技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層和硬掩膜層，并通過刻蝕所述掩膜層和多晶硅層形成用于形成PMOS器件和NMOS器件的虛擬柵極；

在所述用于形成PMOS器件的虛擬柵極兩側(cè)形成虛擬柵極側(cè)墻，并以所述虛擬柵極側(cè)墻為掩膜形成PMOS器件的源漏極；

去除所述虛擬柵極側(cè)墻；

在所述虛擬柵極兩側(cè)形成柵極側(cè)墻，并以所述柵極側(cè)墻為掩膜形成NMOS器件的源漏極；

執(zhí)行SPT工藝，去除所述柵極側(cè)墻；

去除所述硬掩膜層，

其中，所述硬掩膜相對所述柵極側(cè)墻和多晶硅具有高選擇性。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：

在形成所述虛擬柵極側(cè)墻之前，在所述虛擬柵極兩側(cè)形成偏置間隔物。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：在形成所述虛擬柵極側(cè)墻之前，以所述偏置間隔物為掩膜對所述半導(dǎo)體襯底上用于形成PMOS器件的區(qū)域執(zhí)行LDD注入。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：在去除所述虛擬柵極側(cè)墻之后，以所述偏置間隔物為掩膜對所述半導(dǎo)體襯底上用于形成NMOS器件的區(qū)域執(zhí)行LDD注入。

5.如權(quán)利要求1-4之一所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述柵極側(cè)墻包括第一柵極側(cè)墻和第二柵極側(cè)墻。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，執(zhí)行SPT工藝，去除所述柵極側(cè)墻時，以所述第一柵極側(cè)墻為蝕刻停止層去除所述第二柵極側(cè)墻。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 所述硬掩膜層采用易于被化學(xué)試劑去除的材料。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層為La2O3、CeO2、Pr6O11、Nd2O3或Eu2O3。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，使用鹽酸去除所述硬掩膜層。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層厚度為