一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及顯示工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。該陣列基板包括基板，基板上依次設(shè)有第一柵極、第一柵絕緣層、有源層、第二柵絕緣層、第二柵極、第三柵絕緣層和源漏電極，有源層與第二柵極相對應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)分別為源漏輕摻雜區(qū)域和源漏重?fù)诫s區(qū)域，源、漏電極與源、漏重?fù)诫s區(qū)域電連接；第一柵極設(shè)置于漏電極所對應(yīng)區(qū)域的漏輕摻雜區(qū)域下方或第一柵極分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于源、漏電極對應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域下方。本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，通過LDD結(jié)構(gòu)降低TFT關(guān)態(tài)漏電流，同時(shí)通過底柵結(jié)構(gòu)提高TFT開態(tài)電流的效果，提高產(chǎn)品良品率。
【專利說明】一種陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在IXD(液晶顯示器)或OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器中，每個(gè)像素點(diǎn)都是由集成在像素點(diǎn)后面的TFT (Thin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)來驅(qū)動(dòng)，從而可以做到高速度、高亮度、高對比度的顯示屏幕信息。在現(xiàn)在的生產(chǎn)技術(shù)中，多采用多晶硅或非晶硅來制造TFT。多晶硅的載流子迀移率為10-200cm2/V，明顯高于非晶硅的載流子迀移率(Icm2/V)，所以多晶娃相對于非晶娃具有更尚的電容性和存儲(chǔ)性。
[0003]對于IXD和OLED，TFT—般形成于玻璃基板上，由于玻璃的熱力學(xué)限制，多晶硅TFT的結(jié)晶特性及離子注入后退火的過程往往不能得到有效的恢復(fù)，則在反偏電壓的情況下會(huì)出現(xiàn)較大的漏電流，影響TFT的正常使用。
[0004]為了抑制TFT的漏電流，一般采用在TFT的柵極和源、漏極間進(jìn)行輕摻雜的方式，尤其是在一些短溝道的情況下，輕摻雜漏區(qū)(Lightly Doped Drain，LDD)的寬度范圍僅為0.3-1 ymo在TFT正常工作時(shí)，往往開態(tài)電流會(huì)受到影響，導(dǎo)致正常工作的TFT電阻過大，功耗增大。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005](一 )所要解決的技術(shù)問題
[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及顯示裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)中TFT關(guān)態(tài)電流較強(qiáng)，導(dǎo)致TFT工作時(shí)由于LDD結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致開態(tài)電流降低的TFT結(jié)構(gòu)。
[0007](二)技術(shù)內(nèi)容
[0008]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型一方面提供一種陣列基板包括基板，所述基板上依次設(shè)有第一柵極、第一柵絕緣層，所述第一柵絕緣層上設(shè)有有源層，所述有源層上依次設(shè)有第二柵絕緣層、第二柵極、第三柵絕緣層和源漏電極，所述源漏電極在第三柵絕緣層上;
[0009]所述有源層與第二柵極相對應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)分別為源漏輕摻雜區(qū)域和源漏重?fù)诫s區(qū)域，其中，源輕摻雜區(qū)域和漏輕摻雜區(qū)域緊挨第二柵極，源重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述源輕摻雜區(qū)域并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域，所述源、漏電極與所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域電連接；
[0010]其中，所述第一柵極設(shè)置于所述漏電極所對應(yīng)區(qū)域的漏輕摻雜區(qū)域下方或所述第一柵極分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于所述源、漏電極對應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域下方。
[0011]優(yōu)選地，所述有源層為由非晶化的氧化物通過晶化處理后的多晶狀態(tài)有源層。
[0012]優(yōu)選地，所述有源層為低溫多晶硅。
[0013]優(yōu)選地，所述第三柵絕緣層和第二柵絕緣層上設(shè)有過孔，所述源、漏電極通過過孔與源、漏重?fù)诫s區(qū)域接觸連接。
