本發(fā)明涉及一種電子裝置及其制作方法，尤其涉及一種借助一附著層以提升塑料基板與無機(jī)層間附著力的電子裝置及其制作方法。
背景技術(shù)：
：隨著電子產(chǎn)品薄型化及輕量化的要求，電子產(chǎn)品由之前的玻璃基板轉(zhuǎn)而朝向使用塑料基板的方向發(fā)展，而可達(dá)到比重輕、可撓曲、耐摔、不易破碎，以及耐沖擊等特性。當(dāng)將玻璃基板改以塑料基板取代時(shí)，由于塑料基板為一有機(jī)材料，而與其上方所形成的無機(jī)層為異質(zhì)介面接合。然而，此異質(zhì)介面接合兩者之間并無直接鍵合，只能靠著彼此之間較弱的范德華力及錨定力，以將無機(jī)層固設(shè)于塑料基板上；當(dāng)形成主動(dòng)元件層時(shí)，因工藝中所使用的高熱或所產(chǎn)生的濕氣，會(huì)造成無機(jī)層與塑料基板分離或產(chǎn)生孔洞，而造成電子裝置的阻水氧率下降，而造成電子裝置的表現(xiàn)劣化，甚至是降低電子裝置的合格率。有鑒于此，目前亟需發(fā)展一種可改善塑料基板與無機(jī)層異質(zhì)介面附著力弱的電子裝置，以期能降低無機(jī)層與塑料基板分離或產(chǎn)生孔洞的問題，進(jìn)而提升電子裝置的合格率及表現(xiàn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種電子裝置及其制作方法，通過形成一以硅氧烷或其衍生物所形成的附著層，可增加塑料基板與無機(jī)層之間的附著力，進(jìn)而降低無機(jī)層與塑料基板有剝離的情形發(fā)生。本發(fā)明的電子裝置的制作方法，包括下列步驟：提供一第一基板，且表面改性該第一基板的一表面，其中該第一基板為一塑料基板；涂布一硅氧烷或其衍生物，以在經(jīng)表面改性的該表面上形成一附著前驅(qū)物層；熱處 理該附著前驅(qū)物層，以形成一附著層；在該附著層上形成一無機(jī)層；形成一主動(dòng)元件層在該無機(jī)層上，以使該無機(jī)層設(shè)于該附著層與該主動(dòng)元件層之間。經(jīng)由上述步驟，本發(fā)明所提供的電子裝置，包括：一第一基板，包含一塑料基板；一附著層，設(shè)于該第一基板上且包括一硅氧烷或其衍生物的縮合物；一無機(jī)層，設(shè)于該附著層上；以及一主動(dòng)元件層，設(shè)于該無機(jī)層上，且該無機(jī)層設(shè)于該附著層與該主動(dòng)元件層之間。在本發(fā)明的電子裝置的制作方法中，在提供該第一基板前，可選擇性的還包括一步驟：提供一載板，并將該第一基板設(shè)置在該載板上。當(dāng)有使用載板的情形下，在形成該主動(dòng)元件層于該無機(jī)層上后，可選擇性的還包括一步驟：移除該載板。在本發(fā)明的電子裝置及其制作方法中，該附著層或該附著前驅(qū)物層與該第一基板間具有一共價(jià)鍵；其中，此共價(jià)鍵優(yōu)選為-C-O-Si-。此外，該附著層與該無機(jī)層間也具有一共價(jià)鍵；其中，此共價(jià)鍵優(yōu)選為-M1-M2-C-，其中，M1為Si或Al，而M2為O或N。在本發(fā)明的電子裝置及其制作方法中，該附著層的厚度介于10-100nm，且優(yōu)選介于30-40nm。在本發(fā)明的電子裝置及其制作方法中，該硅氧烷或其衍生物如下式(I)所示：其中，R1、R2及R3各自獨(dú)立地為H或C1-6烷基，Y為C1-20烷基、C2-20烯基、C1-20烷基-環(huán)氧乙基、環(huán)氧乙基、C1-20烷基丙烯酸或-O-C1-20烷基。優(yōu)選地，R1、R2及R3各自獨(dú)立地為H或C1-3烷基，Y為C1-6烷基、C2-6烯基、C1-6烷基-環(huán)氧乙基、環(huán)氧乙基、C1-6烷基丙烯酸或-O-C1-6烷基。在本發(fā)明中，烷基及烯基可選擇性地被取代基取代或未取代；而取代基的實(shí)際例子包括，但不限于，烷基、鹵素、烷氧基、烯基、雜環(huán)基或芳基，但烷基不會(huì)再被烷基所取代。在前述取代基中，所謂的“鹵素”包括氟、氯、溴及碘。