本發(fā)明涉及到通信設備的技術領域，尤其涉及到一種卡托及其制備方法、移動終端。

背景技術：

當前智能手機技術飛速發(fā)展，在影響智能手機信號的原因當中，有一種是因為卡托(或稱之為卡槽)的表面絕緣涂層被破壞，從而使卡托出現(xiàn)導電現(xiàn)象，這種導電現(xiàn)象進而影響手機的通信信號，出現(xiàn)信號不良或者直接手機不識SIM卡的現(xiàn)象。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種卡托及其制備方法、移動終端，用以提高卡托的絕緣效果，從而改善移動終端的識別卡的效果。

第一方面，提供了一種卡托，該卡托包括卡托基體，設置在所述卡托基體上的第一絕緣層，覆蓋在所述第一絕緣層的第二絕緣層，且所述第一絕緣層的硬度高于所述第二絕緣層。

結合上述第一方面，在第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一絕緣層為包含類金剛石材料的絕緣涂層。

結合上述第一方面、第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一絕緣層包括：設置在所述卡托基體上的金屬打底層；設置在所述金屬打底層上的中間層；以及設置在所述中間層上的絕緣涂層，其中，所述中間層為金屬及其化合物的混合層；所述絕緣涂層為金屬及其化合物、類金剛石材料的混合層。

結合上述第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述絕緣涂層中金屬及其化合物的含量越靠近所述中間層的位置含量越多；所述類金剛石材料含量越遠離所述中間層的位置含量越多。

結合上述第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第四種可能的實現(xiàn)方式中，所述金屬及其化合物的混合層中的金屬化合物可以為：金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬硫化物、金屬硼化物、金屬氮氧化合物、金屬碳氮化合物或金屬碳氧氮化合物。

結合上述第一方面，在第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述卡托基體的材質(zhì)包括以下材質(zhì)中的至少一種：

金屬材料、金屬合金材料、金屬基復合材料以及無機非金屬材料。

結合上述第一方面，在第六種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一絕緣層的厚度介于0.3～7微米之間。

結合上述第一方面的第六種可能的實現(xiàn)方式，在第七種可能的實現(xiàn)方式中，所述第二絕緣層的厚度介于3～100微米之間。

結合上述第一方面，在第八種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一絕緣層的厚度介于0.3～3微米之間。

結合上述第一方面的第八種可能的實現(xiàn)方式，在第九種可能的實現(xiàn)方式中，所述第二絕緣層的厚度介于10～25微米之間。

結合上述第一方面、第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第三種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第四種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第五種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第六種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第七種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第八種可能的實現(xiàn)方式、第一方面的第九種可能的實現(xiàn)方式，在第十種可能的實現(xiàn)方式中，所述第二絕緣層為高分子類涂層。

結合上述第一方面的第十種可能的實現(xiàn)方式，在第十一種可能的實現(xiàn)方式中，所述第二絕緣層的材質(zhì)包括以下材質(zhì)中的至少一種：

聚四氟乙烯涂層、油漆涂層以及油墨涂層。

第二方面，提供了一種卡托的制備方法，該方法包括以下步驟：

在卡托基體上形成第一絕緣層；

在形成的第一絕緣層上形成第二絕緣層，且形成的第一絕緣層的硬度高于第二絕緣層。

結合上述第二方面，在第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述在卡托基體上形成第一絕緣層具體包括：

在所述卡托基體上形成金屬打底層；

在所述金屬打底層上形成中間層；

在所述中間層上形成絕緣涂層；其中，所述中間層為金屬及其化合物的混合層；所述絕緣涂層為金屬及其化合物、類金剛石材料的混合層。

結合上述第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述中間層中的金屬的含量隨著中間層厚度的增加逐漸降低，所述中間層中金屬化合物的含量隨著中間層厚度的增加含量逐漸增加。

結合上述第二方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述絕緣涂層中的金屬及其化合物的含量隨著絕緣涂層的厚度的增加逐漸減低，所述絕緣涂層中的類金剛石膜的含量隨著絕緣涂層的厚度的增加逐漸增加。

