本發(fā)明屬于覆銅陶瓷基板的切割設(shè)計領(lǐng)域,特別涉及一種便于激光切割的覆銅陶瓷基板。
背景技術(shù):
覆銅陶瓷基板(DBC基板)是使用DBC(Direct Bond Copper)技術(shù)將銅箔直接燒結(jié)在陶瓷表面而制成的一種電子基礎(chǔ)材料。覆銅陶瓷基板具有極好的熱循環(huán)性、形狀穩(wěn)定、剛性好、導(dǎo)熱率高、可靠性高,覆銅面可以刻蝕出各種圖形的特點,并且它是一種無污染、無公害的綠色產(chǎn)品,使用溫度相當(dāng)廣泛,可以從-55℃~850℃,熱膨脹系數(shù)接近于硅,其應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛:可用于半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器,大功率電力半導(dǎo)體模塊,功率控制電路、功率混合電路、智能功率組件,高頻開關(guān)電源、固態(tài)繼電器,汽車電子、航天航空及軍用電子組件,太陽能電池板組件,電訊專用交換機、接收系統(tǒng),激光等多項工業(yè)電子領(lǐng)域。
覆銅陶瓷基板在制備過程中,通常會將蝕刻好圖形的產(chǎn)品用CO2激光機進行切割,從而分割成單枚產(chǎn)品。DBC基板的銅層通常較厚(0.1mm以上),圖形之間縫隙較大,容易漏氣,不能將基板吸平,切割時難以保證DBC基板切割深度的均一性。為減少圖形間隙漏氣,現(xiàn)在常用方法是在非切割面排列好圖形的周圍加四條工藝邊。由于切割后需要將工藝邊掰開,工藝邊之間是斷開的,形成一個有4個縫隙的半封閉區(qū)域。這4個縫隙還會漏氣,導(dǎo)致吸氣壓力仍然不足,造成切割不良,見圖1。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種便于激光切割的覆 銅陶瓷基板。本發(fā)明的覆銅陶瓷基板結(jié)構(gòu),可以提高吸氣壓力,實現(xiàn)切割時DBC基板表面高度均勻,切割深度可控,提高產(chǎn)品良率;工藝邊的連接處采用細銅線設(shè)計,可有效解決工藝邊連接后掰邊困難的問題。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供了一種便于激光切割的覆銅陶瓷基板,包括:覆銅陶瓷基板本體、工藝邊和銅條;所述覆銅陶瓷基板本體為長方形結(jié)構(gòu);所述工藝邊設(shè)于所述覆銅陶瓷基板本體的邊沿一周,由上、下、左、右共計四條直邊組成;互相垂直的兩條工藝邊之間由銅條連接構(gòu)成連接單元,所述銅條的寬度小于所述工藝邊的寬度。
所述工藝邊的寬度大于3mm小于15mm。
所述銅條的寬度0.3mm-1mm。
所述連接單元內(nèi)的銅條自其中一條工藝邊所在直線延伸至另一工藝邊,從而將互相垂直的兩條工藝邊相連。
所述連接單元內(nèi)銅條的數(shù)量為兩條,兩條銅條自其中一條工藝邊的邊沿兩側(cè)分別沿該工藝邊所在直線延伸至另一工藝邊,從而將互相垂直的兩條工藝邊相連。
所述工藝邊的材質(zhì)為銅。
本發(fā)明的有益效果是:
(1)本發(fā)明在原有工藝邊的基礎(chǔ)上,通過在工藝邊接縫處添加銅條連接,取代原來蝕刻的縫隙,并與工藝邊構(gòu)成一體,可有效防止工藝邊蝕刻縫隙處漏氣;
(2)采用細銅線設(shè)計,可有效解決連為一體后掰邊困難的問題。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的覆銅陶瓷基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明的覆銅陶瓷基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為圖2中A處所示的連接單元的局部放大圖。
其中:
1-覆銅陶瓷基板本體 2-工藝邊 3-銅條
4-銅粒
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例,對本發(fā)明做進一步說明。
實施例1:
如圖2-3所示的一種便于激光切割的覆銅陶瓷基板,包括:覆銅陶瓷基板本體1、工藝邊2和銅條3。
覆銅陶瓷基板本體1為長方形結(jié)構(gòu)。
工藝邊2設(shè)于覆銅陶瓷基板本體1的邊沿一周,由上、下、左、右共計四條直邊組成;互相垂直的兩條工藝邊2之間由銅條3連接構(gòu)成連接單元,銅條3的寬度小于工藝邊2的寬度。工藝邊的寬度為5mm。
連接單元內(nèi)銅條的數(shù)量為兩條(每條銅條的寬度為0.5mm),兩條銅條自其中一條工藝邊的邊沿兩側(cè)分別沿該工藝邊所在直線延伸至另一工藝邊,從而將互相垂直的兩條工藝邊相連。
工藝邊的材質(zhì)為為銅箔。
以下為本發(fā)明的便于激光切割的覆銅陶瓷基板的制作方法:
在陶瓷上燒結(jié)一片大銅箔,設(shè)計帶工藝邊和銅條的圖形菲林,貼膜顯影曝光,濕法蝕刻得到本發(fā)明的便于激光切割的覆銅陶瓷基板。
以上已對本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實施例進行了具體說明,但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述的實施例,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可以作出種種的等同的變型或替換,這些等同變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。