本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其形成方法。

背景技術(shù)：

MOS晶體管是現(xiàn)代集成電路中最重要的元件之一。MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源區(qū)和位于柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的漏區(qū)。MOS晶體管的工作原理是：通過在柵極施加電壓，調(diào)節(jié)通過柵極結(jié)構(gòu)底部溝道的電流來產(chǎn)生開關(guān)信號(hào)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的平面式的MOS晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成?yán)重的漏電流。而鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin FET)是一種新興的多柵器件，一般包括凸出于半導(dǎo)體襯底表面的鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部表面和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的鰭部內(nèi)的源區(qū)和位于柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)的鰭部內(nèi)的漏區(qū)。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其形成方法，解決鰭式場效應(yīng)晶體管中載流子遷移率較低的問題，以提高鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有第一鰭部和第二鰭部，第一鰭部包括第二子鰭部和位于第二子鰭部頂部的第一子鰭部，第二鰭部包括第四子鰭部和位于第四子鰭部頂部的第三子鰭部；在所述第二子鰭部側(cè)壁形成第一側(cè)墻；在所述第三子鰭部側(cè)壁形成第二側(cè)墻；在所述第一鰭部和所述第二鰭部側(cè)壁形成鍺化硅層，所述鍺化硅層覆蓋所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻；對(duì)所述 鍺化硅層進(jìn)行氧化處理，使所述鍺化硅層中的鍺原子進(jìn)入第一子鰭部和第四子鰭部；氧化處理后依次去除鍺化硅層、第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。

可選的，形成所述鍺化硅層的方法為原子層沉積工藝。

可選的，所述鍺化硅層的厚度為100埃～500埃。

可選的，所述氧化處理的工藝參數(shù)為：采用的氣體為O₂，溫度為800攝氏度～1200攝氏度，處理時(shí)間為60min～300min。

可選的，形成所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻的工藝為：在所述第一鰭部側(cè)壁和所述第二鰭部側(cè)壁形成第一側(cè)墻材料層；在半導(dǎo)體襯底表面形成覆蓋部分第一側(cè)墻材料層側(cè)壁的犧牲層，所述犧牲層表面與第二子鰭部、第四子鰭部的頂部表面齊平；去除第一子鰭部和第三子鰭部側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層；去除第一子鰭部和第三子鰭部側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層后，在第一子鰭部和第三子鰭部側(cè)壁形成第二側(cè)墻材料層；去除第一子鰭部側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層；去除第一子鰭部側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層后，去除所述犧牲層；去除所述犧牲層后，去除第四子鰭部側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層，形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。

可選的，所述第一側(cè)墻的材料為SiN，SiCN，BN或AlN；所述第一側(cè)墻的厚度為100?！?00埃。

可選的，所述第二側(cè)墻的材料為SiN，SiCN，BN或AlN；所述第二側(cè)墻的厚度為100埃～300埃。

可選的，所述犧牲層的材料為SiO₂。

可選的，所述第一鰭部和第二鰭部的材料為鍺化硅。

本發(fā)明還提供采用上述任意一項(xiàng)方法形成的鰭式場效應(yīng)晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底；第二子鰭部，位于所述半導(dǎo)體襯底表面；第一子鰭部，位于所述第二子鰭部頂部，所述第一子鰭部中鍺的濃度大于所述第二子鰭部中鍺的濃度；第四子鰭部，位于所述半導(dǎo)體襯底表面；第三子鰭部，位于所述第四子鰭部頂部，所述第三子鰭部中鍺的濃度小于所述第四子鰭部中鍺的濃度。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

由于在所述第一子鰭部和所述第四子鰭部側(cè)壁直接形成有鍺化硅層，且 對(duì)所述鍺化硅層進(jìn)行氧化處理后，所述鍺化硅層中的鍺原子進(jìn)入第一子鰭部和第四子鰭部，使得第一鰭部中的第一子鰭部和第二子鰭部內(nèi)的鍺原子濃度不同，及第二鰭部中第三子鰭部和第四子鰭部內(nèi)的鍺原子濃度不同；以提高第一子鰭部和第三子鰭部中載流子的遷移率，從而高了鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

