技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，其中方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底表面具有襯底氧化層；在襯底氧化層上形成第一背柵；在第一背柵上形成隔離層和覆蓋所述隔離層表面的硅區(qū)，硅區(qū)的頂部表面被掩膜層和位于掩膜層兩側(cè)側(cè)壁的側(cè)墻覆蓋；在硅區(qū)兩側(cè)的外側(cè)壁形成背柵柵氧層；在所述硅區(qū)兩側(cè)的第一背柵上形成覆蓋所述背柵柵氧層側(cè)壁的第二背柵；在所述第二背柵表面形成柵間隔離層后，去除所述掩膜層和所述掩膜層下方的硅區(qū)，暴露出所述硅區(qū)的內(nèi)側(cè)壁；形成覆蓋所述硅區(qū)內(nèi)側(cè)壁的主柵柵氧層后，形成橫跨所述主柵柵氧層、側(cè)墻和硅區(qū)的主柵。第一背柵和第二背柵構(gòu)成半導(dǎo)體器件的背柵，通過調(diào)節(jié)施加在背柵上的電壓，更好的控制半導(dǎo)體器件的閾值電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧浩;陳志剛;黃濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號(hào)碼：201510883147
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.03
技術(shù)公布日：2017.06.13