所謂的“烷基”包括直鏈及支鏈的烷基，優(yōu)選為包括直 鏈及支鏈的C1-20烷基，更優(yōu)選為包括直鏈及支鏈的C1-12烷基，且進(jìn)一步優(yōu)選包括直鏈及支鏈的C1-6烷基；且其具體例子包括，但不限于：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基。所謂的“烷氧基”一詞為本發(fā)明中所定義的烷基經(jīng)加上一氧原子所形成的分子基團(tuán)，優(yōu)選為包括直鏈及支鏈的C1-20烷氧基，更優(yōu)選為包括直鏈及支鏈的C1-12烷氧基，且進(jìn)一步優(yōu)選為包括直鏈及支鏈的C1-6烷氧基；且其具體例子包括，但不限于：甲氧基、乙氧基、丙氧基、2-丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊氧基及己氧基。所謂的“烯基”一詞指包含至少一個(gè)雙鍵且包括直鏈及支鏈的碳?xì)浠鶊F(tuán)，優(yōu)選為包含至少一個(gè)雙鍵且包括直鏈及支鏈的C2-20碳?xì)浠鶊F(tuán)，更優(yōu)選為包含至少一個(gè)雙鍵且包括直鏈及支鏈的C2-12碳?xì)浠鶊F(tuán)，且進(jìn)一步優(yōu)選為包含至少一個(gè)雙鍵且包括直鏈及支鏈的C2-6碳?xì)浠鶊F(tuán)；且其具體例子包括，但不限于：乙烯、丙烯及丁烯。所謂的“芳基”包括6元碳單環(huán)、10元碳雙環(huán)、14元三環(huán)芳香族環(huán)系統(tǒng)，其具體例子包括，但不限于：苯基、萘基、芘基、蒽基及菲基，且優(yōu)選為苯基。所謂的“雜環(huán)基”一詞指環(huán)中具有至少一雜原子的5-8元單環(huán)、8-12元雙環(huán)或11-14元的三環(huán)的雜芳香環(huán)(即雜芳基)及雜環(huán)烷基團(tuán)，其中環(huán)中的每一雜原子選自O(shè)、S及N；其中，雜芳基的具體例子包括，但不限于：吡啶基(pyridyl)、嘧啶基(pyrimidinyl)、呋喃基(furyl)、噻唑基(thiazolyl)、咪唑基(imidazolyl)及噻吩基(thienyl)。當(dāng)R1、R2和/或R3為經(jīng)取代基取代的官能基時(shí)，優(yōu)選選用親水性取代基進(jìn)行取代；而Y為經(jīng)取代基取代的官能基時(shí)，則優(yōu)選選用疏水性取代基進(jìn)行取代。在此，硅氧烷或其衍生物的具體例子可如下式(I-1)至(I-3)中任一所示：此外，在本發(fā)明的電子裝置及其制作方法中，無機(jī)層的材料為一金屬氧化物或一陶瓷材料；且無機(jī)層的材料優(yōu)選至少一種選自氧化鋁、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本發(fā)明的電子裝置及其制作方法中，用于作為第一基板的塑料基板的材料可為聚丙烯(PP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亞胺(PI)。在一般的電子裝置工藝中，無機(jī)層直接形成在塑料基板上；然而，兩者之間并無直接鍵合，只能靠著彼此之間較弱的范德華力及錨定力，以將無機(jī)層固設(shè)于塑料基板上；故容易因后續(xù)工藝高溫或產(chǎn)生的濕氣，而使得無機(jī)層從塑料基板上剝離或產(chǎn)生孔洞。因此，在本發(fā)明的電子裝置及其制作方法中，在塑料基板與無機(jī)層間形成一由硅氧烷或其衍生物所形成的附著層，通過附著層分別與塑料基板與無機(jī)層所形成的共價(jià)鍵，而可提升無機(jī)層與塑料基板間彼此的附著力，進(jìn)而改善因無機(jī)層與塑料基板的異質(zhì)介面附著力不佳的問題，以提升電子裝置的表現(xiàn)及合格率。