1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
基板；
漏極區(qū)及源極區(qū)，形成于該基板；
柵極，形成于該基板上且位于該漏極區(qū)和該源極區(qū)之間；以及
虛擬接觸結(jié)構(gòu)，形成于該基板上，該虛擬接觸結(jié)構(gòu)包括多個(gè)虛擬插塞，其中該些虛擬插塞具有多個(gè)深度，該些深度朝向該漏極區(qū)遞減。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
柵極接觸結(jié)構(gòu)，電連接至該柵極，其中該虛擬接觸結(jié)構(gòu)電連接至該柵極接觸結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
絕緣結(jié)構(gòu)，形成于該基板中，其中該虛擬接觸結(jié)構(gòu)的至少一部分延伸至該絕緣結(jié)構(gòu)中。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
絕緣結(jié)構(gòu)，形成于該基板中，其中該虛擬接觸結(jié)構(gòu)與該絕緣結(jié)構(gòu)彼此分隔開來。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些虛擬插塞中具有最小深度者和該柵極的一邊緣相隔一第一距離，該柵極的該邊緣和該漏極區(qū)的一邊緣相隔一第二距離，且該第一距離相對(duì)于該第二距離的一比例為小于或等于2/3。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些虛擬插塞的數(shù)目為至少3，且該些虛擬插塞的任兩相鄰者以一間距相隔開來，該些間距為相同。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些虛擬插塞的該些深度以一深度差距朝向該漏極區(qū)遞減，該深度差距為0.01～0.2微米。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些虛擬插塞的該些深度以一深度遞減比例朝向該漏極區(qū)遞減，該深度遞減比例為1％～30％，該深度遞減比例為該些虛擬插塞中的相鄰兩者的該些深度的一差值相對(duì)于相鄰兩者的該些深度的較大者的比例。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些虛擬插塞具有多個(gè)寬度，該些寬度朝向該漏極區(qū)遞減。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些虛擬插塞的該些寬度以一寬度差距朝向該漏極區(qū)遞減，該寬度差距為0.01～0.1微米。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些虛擬插塞的該些寬度以一寬度遞減比例朝向該漏極區(qū)遞減，該寬度遞減比例為5％～80％，該寬度遞減比例為該些虛擬插塞中的相鄰兩者的該些寬度的一差值相對(duì)于相鄰兩者的該些寬度的較大者的比例。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極接觸結(jié)構(gòu)的一寬度大于該些虛擬插塞的該些寬度。
13.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：
提供一基板；
形成一漏極區(qū)及一源極區(qū)于該基板中；
形成一柵極于該基板上且位于該漏極區(qū)和該源極區(qū)之間；以及
形成一虛擬接觸結(jié)構(gòu)于該基板上，該虛擬接觸結(jié)構(gòu)包括多個(gè)虛擬插塞，其中該些虛擬插塞具有多個(gè)深度，該些深度朝向該漏極區(qū)遞減。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括：
形成一柵極接觸結(jié)構(gòu)，該柵極接觸結(jié)構(gòu)電連接至該柵極，其中該虛擬接觸結(jié)構(gòu)電連接至該柵極接觸結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括：
形成一絕緣材料于該基板上；以及
形成多個(gè)虛擬插塞孔于該絕緣材料中，其中該些虛擬插塞孔具有多個(gè)寬度，該些虛擬插塞孔的該些寬度朝向該漏極區(qū)遞減。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括：
形成一柵極接觸孔于該絕緣材料中，其中該柵極接觸孔的一寬度大于該些虛擬插塞孔的該些寬度。
17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括：
形成一絕緣結(jié)構(gòu)于該基板中，其中該虛擬接觸結(jié)構(gòu)的至少一部分延伸至該絕緣結(jié)構(gòu)中。
18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括：
形成一絕緣結(jié)構(gòu)于該基板中，其中該虛擬接觸結(jié)構(gòu)與該絕緣結(jié)構(gòu)彼此分隔開來。
19.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些虛擬插塞中 具有最小深度者和該柵極的一邊緣相隔一第一距離，該柵極的該邊緣和該漏極區(qū)的一邊緣相隔一第二距離，且該第一距離相對(duì)于該第二距離的一比例為小于或等于2/3。
20.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些虛擬插塞的該些深度以一深度遞減比例朝向該漏極區(qū)遞減，該深度遞減比例為1％～30％，該深度遞減比例為該些虛擬插塞中的相鄰兩者的該些深度的一差值相對(duì)于相鄰兩者的該些深度的較大者的比例。
21.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些虛擬插塞具有多個(gè)寬度，該些寬度朝向該漏極區(qū)遞減。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些虛擬插塞的該些寬度以一寬度遞減比例朝向該漏極區(qū)遞減，該寬度遞減比例為5％～80％，該寬度遞減比例為該些虛擬插塞中的相鄰兩者的該些寬度的一差值相對(duì)于相鄰兩者的該些寬度的較大者的比例。