結合上述第一方面、第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式、第二方面的第二種可能的實現(xiàn)方式、第二方面的第三種可能的實現(xiàn)方式，在第四種可能的實現(xiàn)方式中，還包括在卡托基體上形成第一絕緣層之前對卡托基體進行真空狀態(tài)下的離子清洗。

結合上述第二方面的第四種可能的實現(xiàn)方式，在第五種可能的實現(xiàn)方式中，還包括在形成的第一絕緣層上形成第二絕緣層后，對第二絕緣層進行高溫烘烤。

結合上述第二方面的第四種可能的實現(xiàn)方式，在第六種可能的實現(xiàn)方式 中，所述形成的第一絕緣層的厚度介于0.3～7微米之間，形成的第二絕緣層的厚度介于3～100微米之間。

第三方面，提供了一種移動終端，該移動終端包括移動終端本體，設置在所述移動終端本體內(nèi)的卡托，卡裝在所述卡托內(nèi)的卡，其中，所述卡托為上述任一項所述的卡托。

根據(jù)第一方面提供的卡托，第二方面提供的卡托的制備方法，第三方面提供的移動終端。通過在卡托基體上設置了兩層絕緣涂層保護卡托基體，并且在設置時第一絕緣層的硬度高于第二絕緣層，在卡上的毛刺或尖銳部分在刺穿第二絕緣層時，可以通過第一絕緣層阻擋毛刺或尖銳部分，避免毛刺將卡托基體上的絕緣涂層劃破。有效地提高了卡托的絕緣性能，進而提高了移動終端識別卡的效果，有效減少了由于卡托的絕緣涂層被劃破，卡托導電，從而使得移動終端不能識別卡的情況。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的卡托的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的卡托中的第一絕緣層的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的卡托的制備方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的移動終端的結構示意圖。

附圖標記：

10-卡托 11-卡托基體 12-第一絕緣層

121-金屬打底層 122-中間層 123-絕緣涂層

13-第二絕緣層 20-移動終端本體 30-卡

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明的具體實施例進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

如圖1所示，圖1示出了本發(fā)明實施例提供的卡托的結構示意圖。

本發(fā)明實施例提供了一種卡托10，該卡托10包括卡托基體11，設置在卡托基體11上的第一絕緣層12，覆蓋在第一絕緣層12的第二絕緣層13，且第一絕緣層12的硬度高于第二絕緣層13。

在上述實施例中，通過在卡托基體11上設置了兩層絕緣涂層123保護卡托基體11，并且在設置時第一絕緣層12的硬度高于第二絕緣層13，在卡上的毛刺或尖銳部分在刺穿第二絕緣層13時，第二絕緣層13可以犧牲自身涂層消耗卡上的一部分毛刺和尖銳角部分，而剩余的毛刺和尖銳角部分將會大幅減少，這些剩余的毛刺或尖角在繼續(xù)刺穿第一絕緣層12時，可以最大限度地保持第一絕緣層12的絕緣涂層完整性，避免第一絕緣層12被破壞而使卡托10導電，避免使移動終端不能識別卡的情況。

為了方便對本發(fā)明實施例的理解，下面結合附圖以及具體的實施例對比本發(fā)明實施例提供的卡托10的結構進行詳細的描述。

首先本實施例提供的卡托10為卡托10為任何裝SIM卡的托盤，裝SD卡的托盤，或其它為信號傳輸、號碼識別、存儲等方面的卡所需要的托盤，如智能手機，智能手表，智能手環(huán)，平板電腦，或者其它形式的可穿戴式設備等。

