本發(fā)明涉及電子學(xué)領(lǐng)域，特別是微電子學(xué)領(lǐng)域的連接。

特別地，本發(fā)明的一個(gè)主題涉及制造用于電子元件的導(dǎo)電構(gòu)件的方法。

背景技術(shù)：

在電子元件的相互連接的范疇內(nèi)，使用插墊來(lái)促進(jìn)與相應(yīng)導(dǎo)電單元的良好電接觸是眾所周知的。

在此方面，文獻(xiàn)FR2967296描述了使用凸形構(gòu)件和凹形構(gòu)件的連接系統(tǒng)。盡管此連接系統(tǒng)有效，若要避免所述構(gòu)件之一的損壞，此連接系統(tǒng)在凸形構(gòu)件與凹形構(gòu)件耦合時(shí)需要高的精度。

文獻(xiàn)FR2928033是另一個(gè)替代，其中通過(guò)有斜面的中空?qǐng)A柱形成插入物，以促進(jìn)其插入第三構(gòu)件而避免封存空氣。針對(duì)文獻(xiàn)FR2967296提到的相同問(wèn)題也存在。

更進(jìn)一步，由于插入物或構(gòu)件的易損性，上述連接系統(tǒng)的制造方法的質(zhì)量難以控制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為制造導(dǎo)電且更耐抗機(jī)械應(yīng)力的構(gòu)件提供簡(jiǎn)單方法。

此目的至少部分地憑借制造用于電子元件的導(dǎo)電構(gòu)件的方法實(shí)現(xiàn)，所述方法包括以下步驟：配備包括至少一個(gè)盲孔的結(jié)構(gòu)，該盲孔具有底部和至少一個(gè)內(nèi)部旁側(cè)面，該旁側(cè)面經(jīng)其基部連接到所述底部；形成構(gòu)件，此形成步驟包括生長(zhǎng)導(dǎo)電材料以便在盲孔中形成構(gòu)件的至 少一部分的步驟，所述生長(zhǎng)在盲孔的旁側(cè)面的基部比在所述旁側(cè)面其它部分快，所述構(gòu)件形成后包含布置在其與盲孔的底部相對(duì)的端部的腔體，所述腔體由邊框全部或部分地界定。

例如，生長(zhǎng)步驟包含電解步驟或化學(xué)沉積步驟。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，配備包括所述的至少一個(gè)盲孔的結(jié)構(gòu)的步驟包括以下步驟：配備襯底；在襯底上形成掩模以使所述掩模與所述襯底界定所述的至少一個(gè)盲孔。

根據(jù)特定實(shí)施例，盲孔底部的全部或部分和/或旁側(cè)面的至少基部由一種易于促進(jìn)所述生長(zhǎng)的材料形成，特別采取層的形式。

例如，盲孔底部至少在中心部分由阻止所述生長(zhǎng)的材料層形成。

更有利地，盲孔底部由易于使構(gòu)件通過(guò)電解生長(zhǎng)的材料形成，且形成構(gòu)件的步驟包括，在生長(zhǎng)步驟以前濺射一些易于使構(gòu)件通過(guò)電解生長(zhǎng)的材料到盲孔旁側(cè)面的至少基部的步驟，在濺射步驟后通過(guò)電解實(shí)施生長(zhǎng)步驟。

濺射步驟可包括應(yīng)用等離子體或?qū)嵤╇x子刻蝕。

更有利地，電解步驟基于鎳或金或銅或錫或這些金屬中至少兩種組成的合金。

優(yōu)選地，形成構(gòu)件的步驟包括，在部分構(gòu)件已生長(zhǎng)后，在所述部分構(gòu)件上形成由一個(gè)或多個(gè)層構(gòu)成的疊層的步驟，以便通過(guò)由疊層的頂部界定所述腔體的形式來(lái)形成所述構(gòu)件的其余部分。

