1.一種穩(wěn)壓二極管，包括：第一導(dǎo)電類型的襯底，形成于所述襯底表層的第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，在所述襯底上依次形成的第一氧化層、第二氧化層，以及形成于所述第一摻雜區(qū)中有源區(qū)的第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，其特征在于：
所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)構(gòu)成PN結(jié)；
所述第二摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)之間的距離小于所述PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿時的耗盡層寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型和所述第二導(dǎo)電類型為N型或P型，且所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于，所述第一氧化層位于所述第一摻雜區(qū)的場區(qū)表面，所述第一氧化層的厚度為2000埃至20000埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于，所述第二氧化層位于所述第一摻雜區(qū)的有源區(qū)表面，所述第二氧化層的厚度為50埃至1000埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)為輕摻雜區(qū)，摻雜濃度為1E12至5E13原子/平方厘米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)為重?fù)诫s區(qū)，摻雜濃度為5E14至1E16原子/平方厘米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)為重?fù)诫s區(qū)，摻雜濃度為5E14至1E16原子/平方厘米。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于，所述N型的摻雜元素為磷、砷或者銻；所述P型的摻雜元素為硼。
9.一種穩(wěn)壓二極管的制作方法，包括：
在第一導(dǎo)電類型的襯底的表層之中形成第二導(dǎo)電類型的第一摻雜 區(qū)；
在所述第一摻雜區(qū)的預(yù)設(shè)場區(qū)表面形成第一氧化層；
在所述第一摻雜區(qū)的預(yù)設(shè)有源區(qū)表面形成第二氧化層；
在所述第一摻雜區(qū)的預(yù)設(shè)有源區(qū)形成第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，其特征在于：
所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)構(gòu)成PN結(jié)；
所述第二摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)之間的距離小于所述PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿時的耗盡層寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型和所述第二導(dǎo)電類型為N型或P型，且所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反。