附圖說明

圖1至圖13是本發(fā)明一實(shí)施例中鰭式場效應(yīng)晶體管形成過程的示意圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能較差。

研究發(fā)現(xiàn)，在實(shí)際的工藝中，針對(duì)鰭式場效應(yīng)晶體管中既具有N型鰭式場效應(yīng)晶體管又具有P型鰭式場效應(yīng)晶體管的情況，需要提高N型鰭式場效應(yīng)晶體管的電子遷移率且提高P型鰭式場效應(yīng)晶體管的空穴遷移率，而現(xiàn)有技術(shù)中形成的鰭式場效應(yīng)晶體管不具備該性能。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有第一鰭部和第二鰭部，第一鰭部包括第二子鰭部和位于第二子鰭部頂部的第一子鰭部；第二鰭部包括第四子鰭部和位于第四子鰭部頂部的第三子鰭部；通過在第一子鰭部和第二子鰭部中形成鍺原子的濃度差，及在第三子鰭部和第四子鰭部中形成鍺原子的濃度差，從而提高第一子鰭部中的空穴遷移率和第三子鰭部中的電子遷移率，從而提高鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

結(jié)合參考圖1和圖2，圖2為沿著圖1中A-A1切割線的剖面圖，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100表面具有第一鰭部120和第二鰭部123。

所述半導(dǎo)體襯底100為后續(xù)形成鰭式場效應(yīng)晶體管提供工藝平臺(tái)。

所述半導(dǎo)體襯底100可以是單晶硅，多晶硅或非晶硅；半導(dǎo)體襯底100也可以是硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料；所述半導(dǎo)體襯底100還可 以是其它半導(dǎo)體材料，這里不再一一舉例。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底100的材料為硅。

本實(shí)施例中，還包括：位于半導(dǎo)體襯底100表面的氧化層(未圖示)，所述氧化層能夠保護(hù)半導(dǎo)體襯底100不受到刻蝕損傷。所述氧化層的材料為氧化硅。

形成所述第一鰭部120和第二鰭部123的步驟為：在半導(dǎo)體襯底100表面形成鰭部材料層(未圖示)；在所述鰭部材料層表面形成圖案化的掩膜層，所述圖案化的掩膜層定義第一鰭部120和第二鰭部123的位置；以所述圖案化的掩膜層為掩膜刻蝕所述鰭部材料層，直至暴露出半導(dǎo)體襯底100表面，形成第一鰭部120和第二鰭部123。

本實(shí)施例中，所述第一鰭部120和第二鰭部123的材料為鍺化硅；在另一個(gè)實(shí)施例中，所述第一鰭部120和第二鰭部123的材料硅。

本實(shí)施例中，以鰭式場效應(yīng)晶體管具有一個(gè)第一鰭部120和一個(gè)第二鰭部123作為示例，并不代表實(shí)際工藝中第一鰭部120和第二鰭部123的個(gè)數(shù)。在實(shí)際工藝中，可以根據(jù)需要選擇第一鰭部120和第二鰭部123的具體個(gè)數(shù)。

為了方便后續(xù)的描述，將第一鰭部120分為兩部分進(jìn)行描述，將第二鰭部123分為兩部分進(jìn)行描述，即所述第一鰭部120包括第一子鰭部121和第二子鰭部122，第一子鰭部121位于第二子鰭部122的頂部表面；第二鰭部123包括第三子鰭部124和第四子鰭部125，第三子鰭部124位于第四子鰭部125的頂部表面。