方法可進(jìn)一步包括釋放構(gòu)件的步驟，包括去除結(jié)構(gòu)的全部或部分。

本發(fā)明也涉及包括載體和導(dǎo)電構(gòu)件的電子元件，其中導(dǎo)電構(gòu)件具有第一端部和與第一端部相對(duì)的第二端部，所述第二端部包括腔體，所述構(gòu)件自其第一端部從載體向著與所述載體相反的方向延伸，所述載體具有電子芯片，構(gòu)件形成特別是經(jīng)所述構(gòu)件的第一端部來(lái)電連接到芯片的電連接墊。

構(gòu)件特別配有在第一端部及腔體底部之間延伸的實(shí)體，該實(shí)體的高度至少是構(gòu)件最大整體高度的10％，且有邊框圍住全部或部分腔 體。

依據(jù)元件的一個(gè)實(shí)施例，所述邊框具有帶斜面的形狀。

例如，所述邊框包括至少兩個(gè)相對(duì)且優(yōu)選為大致平行的側(cè)段。

特別地，邊框包括邊緣，該邊緣形成完全包含于一個(gè)平面內(nèi)的環(huán)。

構(gòu)件的第二端部特別與導(dǎo)電元件電接觸。

更有利地，導(dǎo)電元件被全部或部分邊框插入以便保證與所述相應(yīng)構(gòu)件的電接觸。

元件特別包括用于固定導(dǎo)電線單元的槽，且構(gòu)件自其第一端部開(kāi)始從由載體的一部分形成的槽的第一側(cè)壁延伸，所述的構(gòu)件第二端部面向固定槽的第二側(cè)壁。

附圖說(shuō)明

從以下借助于非限定的例子并示出于附圖中的特定實(shí)施例的描述中可以更加清楚本發(fā)明的其它特征和優(yōu)勢(shì)，其中：

-圖1，2A，2B，3，4，5，6A和6B示出了制造構(gòu)件的若干方法的若干步驟；

-圖7至圖9是依據(jù)本發(fā)明的若干實(shí)施例的構(gòu)件的透視圖；

-圖10示出了沿圖7至圖9中的C1的橫截面；

-圖11示出了依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的電子元件的特定實(shí)施例；

-圖12示出了構(gòu)件在電子元件中一種可能的應(yīng)用；

-圖13是帶有用于固定導(dǎo)線單元的槽的電子元件的特定實(shí)施例的透視圖，以及

-圖14是在圖13中元件的固定槽的面內(nèi)沿C2的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

如以下所述的制造用于電子元件的導(dǎo)電構(gòu)件的方法與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別特別在于其允許快速獲得具有更好穩(wěn)定性的構(gòu)件。其結(jié)果是構(gòu) 件更不易損，且在其被施加應(yīng)力、尤其是在插入另一個(gè)構(gòu)件或單元時(shí)，損壞的風(fēng)險(xiǎn)更低。

特別地，這樣的方法可以包括配備結(jié)構(gòu)1000的步驟，其中結(jié)構(gòu)1000包括至少一個(gè)(或更多)盲孔1001(圖1至圖5)。

盲孔1001包括底部1002a和至少一個(gè)內(nèi)部旁側(cè)面1002b，所述至少一個(gè)內(nèi)部旁側(cè)面1002b通過(guò)其基部連接到所述底部1002a。

旁側(cè)面1002b實(shí)際上從底部1002a向盲孔1001的開(kāi)口的方向伸展，所述開(kāi)口位置與所述底部1002a相對(duì)。對(duì)于盲孔1001，旁側(cè)面1002b實(shí)際上可能對(duì)應(yīng)于盲孔的內(nèi)表面，所述表面從盲孔的底部1002a一直延伸到其開(kāi)口。盲孔1001的底部1002a可能由平面或非平面限定。