附圖說明圖1A至1D為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的電子裝置的制作流程示意圖；圖2A至2D為本發(fā)明實(shí)施例1的電子裝置的制作流程中第一基板與附著層間的鍵合示意圖；圖3A為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的硅氧烷化合物在涂布前的硅的化學(xué)分析電子能譜；圖3B為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的硅氧烷化合物在涂布前的碳的化學(xué)分析電子能譜；圖3C為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的硅氧烷化合物在涂布前的氧的化學(xué)分析電子能譜；圖4A為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的附著前驅(qū)物層的硅的化學(xué)分析電子能譜；圖4B為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的附著層的硅的化學(xué)分析電子能譜；圖5A為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的附著前驅(qū)物層的氧的化學(xué)分析電子能譜；圖5B為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的附著層的氧的化學(xué)分析電子能譜；圖6A為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的附著前驅(qū)物層的碳的化學(xué)分析電子能譜；圖6B為本發(fā)明實(shí)施例1所使用的附著層的碳的化學(xué)分析電子能譜。【符號(hào)說明】11載板12第一基板13附著前驅(qū)物層131附著層14無機(jī)層15主動(dòng)元件層具體實(shí)施方式以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明也可以通過其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以針對(duì)不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。圖1A至1D為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的電子裝置的制作流程示意圖。如圖1A所示，在本實(shí)施例的電子裝置的制作流程中，首先，提供一第一基板12，其為一塑料基板。在此，適用于本實(shí)施例的塑料基板可為PP、PEN、PET或PI基板。此外，第一基板12的厚度并無特殊限制，可依照設(shè)計(jì)而有所變更；例如，可減少第一基板12的厚度，以調(diào)整所制得的可撓式電子裝置的可彎曲程度；在本實(shí)施例中，第一基板12的厚度可介于10μm至250μm。當(dāng)?shù)谝换?2為一PI基板時(shí)，其厚度優(yōu)選介于15μm至50μm；而當(dāng)?shù)谝换?2為一PET基板時(shí)，其厚度優(yōu)選約為200μm；然而，本發(fā)明并不僅限于此。由于第一基板12可能因厚度較薄而剛性較差，而無法適應(yīng)現(xiàn)有使用硬性基板的機(jī)臺(tái)；因此，如圖1A所示，還可以提供一載板11，并將第一基板12設(shè)置在載板11上，以增加第一基板12的剛性。接著，表面改性第一基板12的一表面，使其表面具有親水性；在此，可以UV光或等離子處理改性第一基板12的表面，且經(jīng)改性后的表面則可顯露出-OH基團(tuán)。而后，如圖1B所示，在經(jīng)表面改性的第一基板12的表面上涂布一硅氧烷或其衍生物，以形成一附著前驅(qū)物層13；在此，可以浸沾式涂布、滾筒式涂布、印刷涂布、旋轉(zhuǎn)式涂布或其他涂布方式形成附著前驅(qū)物層13。其中，附著前驅(qū)物層13的涂布厚度可介于10-100nm，而優(yōu)選介于30-40nm之間。在此，附著前驅(qū)物層13所使用的硅氧烷或其衍生物可如下式(I)所示：其中，R1、R2及R3各自獨(dú)立地為H或C1-6烷基，Y為C1-20烷基、C2-20烯基、C1-20烷基-環(huán)氧乙基、環(huán)氧乙基、C1-20烷基丙烯酸、或-O-C1-20烷基。