1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括襯底、位于襯底表面的鰭部、位于襯底表面且覆蓋鰭部部分側(cè)壁表面的隔離層，所述隔離層頂部低于鰭部頂部，所述基底表面形成有層間介質(zhì)層，且所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成有凹槽，所述凹槽底部表面形成有柵介質(zhì)層以及位于柵介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)層，其中，所述凹槽包括沿鰭部延伸方向依次排列的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；
在所述凹槽的第一區(qū)域和第三區(qū)域形成非晶硅層，所述非晶硅層暴露出第二區(qū)域的第一功函數(shù)層表面；
以所述非晶硅層為掩膜，對所述第二區(qū)域的第一功函數(shù)層進(jìn)行摻雜處理，將所述第二區(qū)域的第一功函數(shù)層轉(zhuǎn)化為第二功函數(shù)層；
去除所述第一區(qū)域的非晶硅層；
對所述第三區(qū)域的非晶硅層進(jìn)行退火處理，將第三區(qū)域的第一功函數(shù)層轉(zhuǎn)化為第三功函數(shù)層；
去除所述第三區(qū)域的非晶硅層；
在所述第二功函數(shù)層表面、第三功函數(shù)層表面以及第一區(qū)域的第一功函數(shù)層表面形成金屬柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)層、第二功函數(shù)層和第三功函數(shù)層分別具有不同的功函數(shù)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述非晶硅層的工藝步驟包括：形成覆蓋于所述凹槽底部和側(cè)壁、以及層間介質(zhì)層表面的非晶硅膜；回刻蝕所述非晶硅膜，刻蝕去除層間介質(zhì)層表面以及第二區(qū)域的非晶硅膜，形成所述非晶硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝進(jìn)行所述回刻蝕，干法刻蝕工藝的工藝參數(shù)為：HBr流量為50sccm至500sccm，NF3流量為0sccm至50sccm，O2流量為0sccm至50sccm，He流量為0sccm至200sccm，Ar流量為0sccm至500sccm，腔室壓強為2毫托至100毫托，提供源功率200瓦至1000瓦，提供偏置功率0瓦至200 瓦。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在沿所述鰭部延伸方向上，所述非晶硅層的寬度尺寸為5納米至20納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)層的材料為氮化鈦。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述摻雜處理的摻雜離子為氮離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述摻雜處理的工藝為離子注入，其中，離子注入工藝中氮離子注入劑量為1E15atom/cm2至1E17atom/cm2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述退火處理采用微波退火工藝，溫度為200℃～500℃，微波頻率為1GHz～10GHz，功率為1kW～10kW，時間為10s～600s。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述退火處理采用快速熱退火工藝，溫度為100℃～1000℃，時間為1s～600s。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述退火處理在NH3、N2O或NO氛圍下進(jìn)行。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質(zhì)層、凹槽、柵介質(zhì)層以及第一功函數(shù)層的步驟包括：在所述基底表面形成橫跨鰭部的柵介質(zhì)層、位于柵介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)層、以及位于第一功函數(shù)層表面的偽柵，所述偽柵覆蓋鰭部的頂部和側(cè)壁；在所述基底表面形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋于偽柵側(cè)壁表面，且所述層間介質(zhì)層頂部與偽柵頂部齊平；去除所述偽柵形成凹槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質(zhì)層、凹槽、柵介質(zhì)層以及第一功函數(shù)層的步驟包括：在所述基底表面形成橫跨鰭部的偽柵，所述偽柵覆蓋鰭部的頂部和側(cè)壁；在所述基底表面形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋于偽柵側(cè)壁表面，且所述層間介 質(zhì)層頂部與偽柵頂部齊平；去除所述偽柵形成凹槽；在所述凹槽底部表面和側(cè)壁表面依次形成柵介質(zhì)層、位于柵介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在去除所述偽柵之前，還包括步驟：在所述偽柵一側(cè)的基底內(nèi)形成源摻雜區(qū)；在所述偽柵另一側(cè)的基底內(nèi)形成漏摻雜區(qū)，其中第一區(qū)域緊鄰源摻雜區(qū)，第三區(qū)域緊鄰漏摻雜區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材料為氧化鉿、氧化鋯、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦或氧化鋁；所述金屬柵極的材料為銅、鋁、鎢、鈦、鉭或金。