方法進(jìn)一步包括從所述的至少一個(gè)盲孔1001形成構(gòu)件1(在圖1中以虛線示出)的步驟。實(shí)際上，方法還可允許生成多個(gè)構(gòu)件，且因此當(dāng)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)盲孔1001時(shí)，每個(gè)盲孔1001都允許形成相應(yīng)的構(gòu)件1。當(dāng)配備的結(jié)構(gòu)包括多個(gè)盲孔1001時(shí)，在當(dāng)前描述中應(yīng)用于形成一個(gè)構(gòu)件的每樣事物都可以應(yīng)用于形成多個(gè)構(gòu)件，優(yōu)選為同時(shí)進(jìn)行。

在此方面，形成構(gòu)件的步驟包括生長(zhǎng)導(dǎo)電材料以便在盲孔1001中形成至少一部分構(gòu)件1的步驟，所述生長(zhǎng)過(guò)程在盲孔1001的旁側(cè)面1002b的基部比在所述側(cè)面1002b的其它部分更快。構(gòu)件形成后特別包含布置在所述構(gòu)件與盲孔1001的底部1002a相對(duì)的端部的腔體，所述腔體由邊框全部或部分地界定。

術(shù)語(yǔ)“腔體”應(yīng)優(yōu)選地理解為指位于構(gòu)件外端部的凹陷區(qū)域，此凹陷由邊框全部或部分地界定。

術(shù)語(yǔ)“邊框”應(yīng)理解為指從構(gòu)件相應(yīng)部分突出的部分并界定所述腔體。邊框優(yōu)選為有斜面的。

圖7至圖9示出了具有腔體2的導(dǎo)電構(gòu)件1。在圖7至圖9中，構(gòu)件的實(shí)體3部分地界定腔體的底部4，邊框5由底部4伸出。

依據(jù)特定的實(shí)現(xiàn)方式，生長(zhǎng)步驟包含電解/電沉積步驟或化學(xué)(也稱為“無(wú)電”)沉積步驟。電解步驟可以基于鎳或金或銅或錫或這些金屬中至少兩種的合金或基于CuAgSn。鉛和鉑也可能適用。

在此說(shuō)明中電解可以是電沉積。

作為例子，由金電解可以通過(guò)0.009A/cm²的電流密度實(shí)行。對(duì)于鎳，當(dāng)生成第一層之后，通過(guò)0.007A/cm²的電流密度實(shí)行。

依據(jù)特定實(shí)施例(圖2A至6B)，配備包括所述的至少一個(gè)盲孔1001的結(jié)構(gòu)1000的步驟包括配備襯底1003的步驟和在襯底1003上形成掩模1004，以便所述掩模1004與所述襯底1003界定所述的至少一個(gè)盲孔1001的步驟。

依據(jù)配備結(jié)構(gòu)1000的步驟的第一個(gè)變體，示于圖2A和2B，襯底1003可以包括硅層1003a，其上有由易于使構(gòu)件1生長(zhǎng)的材料(此材料可能是以上使用的電解種料)構(gòu)成的層1003b。掩模1004優(yōu)選包含預(yù)制的孔，沉積/形成在層1003b上以便界定一個(gè)或多個(gè)盲孔1001，其中盲孔1001的優(yōu)選為平面的底部1002a由易于使構(gòu)件1生長(zhǎng)的材料構(gòu)成?？蛇x地，掩模1004通過(guò)正光刻膠的光刻直接形成在襯底1003的層1003b上，例如一層20μm厚的THB820。層1003b的厚度可以在到之間或是幾微米大。

依據(jù)示于圖3至圖5的第二變體，方法最初在硅層1003a上通過(guò)光刻形成(特別是光刻膠的)第一犧牲掩模1005，與硅層1003a形成一個(gè)或多個(gè)中間盲孔。之后刻蝕步驟(圖4)使得每個(gè)中間盲孔延伸至硅層1003a中。接下來(lái)去除第一犧牲掩模1005，并通過(guò)保形沉積來(lái)沉積易于使構(gòu)件1生長(zhǎng)的材料層1003b，以覆蓋形成在硅層1003a中的盲孔(圖5)。最后，形成掩模1004(圖5)以使每個(gè)盲孔1001的底部1002a和其旁側(cè)面1002b的基部由易于使所述構(gòu)件1生長(zhǎng)的材料形成。換言之，材料1003b形成底部1002a并向盲孔1001的開(kāi)口方向延伸。

