1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：
柵極堆疊件，位于半導(dǎo)體襯底上方；
覆蓋元件，位于所述柵極堆疊件上方，其中，所述覆蓋元件具有上部和下部，并且所述上部比所述下部更寬；以及
間隔元件，位于所述覆蓋元件的側(cè)壁和所述柵極堆疊件的側(cè)壁上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極堆疊件包括功函層和由所述功函層圍繞的柵電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述覆蓋元件與所述功函層或者所述柵電極直接接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述柵電極從所述功函層的頂面突出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述柵電極透入至所述覆蓋元件內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述覆蓋元件沿著從所述覆蓋元件的頂部朝向所述柵極堆疊件的方向逐漸變窄。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述間隔元件沿著從所述覆蓋元件的底部朝向所述間隔元件的頂部的方向逐漸變窄。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述覆蓋元件與所述間隔元件直接接觸。
9.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：
柵極堆疊件，位于半導(dǎo)體襯底上方；
覆蓋元件，位于所述柵極堆疊件上方，其中，所述覆蓋元件具有靠近所述柵極堆疊件的第一寬度和靠近所述覆蓋元件的上部的第二寬度，并且所述第二寬度大于所述第一寬度；以及
間隔元件，位于所述覆蓋元件的側(cè)壁和所述柵極堆疊件的側(cè)壁上方。
10.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：
在半導(dǎo)體襯底上方形成柵電極；
在所述柵電極的側(cè)壁上方形成間隔元件；
部分地去除所述柵電極和所述間隔元件以在所述間隔元件之間形成凹槽，其中，所述凹槽沿著從所述凹槽的底部朝向所述凹槽的頂部的方向變寬；
去除所述柵電極的剩余部分，從而使得所述凹槽變得更深；
在去除所述柵電極的剩余部分之后，在所述凹槽中形成金屬柵極堆疊件；以及
在所述金屬柵極堆疊件之上并且在所述間隔元件之間形成覆蓋元件。