1.一種N型鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有鰭部；
形成橫跨所述鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述鰭部包括被所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的第一側(cè)壁和與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁；
對所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部的第一側(cè)壁進(jìn)行第一離子注入；
對所述第一離子注入后的鰭部進(jìn)行第一退火處理；
所述第一退火處理后，對所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部的第二側(cè)壁進(jìn)行第二離子注入；
對所述第二離子注入后的鰭部進(jìn)行第二退火處理；
所述第二退火處理后，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部分別形成源極和漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入和所述第二離子注入的方向分別與垂直于所述半導(dǎo)體襯底的法線具有夾角，所述夾角為大于0度且小于等于30度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入和所述第二離子注入為LDD離子注入。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入類型為砷離子或磷離子，所述第二離子注入類型為砷離子或磷離子。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入或所述第二離子注入的類型為砷離子時，注入能量為大于等于200eV且小于等于5keV。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入或所述第二離子注入的類型為磷離子時，注入能量為大于等于100eV且小于等于5keV。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入和所述第二離子注入的注入劑量和為大于等于1E13atom/cm2且小于等于2E15atom/cm2。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二退火處理后，去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部頂部。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述鰭部頂部大于等于所述鰭部 的六分之一且小于等于所述鰭部的三分之一。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)形成后，所述第一離子注入步驟前，在所述鰭部的頂部和側(cè)壁形成第一側(cè)墻材料層；
所述第二退火處理步驟后，去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部頂部的步驟之前，在所述第一側(cè)墻材料層上形成第二側(cè)墻材料層；
對所述第一側(cè)墻材料層和所述第二側(cè)墻材料層回刻，在所述鰭部周圍形成鰭部側(cè)墻；
去除所述鰭部側(cè)墻的頂部。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，剩余鰭部的高度大于剩余鰭部側(cè)墻的高度。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部頂部，在剩余的鰭部上分別形成第一半導(dǎo)體材料層和位于第一半導(dǎo)體材料層之上的第二半導(dǎo)體材料層，所述第二半導(dǎo)體材料層摻雜有勢壘降低離子。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體材料層為碳化硅層或硅層，所述第二半導(dǎo)體材料層為硅帽層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述勢壘降低離子包括硫離子、硒離子、砷離子、銻離子和鍺離子中的至少一種。