這樣，大體上，全部或部分優(yōu)選為平面的盲孔底部1002a和/或至少是旁側(cè)面1002b的基部由易于促進(jìn)所述構(gòu)件生長(zhǎng)的材料1003b(特別以層的形式)形成。這特別使得構(gòu)件1的生長(zhǎng)以一種在旁側(cè)面基部比在所述旁側(cè)面其它地方更快的方式進(jìn)行。術(shù)語(yǔ)“促進(jìn)生長(zhǎng)”應(yīng)理解為指生長(zhǎng)更快，如果可能的話僅在存在所述材料1003b之處。應(yīng)從以上敘述中理解到優(yōu)選為盲孔內(nèi)表面至少有一部分，尤其是由旁側(cè)面1002b的一部 分形成的，不是由所述促進(jìn)生長(zhǎng)的材料形成。

在當(dāng)前描述中，易于促進(jìn)生長(zhǎng)的材料從金或銅或銀或鈀中選擇更有利。

一般而言，為了在盲孔中建立易于促進(jìn)生長(zhǎng)的材料的厚度梯度，選擇易于二次濺射的材料(材料厚度在垂直于孔軸線的方向上在盲孔的旁側(cè)面的基部最大)。

依據(jù)特定實(shí)施例，形成構(gòu)件1的步驟優(yōu)選地包括以下相繼的步驟：施加等離子體，優(yōu)選為氧等離子體，或者實(shí)施掠入射的離子刻蝕，以便調(diào)整盲孔1001的特性(尤其是其底部1002a的特性)，以及實(shí)施鎳電解以便在盲孔1001中生長(zhǎng)構(gòu)件。此形成構(gòu)件的步驟優(yōu)選在配備結(jié)構(gòu)1000的步驟的第一變體中的范疇中使用(圖2A)。

氧等離子體也可由其它活性氣體如SF₆的等離子體代替。

實(shí)際上，氧等離子體濺射(或在易于促進(jìn)生長(zhǎng)的材料已預(yù)先通過(guò)濺射沉積的情況下二次濺射)盲孔1001的底部1002a以便在盲孔1001的旁側(cè)面1002b的基部形成導(dǎo)電沉積物，其中導(dǎo)電沉積物基于來(lái)自易于促進(jìn)構(gòu)件生長(zhǎng)的材料的金屬，并由此形成所述材料的厚度梯度。在多數(shù)情況下，沉積物在靠近基體(底部1002a形成基體)表面處更厚(因此導(dǎo)電更佳)。隨著到基體距離增加，沉積物越來(lái)越薄并可能形成孤島。依據(jù)在適宜設(shè)備如NEXTRAL330中實(shí)施應(yīng)用氧等離子體的步驟的特定方法，使用以下條件：

-功率：250W

-使用氣體：O₂以140sccm和Ar以20sccm

-壓力：100mTorr

-時(shí)長(zhǎng)：30秒。

接下來(lái)，在繼氧等離子體之后的電解期間，濺射到盲孔側(cè)面的金屬存留物電連接到盲孔底部。電解沉積速度遂與通過(guò)的電流量成比例。由于金屬存留物在底部比在頂部導(dǎo)電更佳造成金屬存留物沒(méi)有均一的電阻，生長(zhǎng)速度遂隨著遠(yuǎn)離基體而下降以便自然形成邊框和關(guān)聯(lián)的腔體。接下來(lái)當(dāng)金屬足夠厚，沉積速度對(duì)基部表面保形，最初的形 狀始終在生長(zhǎng)中得到保持。