[0014]優(yōu)選地，所述基板和第一柵極之間還設(shè)有緩沖層。
[0015]另一方面，本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0016](三)有益效果
[0017]本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，通過LDD結(jié)構(gòu)降低TFT關(guān)態(tài)漏電流，同時(shí)通過底棚結(jié)構(gòu)提尚TFT開態(tài)電流的效果，提尚廣品良品率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1?圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例一陣列基板制作流程步驟示意圖；
[0019]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例二陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例一陣列基板制作方法流程圖。
[0021]其中:
[0022]1:基板；2:緩沖層；3:第一柵極；4:第一柵絕緣層；5:有源層；6:第二柵絕緣層；7:第二柵極；8:光刻膠；91:源輕摻雜區(qū)域；92:源重?fù)诫s區(qū)域；101:漏輕摻雜區(qū)域；102:漏重?fù)诫s區(qū)域；11:第三柵絕緣層；12:源電極；13:漏電極；14:⑶偏差。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不是用來限制本實(shí)用新型的范圍。
[0024]實(shí)施例1
[0025]如圖6所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括基板1，所述基板I上設(shè)有緩沖層2、第一柵極3 (即底柵)和第一柵絕緣層4，所述第一柵絕緣層4上設(shè)有有源層5，所述有源層5上依次設(shè)有第二柵絕緣層6、第二柵極7(即頂柵)、第三柵絕緣層11和源漏電極12，該源漏電極12在第三柵絕緣層11上。該有源層5與第二柵極7相對應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)分別為源、漏輕摻雜區(qū)域91和101以及源、漏重?fù)诫s區(qū)域92和102，其中，該源輕摻雜區(qū)域91和漏輕摻雜區(qū)域101緊挨第二柵極7，源重?fù)诫s區(qū)域92緊挨所述源輕摻雜區(qū)域91并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域102緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域101。該源、漏電極12和13與所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域92和102電連接。
[0026]需要說明的是，該第一柵極3分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于所述源、漏電極12和13對應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域(即分別位于源輕摻雜區(qū)域91和漏輕摻雜區(qū)域101)下方。
[0027]本實(shí)施例中，同時(shí)設(shè)置第一柵極3 (底柵)和第二柵極7 (頂柵)采用LDD降低關(guān)態(tài)電流的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合底柵結(jié)構(gòu)的工作原理，在TFT工作時(shí)，即頂柵加有柵壓時(shí)，底柵也同時(shí)打開，令LDD區(qū)域也感生出載流子，這樣LDD區(qū)域在底柵電場的作用下，加上輕摻雜的產(chǎn)生的載流子，即可避免由于輕摻雜而導(dǎo)致的開態(tài)電流1n降低的不利后果；同樣的，當(dāng)TFT的頂柵電場去除后，其處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)底柵也撤去其電場，此時(shí)正好利用了 LDD的優(yōu)勢降低了關(guān)態(tài)漏電流1fT。
[0028]其中，所述有源層5為由非晶化的氧化物通過晶化處理后的多晶狀態(tài)有源層，其中，該有源層5為低溫多晶硅。
[0029]其中，所述第三柵絕緣層11和第二柵絕緣層6上設(shè)有過孔，所述源漏電極12通過過孔與源、漏重?fù)诫s區(qū)域92和102接觸連接。其中，所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域92和102位于源、漏輕摻雜區(qū)域91和101外側(cè)，遠(yuǎn)離所述有源層5。
[0030]本實(shí)用新型提供的陣列基板，通過LDD結(jié)構(gòu)降低TFT關(guān)態(tài)漏電流，同時(shí)通過底柵結(jié)構(gòu)提尚TFT開態(tài)電流的效果，提尚廣品良品率。
[0031]實(shí)施例2
[0032]如圖7所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1存在的區(qū)別在于，本實(shí)施例中的第一柵極3只有一部分，其設(shè)置于所述漏電極所對應(yīng)區(qū)域的漏輕摻雜區(qū)域101下方即可。