第一子鰭部121的高度和第二子鰭部122的高度的比值為1:2～2:1；第三子鰭部124的高度和第四子鰭部125的高度的比值為1:2～2:1。

本實(shí)施例中，為了簡化后續(xù)的工藝，第一子鰭部121的高度等于第三子鰭部124的高度，第二子鰭部122的高度等于第四子鰭部125的高度。

為了使得第一子鰭部121和第二子鰭部122中的鍺含量不同，且使得第三子鰭部124和第四子鰭部125中的鍺含量不同，后續(xù)在所述第二子鰭部122側(cè)壁形成第一側(cè)墻，在所述第三子鰭部124側(cè)壁形成第二側(cè)墻；所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻能夠阻擋后續(xù)形成的鍺化硅層中的鍺原子進(jìn)入第二子鰭部122 和第三子鰭部124中。

在一個(gè)實(shí)施例中，形成所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻的工藝為：在所述第一鰭部120側(cè)壁和所述第二鰭部123側(cè)壁形成第一側(cè)墻材料層；在半導(dǎo)體襯底100表面形成覆蓋部分第一側(cè)墻材料層側(cè)壁的犧牲層，所述犧牲層表面與第二子鰭部122、第四子鰭部125的頂部表面齊平；去除第一子鰭部121和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層；去除第一子鰭部121和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層后，在第一子鰭部121和第三子鰭部124側(cè)壁形成第二側(cè)墻材料層；去除第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層；去除第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層后，去除所述犧牲層；去除所述犧牲層后，去除第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層，形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。

參考圖3，在所述第一鰭部120側(cè)壁和第二鰭部123側(cè)壁形成第一側(cè)墻材料層130。

所述第一側(cè)墻材料層130的作用為：后續(xù)形成第一側(cè)墻。

所述第一側(cè)墻材料層130的材料為SiN，SiCN，BN或AlN；

所述第一側(cè)墻材料層130的厚度為100?！?00埃。

形成第一側(cè)墻材料層130的步驟為：形成覆蓋半導(dǎo)體襯底100表面、第一鰭部120表面和第二鰭部123表面的第一初始側(cè)墻材料層(未圖示)；采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕所述第一初始側(cè)墻材料層，直至暴露出第一鰭部120頂部表面、第二鰭部123頂部表面和半導(dǎo)體襯底100表面，形成第一側(cè)墻材料層130。

形成所述第一初始側(cè)墻材料層的工藝為沉積工藝，如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。

繼續(xù)參考圖3，在半導(dǎo)體襯底100表面形成覆蓋部分第一側(cè)墻材料層130側(cè)壁的犧牲層140，所述犧牲層140的表面與第二子鰭部122的頂部表面和第四子鰭部125的頂部表面齊平。

所述犧牲層140的作用為：在后續(xù)去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的過程中，保護(hù)第二子鰭部122側(cè)壁和第 四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130不受到刻蝕損傷。

由于所述犧牲層140需要作為后續(xù)去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部側(cè)壁124的第一側(cè)墻材料層130過程中的保護(hù)層，故所述犧牲層140的材料不同于第一側(cè)墻材料層130的材料，且在后續(xù)去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的過程中，第一側(cè)墻材料層130與所述犧牲層140具有高的刻蝕選擇比；另外，為了對(duì)第一鰭部120頂部表面和第二鰭部123頂部表面不造成刻蝕損傷，需要使得所述第一側(cè)墻材料層130不同于第一鰭部120和第二鰭部123的材料。綜合上述考慮，所述犧牲層140的材料選擇SiO₂。

參考圖4，去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130。

去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的工藝為濕刻工藝或干刻工藝。本實(shí)施例中，刻蝕去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的工藝為濕刻工藝。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝粋?cè)墻材料層130為SiN，所述犧牲層140為SiO₂時(shí)，采用磷酸溶液去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130，磷酸的質(zhì)量百分比濃度為70％～90％，刻蝕溫度為120攝氏度～200攝氏度。

對(duì)于第一側(cè)墻材料層130和犧牲層140選用其它材料的情況，相應(yīng)的刻蝕去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的工藝參數(shù)不再詳述。

參考圖5，去除第一子鰭部121側(cè)壁和第三子鰭部124側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130后，在第一子鰭部121和第三子鰭部124側(cè)壁形成第二側(cè)墻材料層150。

