1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)和漂移區(qū)；
在所述漂移區(qū)內(nèi)形成反型離子注入?yún)^(qū)，用于在垂直于半導(dǎo)體襯底方向上分隔所述漂移區(qū)，所述反型離子注入?yún)^(qū)中摻雜離子的類型與所述漂移區(qū)中摻雜離子的類型不同；所述反型離子注入?yún)^(qū)靠近所述阱區(qū)一側(cè)的邊界與所述漂移區(qū)的邊界齊平或超出所述漂移區(qū)的邊界，所述反型離子注入?yún)^(qū)遠(yuǎn)離所述阱區(qū)一側(cè)的邊界位于所述漂移區(qū)內(nèi)；所述反型離子注入?yún)^(qū)的數(shù)量為一個，或者，所述反型離子注入?yún)^(qū)的數(shù)量為多個且多個反型離子注入?yún)^(qū)在垂直于半導(dǎo)體襯底的方向上間隔排布；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分所述阱區(qū)和部分所述漂移區(qū)；
在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極和漏極，所述源極位于所述阱區(qū)內(nèi)，所述漏極位于所述漂移區(qū)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述反型離子注入?yún)^(qū)的數(shù)量為多個，形成所述反型離子注入?yún)^(qū)的步驟包括：通過多次離子注入形成多個反型離子注入?yún)^(qū)；多次離子注入過程中保持注入劑量不變依次增加注入能量，或者，多次離子注入過程中依次減小注入劑量依次增加注入能量，使形成的多個反型離子注入?yún)^(qū)分別位于所述漂移區(qū)的不同深度內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述反型離子注入?yún)^(qū)的離子注入過程中，注入的離子濃度大于所述漂移區(qū)的離子濃度。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成阱區(qū)和漂移區(qū)之前，還包括在半導(dǎo)體襯底中形成第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)，所述第一隔離結(jié)構(gòu)與所述阱區(qū)位置相對應(yīng)，所述第二隔離結(jié)構(gòu)與所述漂移區(qū)位置相對應(yīng)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成的所述反型離子注入?yún)^(qū)位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)的下方。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述源極的步驟包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)與所述第一隔離結(jié)構(gòu)之間形成源極。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述漏極的步驟包括：在所述第二隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)形成漏極。
8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：形成源極和漏極后，在所述第一隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述源極的一側(cè)形成體接觸極，所述體接觸極位于所述阱區(qū)內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為N型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述阱區(qū)、體接觸極和反型離子注入?yún)^(qū)注入離子的類型為P型，所述漂移區(qū)、源極和漏極注入離子的類型為N型。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述阱區(qū)、體接觸極和反型離子注入?yún)^(qū)注入離子的類型為N型，所述漂移區(qū)、源極和漏極注入離子的類型為P型。
11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有漂移區(qū)和阱區(qū)；
反型離子注入?yún)^(qū)，位于所述漂移區(qū)內(nèi)，所述反型離子注入?yún)^(qū)中摻雜離子的類型與所述漂移區(qū)中摻雜離子的類型不同；所述反型離子注入?yún)^(qū)靠近所述阱區(qū)一側(cè)的邊界與所述漂移區(qū)的邊界齊平或超出所述漂移區(qū)的邊界，所述反型離子注入?yún)^(qū)遠(yuǎn)離所述阱區(qū)一側(cè)的邊界位于所述漂移區(qū)內(nèi)；所述反型離子注入?yún)^(qū)的數(shù)量為一個，或者，所述反型離子注入?yún)^(qū)的數(shù)量為多個且多個反型離子注入?yún)^(qū)在垂直于半導(dǎo)體襯底的方向上間隔排布；
柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋部分所述阱區(qū)和部分所述漂移區(qū)；
源極，位于所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中，且所述源極位于所述阱區(qū)內(nèi)；
漏極，位于所述柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中，且所述漏極位于所述漂移區(qū)內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括位于所述阱區(qū)的第一隔離結(jié)構(gòu)，以及位于所述漂移區(qū)的第二隔離結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反型離子注入?yún)^(qū)位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)的下方。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極位于所述柵極結(jié)構(gòu)與所述第一隔離結(jié)構(gòu)之間。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述漏極位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)。
16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括體接觸極，所述體接觸極位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離源極的一側(cè)，且所述體接觸極位于所述阱區(qū)內(nèi)。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為N型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述阱區(qū)、體接觸極和反型離子注入?yún)^(qū)注入離子的類型為P型，所述漂移區(qū)、源極和漏極注入離子的類型為N型。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述阱區(qū)、體接觸極和反型離子注入?yún)^(qū)注入離子的類型為N型，所述漂移區(qū)、源極和漏極注入離子的類型為P型。