技術特征：

1.一種氮化物半導體發(fā)光元件，其特征在于，其在n型氮化物半導體層與p型氮化物半導體層之間具有發(fā)光層，

上述n型氮化物半導體層包含Al_nGa_1－nN，其中0＜n≤1，且所包含的C濃度為1×10¹⁷/cm³以下。

2.根據權利要求1所述的氮化物半導體發(fā)光元件，其特征在于，

其是主要的發(fā)光波長為375nm以下的紫外光發(fā)光元件。

3.根據權利要求2所述的氮化物半導體發(fā)光元件，其特征在于，

黃色的可見光波長的發(fā)光強度相對于上述主要的發(fā)光波長的強度的強度比為0.1％以下。