其中，針對本實施例提供的卡托10的卡托基體11，可以采用不同的材料制作，如卡托基體11的材質(zhì)包括以下材質(zhì)中的至少一種：金屬材料、金屬合金材料、金屬基復合材料以及無機非金屬。具體的，卡托10為不銹鋼基材，還可以是其它鋼鐵類材料和鋁合金、鎂合金、鈦合金、非晶合金、鋅合金、銅合金、金屬基復合材料等；也可以為陶瓷或其它無機非金屬基材如陶瓷、玻璃、藍寶石、微晶玻璃、尖晶石等；可以根據(jù)不同的需要選擇不同的材料進行制備。

在具體制備時，形成在卡托基體11的第一絕緣層12及第二絕緣層13位于卡托基體11上放置卡的位置區(qū)域。即在卡托10上容納卡的卡槽的側(cè)壁上形成第一絕緣層12及第二絕緣層13，從而避免卡與卡托10接觸時，劃破卡托10上的絕緣層的情況的出現(xiàn)，進而改善了卡將卡托10劃破，從而導致卡托10 導電，移動終端無法識別卡信息的狀況。為了實現(xiàn)上述述效果，本實施例提供的絕緣層需要具備一定的厚度。具體的，第一絕緣層12的厚度介于0.3～7微米之間，第二絕緣層13的厚度介于3～100微米之間。其中，第一絕緣層12的厚度可以采用0.3微米、1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米等任意介于0.3～7微米之間的厚度。第二絕緣層13的厚度可以采用3微米、10微米、20微米、30微米、40微米、50微米、60微米、70微米、80微米、90微米、100微米等任意介于3～100微米之間的厚度，作為一種優(yōu)選的方案，較佳的，第一絕緣層12的厚度介于0.3～3微米之間，第二絕緣層13的厚度介于10～25微米之間，如：第一絕緣層12的厚度為0.3微米、0.5微米、1微米、1.5微米、2微米、2.5微米、3微米等任意介于0.3～3微米之間的厚度，第二絕緣層13的厚度為10微米、15微米、20微米、25微米等任意介于10～25微米之間的厚度。

此外，在制備卡托基體11上的絕緣層時，第一絕緣層12的硬度高于第二絕緣層13。如第一絕緣層12的鉛筆硬度一般在遠大于9H左右，而第二絕緣層13的鉛筆硬度為3H左右從而使得第一絕緣層12可以有效的阻止卡將卡托10劃傷。

如圖2所示，圖2示出了卡托10結構中的第一絕緣層12的結構。在具體制備時，第一絕緣層12為包含類金剛石材料的絕緣涂層123。如：DLC(類金剛石Diamond-like Carbon)膜層，具有較高的硬度，DLC材料保證第一絕緣層12的硬度遠遠高于第二絕緣層13。其中，該第一絕緣層12包含至少有三層。即第一絕緣層12包括：設置在卡托基體11上的金屬打底層121；設置在金屬打底層121上的中間層122；以及設置在中間層122上的絕緣涂層123，其中，中間層122為金屬及其化合物的混合層；絕緣涂層123為金屬及其化合物、類金剛石材料的混合層。

在制作中間層122時，金屬及其化合物的混合層中的金屬化合物可以為：金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬硫化物、金屬硼化物涂層、金屬 氮氧化合物、金屬碳氮化合物或金屬碳氧氮化合物。其中純金屬以及化合物的兩者可不限制比例可調(diào)，化合物重量百分占比可從0％～100％，可調(diào)從0％開始，純金屬重量百比占比可以從100％～0％可調(diào)，從100％開始；具體的，即中間層122從朝向金屬打底層121的一側(cè)開始，朝向遠離金屬打底層121的方向，純金屬的含量逐漸降低，金屬化合物的含量逐漸增高。兩者成一個對應的遞變變化。即中間層122朝向金屬打底層121的一側(cè)為純金屬，朝向絕緣涂層123的一側(cè)為純金屬化合物。

