技術(shù)總結(jié)
一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底內(nèi)形成開口；在所述開口內(nèi)形成應(yīng)力層；在所述襯底和應(yīng)力層表面形成初始覆蓋層，所述初始覆蓋層的材料為非晶態(tài)半導體材料；采用晶態(tài)工藝使位于應(yīng)力層表面的部分初始覆蓋層轉(zhuǎn)變?yōu)楦采w層，所述覆蓋層的材料為晶態(tài)半導體材料；在所述晶態(tài)工藝之后，去除未轉(zhuǎn)變?yōu)楦采w層的初始覆蓋層。所形成的半導體結(jié)構(gòu)形貌良好、性能穩(wěn)定。

技術(shù)研發(fā)人員：禹國賓
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510189778
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.20
技術(shù)公布日：2016.11.23