技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種腔室純凈度的監(jiān)測(cè)方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：步驟S101：提供半導(dǎo)體襯底；步驟S102：對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行烘焙工藝；步驟S103：在所述半導(dǎo)體襯底上形成外延薄膜；步驟S104：重復(fù)執(zhí)行所述步驟S102和步驟S103以在所述半導(dǎo)體襯底上形成兩層以上的外延薄膜；步驟S105：對(duì)所述形成有兩層以上的外延薄膜的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行雜質(zhì)元素分析。該方法盡可能地捕捉任何可能將雜質(zhì)源引入到工藝腔室的硬件或材料偏移，從而便于后續(xù)排除該雜質(zhì)來源，提高外延工藝的成功率和外延薄膜的質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：何永根
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號(hào)碼：201510960495
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.18
技術(shù)公布日：2017.06.27