1.一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有第一鰭部和第二鰭部，第一鰭部包括第二子鰭部和位于第二子鰭部頂部的第一子鰭部，第二鰭部包括第四子鰭部和位于第四子鰭部頂部的第三子鰭部；
在所述第二子鰭部側(cè)壁形成第一側(cè)墻；
在所述第三子鰭部側(cè)壁形成第二側(cè)墻；
在所述第一鰭部和所述第二鰭部側(cè)壁形成鍺化硅層，所述鍺化硅層覆蓋所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻；
對所述鍺化硅層進(jìn)行氧化處理，使所述鍺化硅層中的鍺原子進(jìn)入第一子鰭部和第四子鰭部；
氧化處理后依次去除鍺化硅層、第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述鍺化硅層的方法為原子層沉積工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述鍺化硅層的厚度為100?！?00埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述氧化處理的工藝參數(shù)為：采用的氣體為O2，溫度為800攝氏度～1200攝氏度，處理時間為60min～300min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻的工藝為：
在所述第一鰭部側(cè)壁和所述第二鰭部側(cè)壁形成第一側(cè)墻材料層；
在半導(dǎo)體襯底表面形成覆蓋部分第一側(cè)墻材料層側(cè)壁的犧牲層，所述犧牲層表面與第二子鰭部、第四子鰭部的頂部表面齊平；
去除第一子鰭部和第三子鰭部側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層；
去除第一子鰭部和第三子鰭部側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層后，在第一子鰭部和第三子鰭部側(cè)壁形成第二側(cè)墻材料層；
去除第一子鰭部側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層；
去除第一子鰭部側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層后，去除所述犧牲層；
去除所述犧牲層后，去除第四子鰭部側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層，形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻的材料為SiN，SiCN，BN或AlN；所述第一側(cè)墻的厚度為100?！?00埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻的材料為SiN，SiCN，BN或AlN；所述第二側(cè)墻的厚度為100?！?00埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為SiO2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一鰭部和第二鰭部的材料為鍺化硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項形成的鰭式場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底；
第二子鰭部，位于所述半導(dǎo)體襯底表面；
第一子鰭部，位于所述第二子鰭部頂部，所述第一子鰭部中鍺的濃度大于所述第二子鰭部中鍺的濃度；
第四子鰭部，位于所述半導(dǎo)體襯底表面；
第三子鰭部，位于所述第四子鰭部頂部，所述第三子鰭部中鍺的濃度小于所述第四子鰭部中鍺的濃度。