所述第二側(cè)墻材料層150的作用為：后續(xù)形成第二側(cè)墻。

由于后續(xù)需要去除覆蓋第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150，保留覆蓋第三子鰭部124側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150，在此過程中，第二側(cè)墻材料層150與所述犧牲層140具有高的刻蝕選擇比；后續(xù)需要去除所述犧牲層140， 在去除所述犧牲層140的過程中，所述犧牲層140和第一側(cè)墻材料層130具有高的刻蝕選擇比，且所述犧牲層140和第二側(cè)墻材料層150具有高的刻蝕選擇比；另外，后續(xù)在去除覆蓋第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的過程中，第二側(cè)墻材料層150與第一側(cè)墻材料層130具有高的刻蝕選擇比。綜合以上考慮，所述第二側(cè)墻材料層150的材料為SiN，SiCN，BN或AlN，且第二側(cè)墻材料層150的材料和第一側(cè)墻材料層130的材料不同。

所述第二側(cè)墻材料層150的厚度為100?！?00埃。

形成第二側(cè)墻材料層150的步驟為：形成覆蓋所述犧牲層140表面、第一子鰭部表面121和第三子鰭部124表面的第二初始側(cè)墻材料層(未圖示)；采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕所述第二初始側(cè)墻材料層，直至暴露出第一子鰭部121頂部表面、第三子鰭部124頂部表面和犧牲層140表面，形成第二側(cè)墻材料層150。

形成所述第二初始側(cè)墻材料層的工藝為沉積工藝，如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。

參考圖6，去除第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150。

去除第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150的步驟為：形成第一阻擋層(未圖示)，所述第一阻擋層覆蓋第三子鰭部124側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150，且暴露出第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150和第一子鰭部121的頂部表面；以所述第一阻擋層為掩膜，刻蝕去除第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150；去除覆蓋第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150后，去除所述第一阻擋層。

本實(shí)施例中，所述第一阻擋層的材料為光刻膠。

刻蝕去除第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150的工藝為濕刻工藝或干刻工藝。

參考圖7，去除覆蓋第一子鰭部121側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150后，去除所述犧牲層140(參考圖6)。

去除所述犧牲層140的作用為：暴露出第二子鰭部122側(cè)壁和第四子鰭 部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130。

去除所述犧牲層140的工藝為干刻工藝或濕刻工藝。本實(shí)施例中，去除所述犧牲層140的工藝為濕刻工藝，具體的，采用氫氟酸溶液去除所述犧牲層140。

參考圖8，去除所述犧牲層140后，去除第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130，形成第一側(cè)墻131和第二側(cè)墻151。

第一側(cè)墻131和第二側(cè)墻151的作為：阻擋后續(xù)形成的鍺化硅層中的鍺原子進(jìn)入第二子鰭部122和第三子鰭部124中。

去除第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的工藝為：形成第二阻擋層(未圖示)，所述第二阻擋層覆蓋第一子鰭部121表面和第二子鰭部122側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130，且所述第二阻擋層暴露出第三子鰭部124側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150和第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130；以所述第二阻擋層和第三子鰭部124側(cè)壁的第二側(cè)墻材料層150為掩膜，刻蝕去除第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130；刻蝕去除第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層后130，去除所述第二阻擋層。

本實(shí)施例中，所述第二阻擋層的材料為光刻膠。

刻蝕去除第四子鰭部125側(cè)壁的第一側(cè)墻材料層130的工藝為濕刻工藝或干刻工藝。

去除所述第二阻擋層后，形成了第一側(cè)墻131和第二側(cè)墻151，所述第一側(cè)墻131位于所述第二子鰭部122側(cè)壁，所述第二側(cè)墻151位于所述第三子鰭部124側(cè)壁。

