1.一種防止半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生空洞的方法，包括下列步驟：
在半導(dǎo)體襯底上淀積并刻蝕摻雜多晶硅，作為多晶硅柵；
在所述多晶硅柵上表面形成金屬硅化物層；
淀積并刻蝕多晶硅，在所述金屬硅化物層上表面形成多晶硅保護(hù)帽；
對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入；
在氧氣氣氛下對注入的離子進(jìn)行熱退火。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生空洞的方法，其特征在于，所述金屬硅化物為硅化鎢。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生空洞的方法，其特征在于，所述熱退火的溫度在800攝氏度以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生空洞的方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體襯底上淀積并刻蝕摻雜多晶硅，作為多晶硅柵的步驟中，刻蝕的方式為濕法腐蝕。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生空洞的方法，其特征在于，所述淀積并刻蝕多晶硅，在所述金屬硅化物層上表面形成多晶硅保護(hù)帽的步驟中，所述多晶硅是摻雜多晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生空洞的方法，其特征在于，對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入的步驟，是進(jìn)行輕摻雜漏極的N型離子注入。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的防止半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生空洞的方法，其特征在于，所述淀積并刻蝕多晶硅，在所述金屬硅化物層上表面形成多晶硅保護(hù)帽的步驟，在形成多晶硅保護(hù)帽的同時(shí)形成PIP電容器的下極板。
8.一種半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)于半導(dǎo)體襯底上，包括位于所述半導(dǎo)體襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層上的多晶硅柵，以及所述多晶硅柵上的金屬硅化物層，所述多晶硅柵的材質(zhì)為摻雜多晶硅，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)還包括形成于所述金屬硅化物層上表面的多晶硅保護(hù)帽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅保護(hù)帽的材質(zhì)為摻雜多晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬硅化物為硅化鎢。