其中，-OR1、-OR2及-OR3為一親水性官能基(親水端)，其可與第一基板12表面處理后所顯露的-OH基團(tuán)產(chǎn)生自組裝縮合反應(yīng)，而產(chǎn)生共價(jià)鍵合；而Y則為一疏水性官能基(疏水端)。在此，由于親水端是朝向第一基板12方向，故附著前驅(qū)物層13的表面顯露出疏水端。在本實(shí)施例中，硅氧烷或其衍生物的具體例子如下式(I-1)至(I-3)中任一所示：而后，如圖1C所示，進(jìn)行一熱處理工藝，以使附著前驅(qū)物層13表面的疏水端轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂杏H水性的-OH基團(tuán)，以形成一附著層131；其中，熱處理工藝的溫度及時(shí)間可隨著硅氧烷或其衍生物的特性而改變，優(yōu)選為，熱處理工藝的溫度可介于60至100℃，而時(shí)間則可介于5至20分鐘。如圖1C所示，接著，在附著層131上形成一無機(jī)層14，而附著層131表面的-OH基團(tuán)則得以與無機(jī)層14反應(yīng)，而形成共價(jià)鍵合。在本實(shí)施例中，無機(jī)層14的材料可為一金屬氧化物或一陶瓷材料；例如：氧化鋁、氧化硅、氮化硅及氮氧化硅等。最后，在無機(jī)層14上形成一主動(dòng)元件層15，以使無機(jī)層14設(shè)于附著層131與主動(dòng)元件層15之間；并移除第一基板12下方的載板11，則完成本實(shí)施例的電子裝置，如圖1D所示。因此，本實(shí)施例的電子裝置包括：一第一基板12，包含一塑料基板；一附著層131，設(shè)于第一基板12上且包括一硅氧烷或其衍生物的縮合物；一無機(jī)層14，設(shè)于附著層131上；以及一主動(dòng)元件層15，設(shè)于無機(jī)層14上，且無機(jī)層14設(shè)于附著層131與主動(dòng)元件層15之間。接下來，將以下述實(shí)施例1作為舉例，以詳細(xì)說明附著層131與第一基板12及無機(jī)層14之間的反應(yīng)及鍵合。實(shí)施例1在本實(shí)施例中，第一基板使用PI基板，而硅氧烷衍生物使用如下式(I-1)所示的化合物：圖2A至2D為本實(shí)施例的電子裝置的制作流程中第一基板與附著層之間的鍵合示意圖。首先，如圖1A所示，提供一第一基板12，其為一PI基板；而后，表面改性第一基板12的一表面，以使改性后的表面顯露出-OH基團(tuán)，如圖2A所示。其中，PI基板經(jīng)UV光處理改性的反應(yīng)流程如反應(yīng)式I所示。[反應(yīng)式I]在此，在圖2A中，為了簡(jiǎn)潔表示第一基板12與后續(xù)附著層的鍵合，第一基板12僅繪制表面處理后所產(chǎn)生的羧基基團(tuán)(-COOH)。而后，如圖1B、2A及2B所示，在經(jīng)表面改性的第一基板12的表面上涂布式(I-1)化合物，以形成一附著前驅(qū)物層13。當(dāng)形成附著前驅(qū)物層13后，由于式(I-1)化合物的-Si(OH)3親水性官能基(親水端)氧電子密度高、 反應(yīng)性較佳，故涂布后會(huì)以親水端朝下而與第一基板12表面處理后所顯露的-OH基團(tuán)產(chǎn)生自組裝縮合反應(yīng)，產(chǎn)生-C-O-Si-共價(jià)鍵合，如圖2B所示。至于環(huán)氧基的疏水性官能基(疏水端)，則會(huì)顯露于附著前驅(qū)物層13表面。在此，僅以單層硅氧烷衍生物表示，然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員均知道，所形成附著前驅(qū)物層13，包括多層的硅氧烷衍生物。接著，在70℃熱處理10分鐘后，可使附著前驅(qū)物層13表面的環(huán)氧基進(jìn)行開環(huán)反應(yīng)，而轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂杏H水性的-OH基團(tuán)，而形成一附著層131，如圖1C及2C所示。在本實(shí)施例中，附著層131的厚度約為40nm。最后，如圖1C及2D所示，再沉積一由氧化硅所組成的無機(jī)層14；在此，附著層131的-OH基團(tuán)則會(huì)再與氧化硅進(jìn)行縮合反應(yīng)，而可再產(chǎn)生-C-O-Si-共價(jià)鍵合。