duì)圖形密集區(qū)和圖形稀疏區(qū)的負(fù)載效應(yīng)，從而提高鰭部110高度的均一性。

具體地，所述siconi刻蝕工藝的步驟包括：以三氟化氮和氨氣作為反應(yīng)氣體以生成刻蝕氣體；通過(guò)刻蝕氣體刻蝕所述屏蔽層102，形成含氟副產(chǎn)物；進(jìn)行退火工藝，將所述含氟副產(chǎn)物升華分解為氣態(tài)產(chǎn)物；通過(guò)抽氣方式去除所述氣態(tài)產(chǎn)物。

本實(shí)施例中，所述siconi刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：三氟化氮的氣體流量為20sccm至200sccm，氨氣的氣體流量為200sccm至500sccm，腔室壓強(qiáng)為2torr至10torr，工藝時(shí)間為20s至100s。

需要說(shuō)明的是，所述退火工藝的溫度不宜過(guò)高，也不宜過(guò)低。當(dāng)所述退火工藝的溫度過(guò)低時(shí)，難以將所述含氟副產(chǎn)物升華分解為氣態(tài)產(chǎn)物，從而容易造成所述含氟副產(chǎn)物過(guò)多地殘留于所述鰭部110表面，而殘留的氟容易降低硅溝道的界面質(zhì)量、降低器件的載流子遷移率和可靠性性能，進(jìn)而容易降低半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能；當(dāng)所述退火工藝的溫度過(guò)高時(shí)，容易對(duì)閾值電壓調(diào)節(jié)摻雜處理工藝中注入的離子分布造成不良影響，從而容易對(duì)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能造成影響。為此，本實(shí)施例中，將所述退火工藝的溫度設(shè)定為100℃至200℃。

參考圖5，去除所述屏蔽層102(如圖3所示)之后，對(duì)所述鰭部110進(jìn)行表面處理以去除所述鰭部110表面的含氟副產(chǎn)物。

需要說(shuō)明的是，所述鰭部110的材料為硅，所述含氟副產(chǎn)物容易與所述鰭部110表面形成硅-氟鍵。

為此，對(duì)所述鰭部110進(jìn)行表面處理的步驟包括：對(duì)所述鰭部110進(jìn)行光照工藝300，使所述硅-氟鍵斷開(kāi)；進(jìn)行所述光照工藝300之后，對(duì)所述鰭部110表面進(jìn)行氧化處理，在所述鰭部表面形成氧化層；去除所述氧化層。

本實(shí)施例中，采用紫外線對(duì)所述鰭部110進(jìn)行光照工藝300。需要說(shuō)明的是，采用紫外線對(duì)所述鰭部進(jìn)行光照工藝300的參數(shù)設(shè)定需控制在合理范圍內(nèi)，否則難以使所述鰭部110表面的硅-氟鍵斷開(kāi)，從而不利于后續(xù)的含氟副產(chǎn)物的去除工藝。具體地，本實(shí)施例中，光照強(qiáng)度為1mw/cm²至200mw/cm²，工藝溫度為350℃至650℃，工藝時(shí)間為20min至200min。

本實(shí)施例中，對(duì)所述鰭部110進(jìn)行氧化處理的工藝可以為濕法氧化工藝或干法氧化工藝。其中，可以通過(guò)臭氧對(duì)所述鰭部110進(jìn)行濕法氧化工藝，所述濕法氧化工藝的工藝時(shí)間為60s至150s；或者，對(duì)所述鰭部110進(jìn)行氧化處理的工藝為干法氧化工藝，具體地，所述干法氧化工藝的工藝參數(shù)包括：反應(yīng)氣體為氧氣，載氣為氮?dú)猓鯕馀c氮?dú)獾牧髁恐葹?：60至1：20，工藝時(shí)間為10s至100s，工藝溫度為650℃至950℃，腔室壓強(qiáng)為30torr至200torr。

本實(shí)施例中，所述氧化層的材料為氧化硅。去除所述氧化層的工藝為濕法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝所采用的溶液為氫氟酸。其中，所述氫氟酸的體積濃度為100：1至1000：1。

參考圖6，形成橫跨所述鰭部110且覆蓋所述鰭部110的部分頂部表面和側(cè)壁表面的柵極結(jié)構(gòu)103。

所述柵極結(jié)構(gòu)103可以為實(shí)際的柵極結(jié)構(gòu)，還可以為偽柵結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)103為偽柵結(jié)構(gòu)。所述柵極結(jié)構(gòu)103用于為后續(xù)形成的實(shí)際柵極結(jié)構(gòu)占據(jù)空間位置。

具體地，形成所述柵極結(jié)構(gòu)103的步驟包括：形成覆蓋所述鰭部110的偽柵氧化膜；在所述偽柵氧化膜表面形成偽柵電極膜；對(duì)所述偽柵電極膜進(jìn)行平坦化處理；圖形化所述偽柵氧化膜和偽柵電極膜，形成橫跨所述鰭部110且覆蓋所述鰭部110的部分頂部表面和側(cè)壁表面的偽柵氧化層，在所述偽柵氧化層表面形成偽柵電極層；所述偽柵氧化層和所述偽柵電極層構(gòu)成所述柵 極結(jié)構(gòu)103。

所述偽柵氧化層的材料為氧化硅。所述偽柵電極層的材料可以為多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或非晶碳。本實(shí)施例中，所述偽柵電極層的材料為多晶硅。

形成所述偽柵氧化層的工藝為原位蒸汽生成氧化工藝，所述原位蒸汽生成氧化工藝的工藝參數(shù)包括：提供o2和h2，o2流量為10sccm至40sccm，h2流量為0.2sccm至2sccm，腔室溫度為900℃至1100℃，腔室壓強(qiáng)為4torr至10torr，工藝時(shí)間為5s至30s。

本發(fā)明在去除所述屏蔽層之后，在所述鰭部表面形成柵極結(jié)構(gòu)之前，先對(duì)所述鰭部進(jìn)行表面處理，去除因所述屏蔽層的去除工藝而殘留于所述鰭部表面的含氟的副產(chǎn)物，避免殘留的氟對(duì)所述鰭部的質(zhì)量造成不良影響，從而提高鰭部?jī)?nèi)硅溝道的界面質(zhì)量，提高半導(dǎo)體器件的載流子遷移率、可靠性等電學(xué)性能。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。