技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件包括：具有有源區(qū)的襯底、位于有源區(qū)上方的柵極結(jié)構(gòu)、位于有源區(qū)上方并且電連接至有源區(qū)的下部導(dǎo)電層、以及位于下部導(dǎo)電層上方并且電連接至下部導(dǎo)電層的上部導(dǎo)電層。下部導(dǎo)電層與柵極結(jié)構(gòu)至少部分地共高度。下部導(dǎo)電層包括相互間隔開的第一和第二導(dǎo)電區(qū)段。上部導(dǎo)電層包括與第一和第二導(dǎo)電區(qū)段重疊的第三導(dǎo)電區(qū)段。第三導(dǎo)電區(qū)段電連接至第一導(dǎo)電區(qū)段，并且與第二導(dǎo)電區(qū)段電隔離。本發(fā)明還涉及半導(dǎo)體器件的布局和制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：謝東衡;莊惠中;林仲德;王勝雄;江庭瑋;田麗鈞;蔡宗杰
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510133500
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.25
技術(shù)公布日：2016.11.23