在制作絕緣涂層123時，絕緣涂層123可以采用中間層122的材料與DLC的混合涂層(即金屬及其化合物、DLC材料)，或者只采用第二金屬層的金屬化合物與DLC材料混合的涂層。并且DLC與混合涂層的可不限制比例可調(diào)，DLC重量百分占比可以從0％～100％可調(diào)，從0％開始，可直至100％；金屬化合物重量百分比例可從100％～0％可調(diào)，從100％開始，可直至0％。即絕緣涂層123中金屬及其化合物的含量越靠近中間層122的位置含量越多；類金剛石材料含量越遠離中間層122的位置含量越多。并且形成的絕緣涂層123中，絕緣涂層123朝向中間層122的一側(cè)為純金屬化合物層，背離中間層122的一面為純DLC膜。

本實施例提供第一絕緣層12采用DLC膜，雖然DLC不易劃傷，但SIM卡的尖角和毛刺在人手的壓力下可以刺傷DLC薄膜；因此，本實施例提供的卡托10在第一絕緣層12上增加了一層第二絕緣層13。第二絕緣層13為高分子類涂層，具體的，第二絕緣層13的材質(zhì)包括以下材質(zhì)中的至少一種：聚四氟乙烯涂層、油漆涂層以及油墨涂層。此外，還可以是任何高分子類涂層或者高分子與其它無機物質(zhì)摻雜的涂層；也可以是上述涂層的復合疊加涂層。并且在采用混合層時，各成分的比例不受限制，可以采用任意比例的混合。在這些涂層處理后，需進行高溫處理，一般聚四氟乙烯的高溫處理溫度為160～320℃，時間為15～60min；普通油墨或油漆的處理溫度為50～200℃，時間為15～120min；以上涂層可以復合疊加，且每次噴涂后都要進行相應的烘烤處理。如 單噴單烤，噴一次烤一次；或雙噴雙烤，噴一次烤一次，再噴一次再烤一次；或者是更多層的疊加。

通過上述描述可以看出，本實施例提供的卡托10通過采用兩層不同硬度的絕緣層可以有效地避免卡托10上的尖銳或毛刺劃破卡托10上的絕緣層，提高了卡托10的絕緣性能，避免了卡將卡托10劃破，移動終端無法識別卡信息的情況的出現(xiàn)。

本發(fā)明實施例還提供了一種卡托10的制備方法，該方法包括：

在卡托基體上形成第一絕緣層；

在形成的第一絕緣層上形成第二絕緣層，且形成的第一絕緣層的硬度高于第二絕緣層。

在上述實施例中，通過在卡托10上形成兩層不同硬度的絕緣層，有效地避免卡托10上的尖銳或毛刺劃破卡托10上的絕緣層，從而提高了卡托10的絕緣性能，避免了卡將卡托10劃破，移動終端無法識別卡信息的情況的出現(xiàn)。

為了方便對本發(fā)明實施例提供的卡托10的制備方法的理解，下面結合具體的實施例對其進行詳細的說明。

如圖3所示，圖3示出了本發(fā)明實施例提供的卡托的制備方法的流程圖。該卡托為上述具體實施例所述的卡托，其具體制備方法包括：

001、制備卡托基體。

具體的，卡托可以采用不同的材料制作，如卡托基體為金屬材料、金屬合金材料、金屬基復合材料或無機非金屬材料制作的卡托基體。具體的，卡托為不銹鋼基材，還可以是其它鋼鐵類材料和鋁合金、鎂合金、鈦合金、非晶合金、鋅合金、銅合金、金屬基復合材料等；也可以為陶瓷或其它無機非金屬基材如陶瓷、玻璃、藍寶石、微晶玻璃、尖晶石等；并且在制備時，可以根據(jù)卡托采用的材料的不同選擇不同的制備方法，如：金屬注射成形工藝、真空壓鑄、普通壓鑄等不同的工藝形成，上述工藝為現(xiàn)有技術中比較成熟的工藝，在此不再詳細描述。

