技術總結
一種半導體元件及其制造方法，包括：以基底上的形成的光掩膜結構進行第一離子植入工藝，以形成具有第一導電型的第一摻雜區(qū)；形成多個間隙壁，于光掩膜結構的側壁；進行第二離子植入工藝，以于第一摻雜區(qū)的下方形成具有第二導電型的第二摻雜區(qū)；以及于第一摻雜區(qū)中形成具有第一導電型的濃摻雜區(qū)。

技術研發(fā)人員：呂智勛;陳柏安
受保護的技術使用者：新唐科技股份有限公司
文檔號碼：201510277769
技術研發(fā)日：2015.05.27
技術公布日：2016.12.07