1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
提供一具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的散熱系數(shù)；
在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成非晶硅層，并對所述非晶硅層進行準分子激光退火工藝以形成多晶硅薄膜，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同；
在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成柵絕緣層、柵電極、層間絕緣層、源電極和漏電極，以在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域分別形成低溫多晶硅薄膜晶體管，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上的低溫多晶硅薄膜晶體管的亞閾值擺幅不同。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，進行準分子激光退火工藝時，所述第一區(qū)域上的多晶硅薄膜處于接近完全熔融狀態(tài)時，所述第二區(qū)域上的多晶硅薄膜處于部分熔融狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，通過在所述第二區(qū)域上形成導熱層使所述第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的散熱系數(shù)；所述導熱層中形成有若干孔洞。
4.如權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，僅在所述第二區(qū)域?qū)蜏囟嗑Ч璞∧ぞw管的溝道區(qū)的位置形成導熱層，或者，在所述第二區(qū)域的所有位置均形成導熱層。
5.如權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述第二區(qū)域上形成導熱層的步驟包括：
在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成導熱層薄膜；
去除所述第二區(qū)域上的導熱層薄膜，保留所述第二區(qū)域上全部位置或者對應低溫多晶硅薄膜晶體管的溝道區(qū)的位置的導熱層薄膜，構(gòu)成導熱層。
6.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域形成不同散熱系數(shù)的材料層以使所述第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的散熱系數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在 于，使所述第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的散熱系數(shù)之后，在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成非晶硅層之前，還包括：在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成緩沖層。
8.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，利用如權(quán)利要求1至8中任意一項所述的方法制作而成。
9.如權(quán)利要求8所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述第一區(qū)域上的低溫多晶硅薄膜晶體管的亞閾值擺幅小于所述第二區(qū)域上的低溫多晶硅薄膜晶體管的亞閾值擺幅，所述第一區(qū)域上的低溫多晶硅薄膜晶體管作為AMOLED顯示面板中的開關(guān)薄膜晶體管，所述第二區(qū)域上的低溫多晶硅薄膜晶體管作為AMOLED顯示面板中的驅(qū)動薄膜晶體管。
10.一種AMOLED顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求9或10所述的低溫多晶硅薄膜晶體管。