步驟002、對卡托基體進行真空狀態(tài)下的離子清洗。

具體的，對卡托基體表面進行除油、除脂、超聲波純水清洗、然后烘干，裝載在相關制具上進入PVD爐腔；并按照設定的真空度條件及負偏壓條件進行離子清洗。

步驟003、在卡托基體上形成金屬打底層。

具體的，該金屬打底層為與卡托基體能夠結合的金屬材料制備的，該金屬打底層的金屬應當能夠很好的附著到卡托基體上。其在具體制備時，可以采用電鍍、PVD、CVD等工藝，上述工藝為現(xiàn)有技術中比較成熟的工藝，在此不再詳細描述。

步驟004、在金屬打底層上形成中間層。

具體的，中間層包含金屬及其化合物。其中，金屬及其化合物的混合中的金屬化合物可以為：金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬硫化物、金屬硼化物涂層、金屬氮氧化合物、金屬碳氮化合物或金屬碳氧氮化合物。其中純金屬以及化合物的兩者可不限制比例可調(diào)，化合物重量百分占比可從0％～100％，可調(diào)從0％開始，純金屬重量百比占比可以從100％～0％可調(diào)，從100％開始；具體的，即中間層中的金屬的含量隨著中間層厚度的增加逐漸降低，中間層中金屬化合物的含量隨著中間層厚度的增加含量逐漸增加。金屬及其化合物成一個對應的遞變變化。即中間層朝向金屬打底層的一側(cè)為純金屬，朝向絕緣涂層的一側(cè)為純金屬化合物。其在具體制備時，可以采用電鍍、PVD、CVD等工藝，上述工藝為現(xiàn)有技術中比較成熟的工藝，在此不再詳細描述。

步驟005、在中間層上形成絕緣涂層。

具體的，絕緣涂層可以采用中間層的材料與DLC的混合涂層(即金屬及其化合物、DLC材料)，或者只采用第二金屬層的金屬化合物與DLC材料混合的涂層。并且DLC與混合涂層的可不限制比例可調(diào)，DLC重量百分占比可以從0％～100％可調(diào)，從0％開始，可直至100％；金屬化合物重量百分比例可從100％～0％可調(diào)，從100％開始，可直至0％。即絕緣涂層中的金屬及其化合物 的含量隨著絕緣涂層的厚度的增加逐漸減低，絕緣涂層中的類金剛石膜的含量隨著絕緣涂層的厚度的增加逐漸增加。并且形成的絕緣涂層中，絕緣涂層朝向中間層的一側(cè)為純金屬化合物層，背離中間層的一面為純DLC膜。其在具體制備時，可以采用電鍍、PVD、CVD等工藝，上述工藝為現(xiàn)有技術中比較成熟的工藝，在此不再詳細描述。形成的金屬打底層、中間層及絕緣涂層組成第一絕緣層，且形成的第一絕緣層的厚度介于0.3～7微米之間。

步驟006、在絕緣涂層上形成第二絕緣層。

具體的，形成的第二絕緣層的厚度介于3～100微米之間。在具體制備時，第二絕緣層為高分子類涂層。如：第二絕緣層為聚四氟乙烯涂層、油漆涂層或者油墨涂層，還可以是任何高分子類涂層或者高分子與其它無機物質(zhì)摻雜的涂層；也可以是上述涂層的復合疊加涂層。并且在采用混合層時，各成分的比例不受限制，可以采用任意比例的混合。在具體制備時，第二絕緣層的制備方法不限，可以實現(xiàn)的，可以使用噴涂的任何方式。

步驟007、對第二絕緣層進行高溫烘烤。

具體的，在第二絕緣層采用步驟006中描述的方式制備時，在這些涂層處理后，需進行高溫處理，一般聚四氟乙烯的高溫處理溫度為160～320℃，時間為15～60min；普通油墨或油漆的處理溫度為50～200℃，時間為15～120min；以上涂層可以復合疊加，且每次噴涂后都要進行相應的烘烤處理。如單噴單烤，噴一次烤一次；或雙噴雙烤，噴一次烤一次，再噴一次再烤一次；或者是更多層的疊加。

