1.一種離子注入方法，用于向半導(dǎo)體襯底注入摻雜離子，其特征在于，在向所述半導(dǎo)體襯底注入摻雜離子時(shí)，控制離子束入射方向在一定角度范圍內(nèi)變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向在一定角度范圍內(nèi)振動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向的振動(dòng)頻率為100MHZ～200MHZ。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向的振動(dòng)角度為0～5度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4之一所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向沿平行于所述半導(dǎo)體襯底表面的方向振動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-4之一所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向沿與所述半導(dǎo)體襯底表面呈一定角度的方向振動(dòng)。