所述第一側(cè)墻131的厚度為100?！?00埃；所述第二側(cè)墻151的厚度為100?！?00埃。

需要說明的是，形成所述第一側(cè)墻131和第二側(cè)墻151的步驟不限于本實(shí)施例中詳述的工藝，在其它實(shí)施例中，可以先形成第一側(cè)墻131后形成第二側(cè)墻151。

參考圖9，在所述第一鰭部120和所述第二鰭部123側(cè)壁形成鍺化硅層 160，所述鍺化硅160層覆蓋所述第一側(cè)墻131和第二側(cè)墻151。

所述鍺化硅層160的作用為：后續(xù)使得所述鍺化硅層160中的鍺原子進(jìn)入第一子鰭部121和第四子鰭部125中。

所述鍺化硅層160的厚度為100埃～500埃。

形成所述鍺化硅層160的步驟為：形成鍺化硅材料層(未圖示)，所述鍺化硅材料層覆蓋半導(dǎo)體襯底100表面、第一子鰭部121表面和第四子鰭部125表面、第二子鰭部122側(cè)壁的第一側(cè)墻131和第三子鰭部124側(cè)壁的第二側(cè)墻151；采用各向異性干刻工藝刻蝕所述鍺化硅材料層，直至暴露出半導(dǎo)體襯底100表面，第一子鰭部121頂部表面和第三子鰭部124頂部表面，形成鍺化硅層160。

形成所述鍺化硅材料層的工藝為沉積工藝，如原子層沉積工藝或等離子體化學(xué)氣相沉積工藝。本實(shí)施例中，形成所述鍺化硅材料層的工藝為原子層沉積工藝。

參考圖10，對(duì)所述鍺化硅層160進(jìn)行氧化處理，使所述鍺化硅層160中的鍺原子進(jìn)入第一子鰭部121(參考圖9)和第四子鰭部125(參考圖9)。

對(duì)所述鍺化硅層160進(jìn)行氧化處理，能夠使得氧原子與鍺化硅層160中的硅原子氧化形成氧化硅，而鍺原子比硅原子穩(wěn)定，故難以對(duì)鍺原子進(jìn)行氧化；且在所述氧化處理的過程中，需要一定的溫度進(jìn)行，使得所述鍺化硅層160中的鍺原子擴(kuò)散進(jìn)入第一子鰭部121和第四子鰭部125中；另外，由于第二子鰭部122側(cè)壁具有第一側(cè)墻131，第三子鰭部124側(cè)壁具有第二側(cè)墻151，所述第一側(cè)墻131能夠阻擋所述鍺化硅層160中的鍺原子擴(kuò)散進(jìn)入第二子鰭部122中，所述第二側(cè)墻151能夠阻擋所述鍺化硅層160中的鍺原子擴(kuò)散進(jìn)入第三子鰭部124中。使得氧化處理后第四子鰭部125中鍺的濃度大于第三子鰭部124中的鍺濃度，氧化處理后第一子鰭部121中鍺的濃度大于第二子鰭部122中鍺的濃度，后續(xù)所述第一子鰭部121作為P型鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部，提高第一子鰭部121中的空穴遷移率，所述第三子鰭部124作為N型鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部，提高第三子鰭部124中的電子遷移率，從而提高了鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

若所述氧化處理的溫度過高，使得所述鍺化硅層160中的部分鍺原子被氧化，減少了所述鍺化硅層160中鍺原子進(jìn)入第一子鰭部121和第四子鰭部125的含量；若所述氧化處理的溫度過低，所述鍺化硅層160中的鍺原子沒有足夠的能量擴(kuò)散進(jìn)入第一子鰭部121和第四子鰭部125。所述氧化處理的溫度過高或過低均使得第一子鰭部121和第二子鰭部122的濃度差較小，及第三子鰭部124和第四子鰭部125的濃度差較小。故本實(shí)施例中，選擇氧化處理的溫度范圍為800攝氏度～1200攝氏度。

