技術(shù)總結(jié)
一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供形成有研磨停止層的半導(dǎo)體襯底；在研磨停止層表面形成研磨緩沖層；通過刻蝕工藝，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成淺溝槽；向淺溝槽內(nèi)填充絕緣材料；通過平坦化工藝使絕緣材料的厚度達(dá)到目標(biāo)厚度值并去除研磨緩沖層；去除研磨停止層，形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。由于研磨緩沖層的研磨速率大于絕緣材料的研磨速率，去除研磨緩沖層后，絕緣材料頂部形貌為駝峰形，而絕緣材料的研磨速率大于研磨停止層的研磨速率，繼續(xù)對(duì)絕緣材料進(jìn)行研磨時(shí)，絕緣材料的形貌向凹陷發(fā)展，與絕緣材料的駝峰形相互補(bǔ)償，因此形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)后，淺溝槽內(nèi)的絕緣材料形貌凹陷的現(xiàn)象可以得到改善，從而提高了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的平坦度。

技術(shù)研發(fā)人員：黃鵬;李俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號(hào)碼：201510750360
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.06
技術(shù)公布日：2017.05.17