為了更進一步的對本發(fā)明實施例提供的卡托的制備方法的理解，下面以具體的卡托為例進行說明。

實施例1

本實施例以Nano SIM卡卡托為例進行說明，其中，卡托基體的材料為17-4不銹鋼，其具體制備方法為：

步驟一：通過金屬注射成形工藝形成卡托基體；

步驟二、在形成的卡托基體的指定區(qū)域內(nèi)制備DLC薄膜；

其具體步驟為：

A)對不銹鋼卡托基體表面進行除油、除脂、超聲波純水清洗、然后烘干，裝載在相關制具上進入PVD爐腔；

B)本實施例為磁控濺射靶源，對PVD爐腔進行抽真空，真空度優(yōu)于6.5×10-3Pa；然后通入氬氣，使真空度維持在0.1～1Pa之間，開啟負偏壓800V，對不銹鋼基材進行離子清洗；

C)開啟氮氣、開啟磁控濺射鈦靶、先后沉積與不銹鋼基體結合的純Ti層(金屬打底層)、然后通過調(diào)節(jié)鈦靶功率和氣體流量，制備TiN和Ti混合層(中間層)；然后開啟石墨靶，送乙炔氣體，逐漸減小氮氣送氣量和逐漸減小鈦靶功率直至為0，制得TiN與TiC與DLC的混合層；然后只剩下石墨靶和乙炔、氬氣，進行純DLC膜層制備；PVD膜層總厚度為2.8微米；

D)在DLC薄膜上噴涂聚四氟乙烯涂層，在第一次噴涂后，以260℃高溫烘烤20分鐘，在第二次噴涂后，以260℃高溫烘烤20分鐘；總厚度為25微米；

通過測試，用萬用表測試DLC表面電阻大于20MΩ(2000萬歐)，在噴涂聚四氟乙烯后表面電阻可達到2000萬歐以上；將micro SIM卡剪卡為Nano SIM卡后，將Nano SIM卡放進卡槽進行手機真機插拔實驗，反復循環(huán)，在實驗60次后，手機依然可識別SIM卡，信號良好。

實施例2

本實施例以Nano SIM卡卡托為例進行說明，其中，卡托基體為非晶合金材料制作的卡托基體。其具體的制備方法為：

A)通過真空壓鑄的方法形成卡托基體；

B)在卡托基體的指定區(qū)域內(nèi)制備DLC薄膜；

具體制備方法為：

步驟一：對卡托基體表面進行除油、除脂、超聲波純水清洗、然后烘干，裝載在相關制具上進入PVD爐腔；

步驟二：本實施例為磁控濺射靶源，對PVD爐腔進行抽真空，真空度優(yōu)于6×10-3Pa；然后通入氬氣，使真空度維持在0.1～0.8Pa之間，開啟負偏壓700V，對基材進行離子清洗；

步驟三：開啟乙炔氣體、開啟磁控濺射鉻靶、先后沉積與基材結合的純鉻層；然后通過調(diào)節(jié)鉻靶功率和氣體流量，制備CrC和Cr混合層；然后開啟石墨靶，逐漸減小鉻靶功率直至為0，制得CrC與DLC的混合層；然后只剩下石墨靶和乙炔、氬氣，進行純DLC膜層制備；PVD膜層總厚度為2.6微米；

步驟四：在DLC薄膜上噴涂聚四氟乙烯涂層，厚度為22微米；在第一次噴涂后，以160℃高溫烘烤30分鐘，在第二次噴涂后，以160℃高溫烘烤30分鐘。

通過測試，用萬用表測試DLC表面電阻大于2MΩ(200萬歐)，在噴涂聚四氟乙烯后表面電阻可達到2000萬歐以上；將micro SIM卡剪卡為Nano SIM卡后，將Nano SIM卡放進卡槽進行手機真機插拔實驗，反復循環(huán)，在實驗46次后，手機依然可識別SIM卡，信號良好。