[0033]該第一柵極3同樣和第二柵極7 —起，采用LDD降低關(guān)態(tài)電流的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合底柵結(jié)構(gòu)的工作原理，在TFT工作時(shí)，即頂柵加有柵壓時(shí)，底柵也同時(shí)打開，令LDD區(qū)域也感生出載流子，這樣LDD區(qū)域在底柵電場的作用下，加上輕摻雜的產(chǎn)生的載流子，即可避免由于輕摻雜而導(dǎo)致的開態(tài)電流1n降低的不利后果；同樣的，當(dāng)TFT的頂柵電場去除后，其處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)底柵也撤去其電場，此時(shí)正好利用了 LDD的優(yōu)勢降低了關(guān)態(tài)漏電流1fT。
[0034]另外，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例1或?qū)嵤├?中的陣列基板。該陣列基板包括但不限于液晶顯示器、液晶電視、液晶顯示屏等設(shè)備，還可以為數(shù)碼相框、電子紙、手機(jī)等需要顯示模組的顯示裝置。
[0035]實(shí)施例3
[0036]如圖8所示，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種基于實(shí)施例1中的陣列基板的制作方法，具體步驟包括:
[0037]步驟S31、在基板上形成第一柵極的圖形；
[0038]步驟S32、在完成上述步驟的基板上形成第一柵絕緣層；
[0039]步驟S33、在完成上述步驟的基板上形成有源層，
[0040]步驟S34、在完成上述步驟的基板上形成第二柵絕緣層；
[0041]步驟S35、在完成上述步驟的基板上形成第二柵極的圖形；
[0042]步驟S36、對有源層與第二柵極相對應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)進(jìn)行源漏重?fù)诫s和源漏輕摻雜；源輕摻雜區(qū)域和漏輕摻雜區(qū)域緊挨與第二柵極相對應(yīng)的有源層，源重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述源輕摻雜區(qū)域并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域；
[0043]步驟S37、在完成上述步驟的基板上形成第三柵絕緣層，形成過孔，
[0044]步驟S38、在完成上述步驟的基板上形成源、漏電極圖形，所述源、漏電極與所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域電連接；
[0045]其中，所述第一柵極設(shè)置于所述漏電極所對應(yīng)區(qū)域的漏輕摻雜區(qū)域下方或所述第一柵極分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于所述源、漏電極對應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域下方。
[0046]其中，所述有源層為由非晶化的氧化物通過晶化處理工藝形成的多晶狀態(tài)有源層，該有源層為低溫多晶硅，且所述晶化處理工藝為準(zhǔn)分子激光退火，利于各膜層之間的貼附。
[0047]其中，對有源層與第二柵極相對應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)進(jìn)行源漏重?fù)诫s和源漏輕摻雜具體包括:
[0048]待第二柵極刻蝕完成后，保留光刻膠，所述光刻膠與第二柵極之間存在CD偏差，對未被光刻膠阻擋的有源層區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s處理；
[0049]剝離光刻膠，對未被第二柵極阻擋的有源層區(qū)域再次進(jìn)行輕摻雜處理。
[0050]本實(shí)用新型提供的陣列基板制作方法，通過LDD結(jié)構(gòu)降低TFT關(guān)態(tài)漏電流，同時(shí)通過底棚結(jié)構(gòu)提尚TFT開態(tài)電流的效果，提尚廣品良品率。
[0051]下面具體描述一下基于實(shí)施例1中的陣列基板制作方法的操作步驟:
[0052]步驟S1、在玻璃基板I上利用PECVD沉積緩沖層2，該緩沖層2的材料可以選用SiNx, S1x或兩者的混合配比；
[0053]步驟S2、在完成步驟SI的基礎(chǔ)上采用濺射方法制作第一柵極3 (即底柵)，并進(jìn)行光刻、刻蝕工藝，形成底柵圖形，如圖1所示。該第一柵極3分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于后續(xù)源、漏電極對應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域下方。
[0054]步驟S3、利用PECVD的方法制作第一柵絕緣層4，再利用PECVD制作有源層5，之后再通過晶化技術(shù)，如ELA技術(shù)，使非晶化的有源層形成多晶狀態(tài)，如圖2所示。
[0055]步驟S4、在完成上述步驟的基板上利用PECVD方法制作第二柵絕緣層6，再利用濺射技術(shù)制作第二柵極7 (即頂柵)，之后利用光刻、刻蝕工藝形成頂柵圖形，且在濕刻完頂柵結(jié)構(gòu)后不進(jìn)行去除光刻膠8工藝，機(jī)保留光刻膠8，該光刻膠8與第二柵極7之間存在CD偏差14(Critical Dimens1n Bias，關(guān)鍵尺寸偏差)如圖3所示。