依據(jù)示于圖6B的替代，并實(shí)行掠入射離子刻蝕，后者使得能夠?yàn)R射絕緣材料1003c，其中絕緣材料1003c來(lái)自限定孔形狀的掩模1004的側(cè)面更有利(或者在掩模預(yù)先通過(guò)濺射獲得的情況下，二次濺射所述絕緣材料)，濺射材料沉積在盲孔底部的中心部分。此離子刻蝕例如以氬或氧實(shí)施。具有厚度梯度的相對(duì)多孔的絕緣存留物形成在盲孔底部中心(在存留物中心的厚度比在外圍的更大)，在底部外圍帶來(lái)導(dǎo)電區(qū)域。在離子刻蝕的情況下，由于電解優(yōu)先從導(dǎo)電表面開(kāi)始，沉積將始于盲孔底部的外圍，然后隨著多孔的存留物由最薄的區(qū)域開(kāi)始在電解期間破碎，材料從盲孔底部外圍生長(zhǎng)并逐漸延伸向中心，這樣帶來(lái)非均一的電解生長(zhǎng)。

更一般地，當(dāng)盲孔1001的底部1002由易于使構(gòu)件通過(guò)電解生長(zhǎng)的材料形成，施加等離子體或者實(shí)行離子刻蝕的步驟可概括為形成構(gòu)件的步驟包括在生長(zhǎng)步驟前將一些易于使構(gòu)件通過(guò)電解(尤其是通過(guò)鎳電解)生長(zhǎng)的材料濺射到至少是盲孔1001的內(nèi)部旁側(cè)面1002b的基部的步驟，然后在濺射步驟之后通過(guò)電解(尤其是通過(guò)鎳電解)實(shí)行生長(zhǎng)步驟。

優(yōu)選地，濺射步驟可包括施加等離子體或?qū)嵤╇x子刻蝕。

例如，針對(duì)濺射步驟，易于使構(gòu)件通過(guò)電解生長(zhǎng)的材料可以是在給定例如氬的氣體之下的濺射閾值低于預(yù)設(shè)閾值(例如對(duì)于以氬為氣體的基于銀的材料為50至100eV)的材料，如銀、金、銅和鈀是很好的候選材料。

特別地，在第一變體的范疇內(nèi)，如圖2B，易于促進(jìn)電解從而促進(jìn)構(gòu)件生長(zhǎng)的材料1003b濺射到初始盲孔的旁側(cè)面1002b(圖2A)形成薄(幾納米至幾十納米厚)導(dǎo)電層部分1003c的形式，其濺射方式使得其展現(xiàn)出隨著從孔底部向孔靠外側(cè)面的距離增加而降低的厚度梯度(此薄層可能達(dá)到也可能達(dá)不到所述孔的所述側(cè)面)。換言之，促進(jìn)生長(zhǎng)的材料可朝向盲孔開(kāi)口延伸覆蓋掩模1004的壁。接下來(lái)，為了獲得導(dǎo)電構(gòu)件，電解使得一個(gè)或多個(gè)附加層1007生長(zhǎng)。此原理亦適用于 圖6B，其示出該層部分1003c和附加層1007。盡管未示出，同一原理適用于由促進(jìn)電解的材料形成的圖1中的底部1002a。

依據(jù)一個(gè)變體，盲孔1001的底部1002至少在中心部分由阻礙所述生長(zhǎng)的材料的層1003b形成(這使得盲孔內(nèi)部表面的其余部分促進(jìn)所述構(gòu)件的生長(zhǎng))。在此情況下，生長(zhǎng)速度是均一的，但相比之下遮蓋孔的一部分也使得能夠促進(jìn)在非遮蓋區(qū)域的生長(zhǎng)，其結(jié)果是在盲孔旁側(cè)面基部的生長(zhǎng)比在所述旁側(cè)面其余部分更快。

這樣，依據(jù)此變體，可以遮蓋底部的一部分以使得生長(zhǎng)能越過(guò)掩模。

可選地，以一種能與上述變體結(jié)合的方式，可以濺射或二次濺射促進(jìn)生長(zhǎng)的材料以便調(diào)整在圖6B中期望阻礙生長(zhǎng)的區(qū)域1003c中的材料特性(見(jiàn)上述濺射絕緣材料1003c的可選方案)。

