1.一種多晶硅電容的制造方法，其特征在于，包括：
在襯底上生長(zhǎng)一層不摻雜的多晶硅層；
在所述多晶硅層的底層注入導(dǎo)電雜質(zhì)，形成多晶硅電容的低阻值的下極板；
在所述多晶硅層的中層注入絕緣雜質(zhì)，形成多晶硅電容的絕緣介質(zhì)層；
在所述多晶硅層的上層注入所述導(dǎo)電雜質(zhì)，形成多晶硅電容的低阻值的上極板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述導(dǎo)電雜質(zhì)為N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)；所述N型雜質(zhì)為磷離子、砷離子或銻離子；所述P型雜質(zhì)為鋁離子或硼離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述絕緣雜質(zhì)為氧離子或氮離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述多晶硅層的上層注入所述導(dǎo)電雜質(zhì)，形成多晶硅電容的低阻值的上極板之后，還包括：
在所述多晶硅層上生長(zhǎng)至少一層摻雜的多晶硅層，所述摻雜的多晶硅層的底層和上層注入有導(dǎo)電雜質(zhì)，所述摻雜的多晶硅層的中層注入有絕緣雜質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法在所述襯底上生長(zhǎng)所述多晶硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為0-100微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，注入所述導(dǎo)電雜質(zhì)或所述絕緣雜質(zhì)時(shí)所需的注入能量為0-5000kev。
8.一種多晶硅電容，其特征在于，包括：
襯底和多晶硅層；
所述多晶硅層設(shè)置在所述襯底上；
所述多晶硅層的底層和上層注入有導(dǎo)電雜質(zhì)，所述多晶硅層的中層注入有絕緣雜質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅電容，其特征在于，
所述導(dǎo)電雜質(zhì)為N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)；所述N型雜質(zhì)為磷離子、砷離子 或銻離子；所述P型雜質(zhì)為鋁離子或硼離子。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅電容，其特征在于，多晶硅層的層數(shù)為至少一層。