技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種應(yīng)用于半導(dǎo)體等離子體處理裝置的陶瓷環(huán)，環(huán)內(nèi)呈兩層臺(tái)階式設(shè)置，第二層臺(tái)階的高度邊與第一層臺(tái)階的平面不垂直，角度可以在90°到180°之間變化。在高溫工藝過(guò)程中，當(dāng)氣體流經(jīng)第二層臺(tái)階高度邊時(shí)，傾斜的臺(tái)階高度邊可以減小對(duì)氣體流動(dòng)的阻礙作用，從而改善等離子體在此處的分布，使晶圓邊緣的薄膜沉積更加均勻。

技術(shù)研發(fā)人員：劉憶軍;楊艷;戚艷麗;寧建平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：沈陽(yáng)拓荊科技有限公司
文檔號(hào)碼：201510527723
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.25
技術(shù)公布日：2017.03.08