技術總結
本發(fā)明提供一種抑制深能級發(fā)光、提高單色性進而發(fā)光效率好的氮化物半導體發(fā)光元件。氮化物半導體發(fā)光元件在n型氮化物半導體層與p型氮化物半導體層之間具有發(fā)光層，上述n型氮化物半導體層包含AlnGa1－nN(0＜n≤1)，所包含的C濃度為1×1017/cm3以下。

技術研發(fā)人員：月原政志;三好晃平;杉山徹
受保護的技術使用者：優(yōu)志旺電機株式會社
文檔號碼：201480079821
技術研發(fā)日：2014.06.13
技術公布日：2017.02.22