在本實(shí)施例中，無機(jī)層14以氧化硅層作為示例；然而，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，當(dāng)無機(jī)層14的材料為氧化鋁、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，則無機(jī)層14與附著層131之間所產(chǎn)生的共價(jià)鍵為-M1-M2-C-，其中，M1為Si或A1，而M2為O或N。如圖2A至2D所示，當(dāng)在塑料基板的第一基板12及無機(jī)層14間形成本實(shí)施例的附著層131時(shí)，由于附著層131可分別與第一基板12及無機(jī)層14產(chǎn)生共價(jià)鍵合，故可改善塑料基板的第一基板12及無機(jī)層14間異質(zhì)界介面附著力不佳的問題。經(jīng)掃描式電子顯微鏡(SEM)進(jìn)一步分析(圖中未示出)可發(fā)現(xiàn)，當(dāng)塑料基板的第一基板12及無機(jī)層14間未形成附著層131時(shí)，會(huì)在介面間產(chǎn)生孔洞；而當(dāng)塑料基板的第一基板12及無機(jī)層14間形成有本實(shí)施例的附著層131時(shí)，則介面間無孔洞及剝離的情形發(fā)生。此外，為了更進(jìn)一步證實(shí)附著層131可分別與第一基板12及無機(jī)層14產(chǎn)生共價(jià)鍵合，在此，以化學(xué)分析電子能譜儀(Electronspectroscopyforchemicalanalysis，ESCA)做進(jìn)一步的驗(yàn)證分析。圖3A至3C分別為本實(shí)施例所使用的式(I)硅氧烷化合物在涂布前的硅、碳及氧的化學(xué)分析電子能譜；其數(shù)值分別如表1至3所示；而R-CO2-Si-C中的R指PI除了-COOH以外的基團(tuán)。在此，將式(I)化合物涂布在素玻璃上進(jìn)行測(cè)量。表1：硅譜化學(xué)鍵鍵合能面積％Si-OH99.2eV8317.0100表2：碳譜化學(xué)鍵鍵合能面積％Si-C283.4eV5611.8760.7C-OH(環(huán)氧基)281.9eV3633.2739.3表3：氧譜化學(xué)鍵鍵合能面積％C-OH529.5eV15398.723.1SiOH、SiO2529.3eV51475.976.9如圖3A及表1結(jié)果所示，式(I)化合物的硅譜峰為完全對(duì)稱的，且束縛能偏低；此結(jié)果證實(shí)，式(I)化合物的硅端以充分水解的-Si(OH)3方式存在，并未縮合成為二氧化硅。如圖3B至3C及表2及3結(jié)果所示，由擬合峰的面積比可得知，硅端上的碳鏈為三個(gè)碳，而環(huán)氧基則為兩個(gè)；且硅端接三個(gè)氫氧基，而環(huán)氧基則為一個(gè)氧。此分析結(jié)果與式(I)化合物的化學(xué)式相符。圖4A及4B分別為本實(shí)施例所使用的式(I)硅氧烷化合物在涂布后形成附著前驅(qū)物層、及進(jìn)一步熱處理后形成附著層的硅的化學(xué)分析電子能譜；其數(shù)值分別如表4至5所示；在此，還將圖3A、4A及4B的硅譜的數(shù)值進(jìn)一步整理，并列于下表6中。在圖4A及4B中，R-CO2-Si-C中的R指PI除了-COOH以外的基團(tuán)；而CO-Si-R則為一硅氧烷化合物的環(huán)氧基(提供-C-OH)與另一硅氧烷化合物的羥基(提供HO-Si-R)水解縮合反應(yīng)后所形成的基團(tuán)。表4：附著前驅(qū)物層的硅譜化學(xué)鍵鍵合能面積％R-CO2-Si-C99.9eV335.317.3SiO299.4eV338.417.5Si-OH99.2eV1259.065.2表5：附著層的硅譜化學(xué)鍵鍵合能面積％R-CO2-Si-C99.9eV1541.868.0SiO299.4eV668.729.5Si-OH99.2eV57.72.5表6如圖3A、4A及表4結(jié)果所示，相較于式(I)硅氧烷化合物在涂布前的Si-OH信號(hào)，涂布后所形成附著前驅(qū)物層的Si-OH信號(hào)降低；此結(jié)果表示，在所涂布的式(I)硅氧烷化合物其硅端會(huì)朝PI基板而與PI基板的-OH基團(tuán)進(jìn)行縮合水解反應(yīng)，而產(chǎn)生鍵合。