一般地，與圖6A及6B關(guān)聯(lián)的實(shí)施例也可應(yīng)用于如圖2A和2B所示的一個(gè)或多個(gè)盲孔的情況中。

應(yīng)從上述描述中理解到全部或僅部分構(gòu)件可以在生長(zhǎng)步驟中形成。當(dāng)僅部分構(gòu)件在生長(zhǎng)步驟中形成時(shí)，形成構(gòu)件的步驟在生長(zhǎng)所述部分構(gòu)件之后可以包括在所述部分構(gòu)件上形成由一個(gè)或多個(gè)層1007構(gòu)成的疊層1006(圖2B，6A，6B)的步驟來(lái)形成所述構(gòu)件的其它部分，使得所述疊層的頂部形成所述腔體的邊界。

例如，借助以疊層為基礎(chǔ)的實(shí)施例的描述，盲孔1001的底部1002a和至少一部分內(nèi)部旁側(cè)面1002b(圖6A)可以由促進(jìn)構(gòu)件生長(zhǎng)的材料形成。在此情況下，形成構(gòu)件的步驟最初包括調(diào)整盲孔底部和所述的至少一部分內(nèi)部旁側(cè)面1002b(形成上述的基部)的構(gòu)造，尤其是通過(guò)鎳電解。此調(diào)整使得構(gòu)件基本形狀的萌芽形成。接下來(lái)，由一個(gè)或多個(gè)層1007構(gòu)成的疊層1006由此萌芽生成。

優(yōu)選地，方法包括釋放構(gòu)件1的步驟，其包括去除全部或部分結(jié)構(gòu)1000。襯底可含有電子元件載體，或者可完全釋放構(gòu)件以將其放置在獨(dú)立于用于生成構(gòu)件的襯底的電子元件載體上。

繼上文，本發(fā)明也涉及通過(guò)上述方法獲得的電子元件的導(dǎo)電構(gòu) 件。構(gòu)件遂包括第一端部E1和與第一端部E1相對(duì)的第二端部E2，所述第二端部包括腔體2(圖7至圖10)。

進(jìn)一步，本發(fā)明也涉及在第一端部E1和第二端部E2之間延伸的用于電子元件的導(dǎo)電構(gòu)件1，其中第一端部E1設(shè)為與載體接觸，第二端部E2與第一端部E1相對(duì)。優(yōu)選通過(guò)依據(jù)上述方法獲得的構(gòu)件1配有形成在第二端部E2的腔體2和在第一端部E1及腔體2的底部4之間延伸的實(shí)體3，其中實(shí)體3的高度h1至少是構(gòu)件1的最大整體高度h2的10％。邊框5圍住全部或部分腔體2(圖7至圖10)。最大整體高度h2可定義為端部E1和E2末梢之間間隔的最大距離。

高度h1可包含在最大整體高度h2的10％至90％之間，并優(yōu)選為等于或約為h2的60％。顯然，實(shí)體3的高度h1保持與腔體2的存在相容，換言之，其不能達(dá)到構(gòu)件1的高度h2的100％。優(yōu)選地，腔體2的深度比主體的高度h1小。有這樣尺寸的實(shí)體3具有穩(wěn)定性能夠滿足在構(gòu)件1的第二端部E2受力而其第一端部E1固定到載體時(shí)防止構(gòu)件1損壞。更有利地，高度h1和h2以及腔體的深度以沿著穿過(guò)兩端部E1和E2的軸線A1為方向。

優(yōu)選地，構(gòu)件1的最大整體高度h2包含在3μm至50μm之間，高度h1包含在2μm至40μm之間。

依據(jù)特定實(shí)施例，高度h1等于12μm而高度h2等于18μm。

實(shí)際上，構(gòu)件1在其第一和第二端部E1、E2之間沿軸線A1延伸，此軸大體上垂直于包含第一端部E1的平面和包含第二端部E2的平面。

如圖7至圖10所示，邊框5具備帶斜面的形狀更有利。

特別地，所述邊框5包括至少兩個(gè)相對(duì)且優(yōu)選為大致平行的側(cè)段5a、5b。在圖7中，腔體2由兩端開(kāi)口的槽界定，槽的底部形成腔體2的底部。并且，槽的兩個(gè)傾斜面由槽底部伸出并岔開(kāi)以便界定邊框5的兩個(gè)側(cè)段5a、5b。