若所述氧化處理的時(shí)間過短，所述鍺化硅層160中的鍺原子沒有足夠的時(shí)間完全擴(kuò)散進(jìn)入所述第一子鰭部121和第四子鰭部125；若所述氧化處理的時(shí)間過長，會(huì)增加制作成本。故本實(shí)施例中，選擇氧化處理的時(shí)間范圍為60min～300min。

所述氧化處理采用的氣體為O₂。

參考圖11，進(jìn)行所述氧化處理后，去除所述鍺化硅層160(參考圖10)。

需要說明的是，經(jīng)過所述氧化處理后，所述鍺化硅層160為材料為氧化硅，或氧化硅和氧化鍺。采用氫氟酸溶液刻蝕去除鍺化硅層160，水和氫氟酸的體積百分比濃度為100:1～500:1。

參考圖12，去除所述鍺化硅層160(參考圖10)后，去除第一側(cè)墻131(參考圖11)和第二側(cè)墻151(參考圖11)。

本實(shí)施例中，先去除第一側(cè)墻131，后去除第二側(cè)墻151；在另一個(gè)實(shí)施例中，先去除第二側(cè)墻151，后去除第一側(cè)墻131。

參考圖13，去除第一側(cè)墻131和第二側(cè)墻151之后，在半導(dǎo)體襯底100表面形成隔離結(jié)構(gòu)170，所述隔離結(jié)構(gòu)170的表面與第二子鰭部122側(cè)壁和第四子鰭部125齊平。

所述隔離結(jié)構(gòu)170的材料為氧化硅或氮氧化硅。本實(shí)施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)170的材料為氧化硅。

所述隔離結(jié)構(gòu)170用于電學(xué)隔離第一鰭部120，且電學(xué)隔離第二鰭部123。

形成所述隔離結(jié)構(gòu)170的步驟為：形成覆蓋第一鰭部120、第二鰭部123 和半導(dǎo)體襯底100的隔離結(jié)構(gòu)材料層(未圖示)，且所述隔離結(jié)構(gòu)材料層的整個(gè)表面高于第一鰭部120和第二鰭部123的頂部表面；平坦化所述隔離結(jié)構(gòu)材料層，以第一鰭部120的頂部表面和第二鰭部123的頂部表面為停止層；回刻蝕部分隔離結(jié)構(gòu)材料層，在半導(dǎo)體襯底100表面形成隔離結(jié)構(gòu)170。

形成第一子鰭部121、第二子鰭部122、第三子鰭部124和第四子鰭部125后，形成橫跨第一鰭部120和第一柵極結(jié)構(gòu)(未圖示)及橫跨第二鰭部123的第二柵極結(jié)構(gòu)(未圖示)，然后在所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部120中形成第一源漏區(qū)(未圖示)，在所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部123中形成第二源漏區(qū)(未圖示)。

本發(fā)明還提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管，參考圖12，包括：半導(dǎo)體襯底100；位于所述半導(dǎo)體襯底表面100的第二子鰭部122和位于第二子鰭部122頂部的第一子鰭部121；位于所述半導(dǎo)體襯底100表面的第四子鰭部125和位于第四子鰭部125頂部的第三子鰭部124；第一子鰭部121中鍺的濃度大于第二子鰭部122中鍺的濃度，第三子鰭部124中鍺的濃度小于第四子鰭部125中鍺的濃度。

所述濃度指的是鍺的質(zhì)量百分比濃度。

形成半導(dǎo)體襯底100、第一子鰭部121、第二子鰭部122和第三子鰭部124第四子鰭部125的方法參照前述實(shí)施例，不再詳述。

由于第一子鰭部121中鍺的濃度大于第二子鰭部122中鍺的濃度；第三子鰭部124中鍺的濃度小于第四子鰭部125中鍺的濃度，使得第一鰭部120中的第一子鰭部121和第二子鰭部122內(nèi)的鍺原子濃度不同，及第二鰭部123中第三子鰭部124和第四子鰭部125內(nèi)的鍺原子濃度不同，提高了第一子鰭部121和第三子鰭部124中載流子的遷移率，從而提高了鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。