技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種離子注入方法，用于向半導體襯底注入摻雜離子，該方法為在向所述半導體襯底注入摻雜離子時，控制離子束入射方向在一定角度范圍內(nèi)變化。本發(fā)明提出的離子注入方法，通過控制離子注入方向在一定角度范圍內(nèi)變化，使得離子從不同角度注入到半導體襯底中，從而克服由于陰影效應導致無法形成均勻的離子注入/共形摻雜的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：謝欣云
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號碼：201510574381
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.10
技術(shù)公布日：2017.03.22