在圖8所示的特定實(shí)施例中，腔體2由去除頂部的棱錐的負(fù)拓印界定，其中棱錐基部具有四個(gè)側(cè)邊，形成邊框5的邊。此棱錐的面趨向第一端部E1會(huì)聚。盡管未示出，負(fù)拓印也可以沒(méi)有去除頂部。更一般 地，此負(fù)拓印可比作兩端封閉的槽。

在圖7和圖8中，側(cè)段5a、5b分別與構(gòu)件其余部分界定兩個(gè)帶斜面的部分。這兩個(gè)部分有助于構(gòu)件1插入第三單元。

在圖9所示的特定實(shí)施例中，腔體2由去除頂部的圓錐的負(fù)拓印界定，其中圓錐基部形成腔體2的邊緣。圓錐趨向第一端部E1會(huì)聚。盡管未示出，負(fù)拓印也可以沒(méi)有去除頂部。在此實(shí)施例中，構(gòu)件1在其兩端E1和E2之間由圓筒界定并具有單個(gè)環(huán)形斜面。

依據(jù)一個(gè)特定實(shí)施例，邊框5包括邊緣，該邊緣形成完全包含于一個(gè)平面內(nèi)的環(huán)。這樣應(yīng)理解到邊框5限定整個(gè)腔體。在圖8和圖9的實(shí)施例中，此邊緣形成腔體2的側(cè)邊。

優(yōu)選地，構(gòu)件在大致垂直交于軸線A1的平面內(nèi)的橫截面可以是長(zhǎng)方形(圖7和圖8)，橢圓形或盤形(圖9)，橫截面取決于相關(guān)盲孔的形狀。也可生成其它更復(fù)雜的形狀，特別地，如果橫截面是多邊形，負(fù)拓印也可能是基部為多邊形的棱錐。

如上所述，構(gòu)件是導(dǎo)電的，此導(dǎo)電性能使其形成電連接構(gòu)件。構(gòu)件可以由就制造方法提及的材料構(gòu)成。

本發(fā)明也涉及電子元件。圖11示出了這樣的元件100。電子元件100包括載體101和依據(jù)上述實(shí)施例之一的構(gòu)件1，構(gòu)件1自其第一端部E1開(kāi)始向與所述載體101相反的方向由載體101伸出(第二端部E2由此遠(yuǎn)離載體101一段距離)。顯然，元件也可包括多個(gè)所述的構(gòu)件。

更有利地，載體101配有電子芯片102，且構(gòu)件1形成尤其是經(jīng)所述構(gòu)件1的第一端部E1來(lái)電連接到芯片102的電連接墊。此電連接可以通過(guò)任何類型的連接單元103獲得，如圖11中虛線所示。在此情況下，全部或僅部分構(gòu)件1可以是導(dǎo)電的。

在當(dāng)前描述中，術(shù)語(yǔ)“電子芯片”應(yīng)特別理解為指任何包括一個(gè)或多個(gè)電連接的被動(dòng)或主動(dòng)電子結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，如圖12所示，構(gòu)件1的第二端部E2與電子元件100的導(dǎo)電單元104有電接觸。例如，全部或部分邊框5插入導(dǎo)電單元104以保證與所述相應(yīng)構(gòu)件1的電接觸。應(yīng)理解到構(gòu)件1的端部E2使得與導(dǎo)電單元 104之間能夠形成緊密接觸。

依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，構(gòu)件1的腔體2更有利地使得與所述構(gòu)件1關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電單元104對(duì)齊或?qū)χ小?/p>