[0056]步驟S5、在完成上述步驟的基板上，在未被光刻膠8阻擋的有源層上進(jìn)行源漏重?fù)诫s，形成源漏重?fù)诫s區(qū)域，其目的是實(shí)現(xiàn)和金屬電極的良好接觸，在進(jìn)行完重?fù)诫s工藝后進(jìn)行去除光刻膠8，之后對未被第二柵極7阻擋的有源層部分進(jìn)行輕摻雜，形成LDD結(jié)構(gòu)，其中，源漏重?fù)诫s區(qū)域不會(huì)被輕摻雜工藝所影響，如圖4所示。其中，源輕摻雜區(qū)域91和漏輕摻雜區(qū)域101緊挨第二柵極7，源重?fù)诫s區(qū)域92緊挨所述源輕摻雜區(qū)域91并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域102緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域101。
[0057]需要說明的是，本步驟中進(jìn)行的源漏重?fù)诫s和輕摻雜處理，采用現(xiàn)有工藝方法即可，本專利申請中的改進(jìn)點(diǎn)為源漏重?fù)诫s和輕摻雜處理的位置關(guān)系，而不在工藝本身。
[0058]步驟S6、在完成上述步驟的基板上，利用PECVD工藝制做第三柵絕緣層11，之后進(jìn)行源漏金屬電極過孔的光刻、刻蝕工藝，形成過孔，如圖5所示。
[0059]步驟S7、在完成上述步驟的基板上，沉積源漏金屬薄膜，利用濺射工藝制作源漏金屬電極層形成源電極12和漏電極13，并利用光刻、刻蝕工藝形成電極圖形，如圖6所示。
[0060]本實(shí)用新型實(shí)施例采用LDD降低關(guān)態(tài)電流的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合底柵結(jié)構(gòu)的工作原理，在TFT工作時(shí)，即頂柵加有柵壓時(shí)，底柵也同時(shí)打開，令LDD區(qū)域也感生出載流子，這樣LDD區(qū)域在底柵電場的作用下，加上輕摻雜的產(chǎn)生的載流子，即可避免由于輕摻雜而導(dǎo)致的開態(tài)電流1n降低的不利后果；同樣的，當(dāng)TFT的頂柵電場去除后，其處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)底柵也撤去其電場，此時(shí)正好利用了 LDD的優(yōu)勢降低了關(guān)態(tài)漏電流1fT。
[0061 ] 本實(shí)用新型提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，通過LDD結(jié)構(gòu)降低TFT關(guān)態(tài)漏電流，同時(shí)通過底柵結(jié)構(gòu)提高TFT開態(tài)電流的效果，提高產(chǎn)品良品率。
[0062] 以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括基板，所述基板上依次設(shè)有第一柵極、第一柵絕緣層，所述第一柵絕緣層上設(shè)有有源層，所述有源層上依次設(shè)有第二柵絕緣層、第二柵極、第三柵絕緣層和源漏電極，所述源漏電極在第三柵絕緣層上； 所述有源層與第二柵極相對應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)分別為源漏輕摻雜區(qū)域和源漏重?fù)诫s區(qū)域，其中，源輕摻雜區(qū)域和漏輕摻雜區(qū)域緊挨第二柵極，源重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述源輕摻雜區(qū)域并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域，所述源、漏電極與所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域電連接； 其中，所述第一柵極設(shè)置于所述漏電極所對應(yīng)區(qū)域的漏輕摻雜區(qū)域下方或所述第一柵極分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于所述源、漏電極對應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為由非晶化的氧化物通過晶化處理后的多晶狀態(tài)有源層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為低溫多晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三柵絕緣層和第二柵絕緣層上設(shè)有過孔，所述源、漏電極通過過孔與源、漏重?fù)诫s區(qū)域接觸連接。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板和第一柵極之間還設(shè)有緩沖層ο
6.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/32GK204243045SQ201420822046
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年12月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月22日
【發(fā)明者】石磊, 許曉偉 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司