實施例3

本實施例以Nano SIM卡卡托為例進行說明，其中，卡托基體為鋅合金材料制作的卡托基體。其具體制備方法為：

A)通過普通壓鑄的方法制得卡托基體；

B)在卡托基體上的指定區(qū)域內(nèi)制備DLC薄膜；

其具體制備方法為：

步驟一：對卡托基體表面進行除油、除脂、超聲波純水清洗、然后烘干，裝載在相關制具上進入PVD爐腔；

步驟二：本實施例為磁控濺射靶源，對PVD爐腔進行抽真空，真空度優(yōu)于5×10-3Pa；然后通入氬氣，使真空度維持在0.3～0.8Pa之間，開啟負偏壓500V，對基材進行離子清洗；

步驟三：開啟乙炔氣體、開啟磁控濺射鎢靶、先后沉積與基材結合的純鎢 層、然后通過調(diào)節(jié)鎢靶功率和氣體流量，制備WC和W混合層；然后開啟石墨靶，逐漸減小W靶功率直至為0，制得WC與DLC的混合層；然后只剩下石墨靶和乙炔、氬氣，進行純DLC膜層制備；PVD膜層總厚度為2.9微米；

步驟四：在DLC薄膜上噴涂聚四氟乙烯涂層，厚度為20微米；在噴涂后，以320℃高溫烘烤30分鐘。

通過測試，用萬用表測試DLC表面電阻大于2MΩ(200萬歐)，在噴涂聚四氟乙烯后表面電阻可達到2000萬歐以上；將Micro SIM卡剪卡為Nano SIM卡后，將Nano SIM卡放進卡槽進行手機真機插拔實驗，反復循環(huán)，在實驗52次后，手機依然可識別SIM卡，信號良好。

實施例4

本實施例以Macro SIM卡卡托為了進行說明，其中，卡托基體為316不銹鋼材料制作的卡托基體。其具體制備方法為：

A)通過金屬注射成形卡托基體；

B)在卡托基體的指定區(qū)域內(nèi)制備DLC薄膜；

其具體步驟為：

步驟一：對卡托基體表面進行除油、除脂、超聲波純水清洗、然后烘干，裝載在相關制具上進入PVD爐腔；

步驟二：本實施例為電弧離子鍍靶源，對PVD爐腔進行抽真空，真空度優(yōu)于6.5×10-3Pa；然后通入氬氣，使真空度維持在0.4～0.9Pa之間，開啟負偏壓800V，對基材進行離子清洗；

步驟三：開啟氧氣氣體、開啟鋁靶、先后沉積與基材結合的純鋁層；然后通過調(diào)節(jié)鋁靶功率和氣體流量，制備氧化鋁和鋁混合層；然后開啟石墨靶，逐漸減小鋁靶功率直至為0，減少氧氣流量直至為0，制得氧化鋁與DLC的混合層；然后只剩下石墨靶和乙炔、氬氣，進行純DLC膜層制備；PVD膜層總厚度為2.5微米；

步驟四：在DLC薄膜上噴涂普通油漆涂層，厚度為15微米；在噴涂后， 以80℃高溫烘烤40分鐘。

通過測試，用萬用表測試DLC表面電阻大于2MΩ(200萬歐)，在噴涂聚四氟乙烯后表面電阻可達到2000萬歐以上；將Micro SIM卡剪卡為Nano SIM卡后，將Nano SIM卡放進卡槽進行手機真機插拔實驗，反復循環(huán)，在實驗45次后，手機依然可識別SIM卡，信號良好。

實施例5

本實施例以Nano SIM卡卡托為例進行說明。其中，卡托基體為非晶合金制作的卡托基體。其具體的制備方法為：

A)通過真空壓鑄的方法制得卡托基體；

B)在卡托基體的指定區(qū)域內(nèi)制備DLC薄膜；

其具體步驟為：

步驟一：對卡托基體表面進行除油、除脂、超聲波純水清洗、然后烘干，裝載在相關制具上進入PVD爐腔；

步驟二：本實施例為電弧離子鍍靶源，對PVD爐腔進行抽真空，真空度優(yōu)于6.5×10-3Pa；然后通入氬氣，使真空度維持在0.4～0.9Pa之間，開啟負偏壓800V，對基材進行離子清洗；