如圖3A、4A、4B及表6結(jié)果所示，相較于式(I)硅氧烷化合物在涂布前的R-CO2-Si-C、CO-S-R及SiO2信號(hào)，涂布后所形成附著前驅(qū)物層及熱處理后所形成的附著層，這些信號(hào)均降低；此結(jié)果表示，經(jīng)由熱處理后，硅氧烷化合物的縮合反應(yīng)發(fā)生完全。圖5A及5B分別為本實(shí)施例所使用的式(I)硅氧烷化合物在涂布后形成附著前驅(qū)物層、及進(jìn)一步熱處理后形成附著層的氧的化學(xué)分析電子能譜；其數(shù)值分別如表7至8所示；在此，將圖3C、5A及5B的硅譜的數(shù)值進(jìn)一步整理，并列于下表9中。表7：附著前驅(qū)物層的氧譜化學(xué)鍵鍵合能面積％C-OH529.5eV5539.837.5SiOH、SiO2529.3eV9236.762.5表8：附著層的氧譜化學(xué)鍵鍵合能面積％C-OH529.5eV33831.589.6SiOH、SiO2529.3eV3924.710.4表9如圖3C、5A、5B及表9結(jié)果所示，當(dāng)經(jīng)過熱處理后，O的信號(hào)會(huì)從代表SiOH、SiO2信號(hào)向左偏移，使得代表C-OH信號(hào)的比例增加；此結(jié)果表示，經(jīng)熱處理后，硅氧烷化合物的環(huán)氧基會(huì)進(jìn)行開環(huán)反應(yīng)。圖6A及6B分別為本實(shí)施例所使用的式(I)硅氧烷化合物在涂布后形成附著前驅(qū)物層、及進(jìn)一步熱處理后形成附著層的碳的化學(xué)分析電子能譜；其數(shù)值分別如表10至11所示；在此，將圖3C、5A及5B的硅譜的數(shù)值進(jìn)一步整理，并列于下表12中。表10：附著前驅(qū)物層的碳譜化學(xué)鍵鍵合能面積％R-CO2-Si-C285.5eV2493.28.3Si-C283.4eV9922.832.9C-OH(環(huán)氧基)281.9eV17730.658.8表11：附著層的碳譜化學(xué)鍵鍵合能面積％R-CO2-Si-C285.5eV3231.110.7Si-C283.4eV11302.937.3C-OH(環(huán)氧基)281.9eV15781.452.0表12如圖3B、6A、6B及表12結(jié)果所示，當(dāng)經(jīng)過熱處理后，R-CO2-Si-C的比例增加，代表加熱可以使縮合反應(yīng)更完全。由上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證，本發(fā)明所使用的附著層，的確可同時(shí)與塑料基板與無機(jī)層形成共價(jià)鍵合，故可改善塑料基板與無機(jī)層異質(zhì)介面附著力不佳的問題，而提升電子產(chǎn)品的效能及合格率。本發(fā)明所提供的電子裝置及其制作方法，可應(yīng)用于各種須使用柔性基板的電子裝置上，例如：柔性顯示裝置、柔性觸控裝置、太陽能電池、照明裝置、柔性印刷電路板、電子紙、無線射頻辨識(shí)技術(shù)上。此外，當(dāng)本發(fā)明所提供的電子裝置為一軟性顯示裝置時(shí)，也可以與柔性觸控面板合并使用，而做為一觸控顯示裝置。同時(shí)，本發(fā)明前述實(shí)施例所制得的顯示面板或觸控顯示裝置，可應(yīng)用于本
技術(shù)領(lǐng)域：
已知的任何需要顯示屏幕的電子裝置上，如顯示器、手機(jī)、筆記型電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂播放器、移動(dòng)導(dǎo)航裝置、電視等。上述實(shí)施例僅是為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請(qǐng)專利范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3