技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)和漂移區(qū)；在漂移區(qū)內(nèi)形成摻雜離子類型與漂移區(qū)不同的反型離子注入?yún)^(qū)，用于在垂直于半導(dǎo)體襯底方向上分隔漂移區(qū)；在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分阱區(qū)和部分漂移區(qū)；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極和漏極，所述源極位于阱區(qū)內(nèi)，所述漏極位于漂移區(qū)內(nèi)。通過在漂移區(qū)內(nèi)形成一個或多個反型離子注入?yún)^(qū)，且多個反型離子注入?yún)^(qū)在垂直于半導(dǎo)體襯底的方向上間隔排布，所述漂移區(qū)被所述反型離子注入?yún)^(qū)分割成多個區(qū)域；當(dāng)器件導(dǎo)通時，電流被所述反型離子注入?yún)^(qū)分流，從而可以降低漂移區(qū)內(nèi)的碰撞電離，進而提升了LDMOS晶體管的擊穿電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：方磊
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510456890
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.29
技術(shù)公布日：2017.02.15