技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置既可以在需要對待處理物表面進(jìn)行預(yù)處理時提供較大的離子轟擊能量，又能夠在對待處理物表面進(jìn)行材料沉積時減小等離子體轟擊能量。該等離子體處理裝置結(jié)構(gòu)簡單而且相對于現(xiàn)有的等離子體處理裝置降低了成本。該等離子體處理裝置包括上電極組、下電極組、第一開關(guān)和第二開關(guān)。上電極組包括至少一個上電極。下電極組包括至少一個下電極。下電極組的下電極支撐被處理物體。上電極組通過第一開關(guān)接地。下電極組通過第二開關(guān)接地。

技術(shù)研發(fā)人員：陳曉;吳海華;徐力
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海至純潔凈系統(tǒng)科技股份有限公司
文檔號碼：201510536174
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.27
技術(shù)公布日：2017.03.08