優(yōu)選地，導(dǎo)電單元104不如構(gòu)件1堅(jiān)硬，以便構(gòu)件1(尤其是構(gòu)件1的邊緣5)能夠插入導(dǎo)電單元104中而不損壞。在所述構(gòu)件和單元接觸的區(qū)域也可能存在構(gòu)件和/或?qū)щ妴卧牟糠謸p壞。

依據(jù)特定實(shí)施例，如圖13和圖14所示，電子原件100包括用于固定導(dǎo)電線單元106(如導(dǎo)線)的槽105。構(gòu)件1自其第一端部E1開(kāi)始從由載體101的一部分形成的槽105的第一側(cè)壁105a延伸。構(gòu)件1的第二端部E2面向槽105的第二側(cè)壁105b。換言之，槽105的第二側(cè)壁105b至少有一部分是垂直于第二端部E2安置的。優(yōu)選地，第一側(cè)壁105a和第二側(cè)壁105b大致互相平行。更有利地，槽105在其兩端107a和107b開(kāi)口。第二端部E2和槽105的第二側(cè)壁105b之間的剩余空間設(shè)為固定導(dǎo)線單元106。當(dāng)導(dǎo)線單元106被固定，其形成電子元件100的集成部分，其遂可比作上述的導(dǎo)電單元104。

優(yōu)選地，槽105的第一和第二側(cè)壁105a、105b沿槽軸線Ar(示于圖14中且大致與圖13中的導(dǎo)線單元106平行)延伸，構(gòu)件1的兩個(gè)相對(duì)側(cè)段5a、5b沿槽軸線Ar被分隔開(kāi)，并布置為垂直或傾斜于所述槽軸線Ar。這使得當(dāng)所述導(dǎo)線單元106順著相對(duì)于槽105橫向的固定方向d1被固定到槽105時(shí)，能夠有利于構(gòu)件插入導(dǎo)線單元106，同時(shí)憑借構(gòu)件1主體具備的穩(wěn)定性保證構(gòu)件1圓滿地耐抗固定操作帶來(lái)的剪切應(yīng)力。盡管圖14中示出的三個(gè)構(gòu)件1a、1b、1c表明圖7至圖9中的構(gòu)件可被單獨(dú)或組合使用，優(yōu)選使用圖7中的構(gòu)件，其腔體2由開(kāi)口槽界定以利于通過(guò)兩個(gè)槽端點(diǎn)來(lái)固定導(dǎo)線單元。

在圖13中，導(dǎo)線單元106被夾在構(gòu)件1的第二端部E2和槽側(cè)壁105b之間，其中槽側(cè)壁105b與所述構(gòu)件1延伸所始于的槽側(cè)壁105a相對(duì)。盡管通過(guò)將導(dǎo)線單元106夾在構(gòu)件1和槽側(cè)壁105b之間所施加的力足夠保持導(dǎo)線單元106組裝到電子元件其余部分，槽105可更有利地填充有為加固所述組裝而設(shè)的絕緣或?qū)щ姴牧稀?/p>

在當(dāng)前描述中，術(shù)語(yǔ)“大致平行”應(yīng)理解為指精確平行或在正負(fù)10度范圍內(nèi)平行。

在當(dāng)前描述中，術(shù)語(yǔ)“大致垂直”應(yīng)理解為指精確垂直或在正負(fù)10度范圍內(nèi)垂直。

如上所述，可以將導(dǎo)電單元104與上述構(gòu)件對(duì)齊或?qū)χ?。更一般地，?dǎo)電構(gòu)件也可作為對(duì)齊任何第三單元(無(wú)論導(dǎo)電與否)的工具使用，尤其是在微電子領(lǐng)域。這樣的第三單元可以是球或甚至如專利申請(qǐng)F(tuán)R2967296中所述的凸形單元(無(wú)論導(dǎo)電與否)，在當(dāng)前情況下所述凸形單元插入由所述導(dǎo)電構(gòu)件形成的凹形單元中。