步驟三：開啟氮氣氣體、開啟鈦靶、先后沉積與基材結合的純鈦層；然后通過調(diào)節(jié)鋁靶功率和氣體流量，制備TiN和Ti混合層；然后開啟石墨靶，逐漸減小鈦靶功率直至為0，減少氮氣流量直至為0，制得氮化鈦與DLC的混合層；然后只剩下石墨靶和乙炔、氬氣，進行純DLC膜層制備；PVD膜層總厚度為3微米；

步驟四：在DLC薄膜上進行普通油墨印刷，厚度為26微米；在印刷后，以80℃高溫烘烤40分鐘。

通過測試，用萬用表測試DLC表面電阻大于20MΩ(200萬歐)，在噴涂聚四氟乙烯后表面電阻可達到2000萬歐以上；將Micro SIM卡剪卡為Nano SIM卡后，將Nano SIM卡放進卡槽進行手機真機插拔實驗，反復循環(huán)，在實驗50 次后，手機依然可識別SIM卡，信號良好。

實施例6

本實施例以Nano SIM卡的卡托為例進行說明，其中，卡托基體的材料為17-4不銹鋼，其具體制備方法為：

步驟一：通過金屬注射成形工藝形成卡托基體；

步驟二、在形成的卡托基體的指定區(qū)域內(nèi)制備DLC薄膜；

其具體步驟為：

A)對不銹鋼卡托基體表面進行除油、除脂、超聲波純水清洗、然后烘干，裝載在相關制具上進入PVD爐腔；

B)本實施例為磁控濺射靶源，對PVD爐腔進行抽真空，真空度優(yōu)于6.5×10-3Pa；然后通入氬氣，使真空度維持在0.1～1Pa之間，開啟負偏壓600V，對不銹鋼基材進行離子清洗；

C)開啟磁控濺射Ti靶、先后沉積與不銹鋼基體結合的純Ti層(金屬打底層)、然后通過調(diào)節(jié)碳化鎢靶功率和氣體流量，制備WC和Ti混合層(中間層)；然后開啟石墨靶，逐漸減小氮氣送氣量和逐漸減小鈦靶功率直至為0，送乙炔氣體并不斷加大流量，得到WC與DLC的混合層；PVD膜層總厚度為3.2微米；

D)在DLC薄膜上噴涂聚四氟乙烯涂層，在第一次噴涂后，以160℃高溫烘烤30分鐘，在第二次噴涂后，以160℃高溫烘烤30分鐘；總厚度為28微米；

通過測試，用萬用表測試DLC表面電阻大于2MΩ(200萬歐)，在噴涂聚四氟乙烯后表面電阻可達到200萬歐以上；將micro SIM卡剪卡為Nano SIM卡后，將Nano SIM卡放進卡槽進行手機真機插拔實驗，反復循環(huán)，在實驗60次后，手機依然可識別SIM卡，信號良好。

如圖4所示，圖4示出了本發(fā)明實施例提供的移動終端的結構示意圖，

本發(fā)明實施例還提供了一種移動終端，該移動終端包括移動終端本體20，設置在移動終端本體20內(nèi)的卡托10，卡裝在所述卡托10內(nèi)的卡30，其中， 該卡托10為上述任一項所述的卡托10。

在上述實施例中，通過在卡托基體上設置了兩層絕緣涂層保護卡托基體，并且在設置時第一絕緣層的硬度高于第二絕緣層，在卡上的毛刺或尖銳部分在刺穿第二絕緣層時，可以通過第一絕緣層阻擋毛刺或尖銳部分，避免毛刺將卡托基體上的絕緣涂層劃破。有效地提高了卡托10的絕緣性能，進而提高了移動終端識別卡的效果。有效減少了由于卡托10的絕緣涂層被劃破，卡托10導電，從而使得移動終端不能識別卡的情況。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。